集成运算放大器的零漂特性研究

为改进抑制零点漂移的技术，提出了利用一种新型的器件CBT来抑制零点漂移的方法，分析了CBT的电流增益在一定范围内基本上不随温度和工作电流变化的机理，给出了输出特性曲线与基区沟道宽度、时间及温度的关系。测试结果表明：改进后的集成运算放大器的失调电流随温度变化显著减小。输出特性曲线基本不随温度变化。该器件主要应用于军事及航天领域中的精密仪器及仪表中。     

CMOS 6管静态存储单元晶体管尺寸的估算

文章采用萨方程对CMOS工艺的6管静态存储单元结构进行分析计算,探讨了在工艺特征尺寸确定的情况下,晶体管沟道宽度为何值时存储阵列的数据输出延迟最小的估算方法;利用Matlab求解得到一个非线性方程;该方法适用于不同的存储阵列和特征尺寸,可以快速地估算出晶体管沟道宽度,为设计存储器单元版图时提供了方便。     

多层膜样品的背散射/沟道、溅射剥层/背散射和二次离子质谱分析

用背散射／沟道、溅射剥层／背散射和二次离子质谱方法分析了分子束外延生长的Si/GexSi1-x多层膜。由2MeV^4He^ 离子背散射／沟道分析，确定了外延生长薄膜的厚度、组分和晶格结构的完美性；用低能Ar^ 离子溅射剥层，减薄样品外延层厚度后，再做背散射分析，可获得有关较深层薄膜与基体界面和溅射剥层的信息；二次离子质谱分析清晰地显示出溅射剥层前后样品的交替层周期性结构。     

MOSFET特性研究

本文介绍了N MOSFET的物理结构特性以及导电沟道形成过程与本质.详细分析与说明N MOSFET的漏极电流iD与漏源电压uDS特性表达式以及N MOSFET的物理结构、材料特性和制造工艺等对于N MOSFET特性的影响.     

NSFC funded project made significant progress in solution processed n-channel organic thin-film transistors

Organic thin-film transistors （OTFTs）, a hot topic in organic electronics, have been demonstra- ted in various applications, such as chemical/biosensors and radio fre quency identification cards.     

多沟道电荷耦合器件的研究进展

介绍了两沟道和三沟道BCCD的工作,并对其实现多光谱成像的应用前景进行了分析和讨论．研究结果表明：利用不同材料制成的单片BCCD可以分别在0．5～0．83μm和0．6～1．8keV区域实现多光谱成像．     

MBE-GaAs/Si的背散射沟道分析

对 MBE-GaAs/Si 进行离子注入和退火.GaAs 外延层的厚度为0.9-2.0μm.Si离子的注入能量及剂量分别为1.2-2.8MeV,l×10~(14)-7×10~(15).cm~(-2).退火采用红外瞬态退火(850℃,15s)及白光退火(1050℃,8s).背散射沟道分析采用4.2MeV~7Li.实验表明,注入结合退火是改善 GaAs 外延层晶体质量的一种有效方法.注入剂量过大,由于正化学配比遭到破坏,外延生长终止.     

SiGe沟道SOI结构混合模式晶体管的设计与模拟

提出采用SiGe沟道SOI结构混合模式晶体管（SiGe SOI BMHMT）构成适合在低电压下工作的新型集成电路，该电路比CMOS电路具有更大的电流驱动能力和更好的性能，对不同导电类型的SiGe SOI BMHMT、SiGe SOI MOSFET、SOI BMHMT和SOI MOSFET器件进行了工艺模拟和器件模拟，结果表明，SiGe SOI BMHMAT由于应变SiGe层中空穴迁移率的提高，阈值电压降低。存在衬底栅极和横向双极晶体管，使得其驱动电流比其他结构器件的驱动电流明显提高。     

新型半导体器件及工艺基础研究

为了提高系统芯片的可靠性和性能价格比,增强其市场竞争力,缩小器件特征尺寸并提高集成度仍是一个主要的途径。当器件特征尺寸进入亚50nm以后,大量来自于传统工作模式、传统材料、传统工艺乃至传统器件物理基础等方面的问题将成为器件特征尺寸进一步缩小的限制性因素。因此我们的973项目从新型材料、半导体器件分析、新型器件结构、关键制备工艺等方面开展了深入的研究。本文主要介绍我们在新型半导体器件结构以及制备工艺方面取得的主要成果,具体包括平面双栅器件、金属栅器件、垂直沟道双栅器件、DSOI器件、SON器件、SOI肖特基晶体管、高K介质器件等。     

多沟道波导及多量子阱光波导TM模色散方程的矩阵方法

转移矩阵方法(TMM)是一种精确的分析方法，它没有涉及任何的近似，计算也简单方便，是一种比较理想的分析光波导传播特性的方法．该文利用转移矩阵方法导出了多沟道波导和多量子阱波导的TM模式色散方程．