晋北水蚀风蚀交错区沟道拦沙工程技术体系研究

本文通过对国务院2001年批准实施的“21世纪初期（2001～2005年）首都水资源可持续利用项目”的国家科技支撑项目“晋北水蚀风蚀交错区沟道拦沙工程技术体系”研究成果的总结与归纳，提出了区域近期年平均土壤侵蚀模数、不同等级沟道拦沙工程的布设原则、小流域沟道拦沙工程规划布局和工程设计的分阶段布坝密度、中小坝的配置比例、单坝控制面积等主要技术指标，并建立了土料容重与最优含水率的关系，形成晋北水蚀风蚀交错区沟道拦沙工程建设技术体系。为晋北水蚀风蚀交错区沟道拦沙工程建设提供技术支持。与类似相关研究相比，本项目研究成果对晋北水蚀风蚀交错区沟道拦沙工程的健康发展，更具有创新性、实用性和指导性。     

离子沟道自由电子激光的自发辐射谱

计算了离子沟道中的库仑场，在小振幅条件下导出了相对论性电子束的运动轨迹，运用麦迪定理研究了电子的自发辐射谱分布，并对结果进行了讨论。     

飞兆半导体推出4.5V-20V IntelliMAX 负载开关

飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductot)推出全新的IntelliMAX~(TM)系列器件FPF250X,其输入电压为由4.5V至20V。这些高度集成的负载开关针对潜在的过流损坏提供全面的保护功能,过流损坏会对工业、电信、医疗、笔记本电脑及消费应用等低功耗设计造成影响。FPF250X器件将带有热关断、受控导通和欠压闭锁等保护和控制功能的0.23欧姆限流N沟道MOSFET,集成在节省空间的一个SOT23封装中,     

亚90nm沟道MOSFET亚阈值状态下二维电势和阈值电压的半解析模型

本文提出一个亚90nm沟道MOSFET在亚阈值状态下的二维电势和阈值电压的半解析模型．文章首先根据短沟道MOSFET在亚闽值状态下的物理模型提出定解问题，然后用特征函数将由氧化层和空间电荷区衔接条件所得到的超越方程组作正交展开，得到关于未知量的线性代数方程组．求出了氧化层和空间电荷区的二维电势、耗尽层厚度和阈值电压的表达式．该模型不需要适配参数，运算量小，避免了方程离散化，计算精度与数值解精度相同．文章给出了沟道长度为90nm以下MOSFET的电势分布、表面势、耗尽层厚度和阈值电压计算结果．计算值与二维数值模拟值高度吻合．     

历史悠久的制扇技艺——传统白扇的制作工艺

传统白扇即白纸折叠扇。折扇产生时间虽迟,却是流行最广的扇子种类。扇面的制作白纸扇的扇面是最先做好的。制作方法是将扇骨的小骨串到扇面中间,再将大骨粘在扇面的两边,使其成为一把完整的扇子。白纸扇的扇面分纸、绢两种,其     

VMOS功率场效应晶体管的制造工艺

VMOS功率场效应晶体管有两种结构，一种是VVMOS功率场效应晶体管，另一种是VDMOS功率场效应晶体管。VVMOS结构是美国雷达半导体公司在1975年首先提出的。这种结构是在n＋衬底上的n-外延层上，先后进行P型区和n＋型区两次选择扩散，然后利用硅的各向异性刻硅技术，刻注出v型槽。槽的深度由槽的开口宽度决定，槽壁与硅片平面成54．70角。沟道长度由扩散的深度差决定，在1～2um之间。漏极从芯片的背面引出。由于这种结构是利用V形槽实现垂直导电的，故称为VVMOS结构。     

多沟道光波导TE模的转移矩阵及模式本征方程的改进

对于多层平板波导的模场分布的研究,转移矩阵方法行之有效.该文研究由两种均匀基膜交替邻接组成的多沟道光波导,通过合理的划分周期区间,将一个周期取作3层对称膜,从而可以用一个等效的单层结构来替代它.然后,严格导出了这种周期性结构TE模的转移矩阵和模式本征方程.     

非对称栅压在负栅极-源漏极交叠结构超薄沟道双栅器件中的应用

为了研究纳米尺度器件中量子力学效应对传输特性及动态特性的影响,在器件模拟软件TAURUS中实现了量子修正的漂移扩散模型(QDD),并对具有负栅极-源漏极交叠结构的超薄沟道双栅器件进行了数值模拟。结果显示:非对称栅压的控制方法使得器件具有动态可调的阈值电压,能够动态地适应高性能与低功耗的要求。通过优化栅极与源漏区的交叠长度可以降低栅极电容,从而提高器件的动态特性,提高电路的工作速度。     

非对称栅压在负栅极-源漏极交叠结构超薄沟道双栅器件中的应用

为了对纳米尺度器件中量子力学效应对传输特性及动态特性的影响进行研究,该文在器件模拟软件TAURUS中实现了量子修正的漂移扩散模型(QDD),并对具有负栅极源漏极交叠结构的超薄沟道双栅器件进行了数值模拟。结果显示非对称栅压的控制方法使得器件具有动态可调的阈值电压,能够动态地适应高性能与低功耗的要求。通过优化栅极与源漏区的交叠长度可以降低栅极电容,从而提高器件的动态特性,提高电路的工作速度。     

级联结型场效应管放大电路的等效输入噪声

考虑场效应管的栅极散粒噪声、热噪声、1/f噪声、沟道热噪声，对简单的共源-共源级联电路进行运算，推得其等效输入噪声表达式，并指出上述各噪声来源的贡献。