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81.
采用等离子体氧化和逐层(layer-by-layer)生长技术在等离子体增强化学气相淀积(PECVD)系统中原位制备了Al/SiO2/nc-Si/SiO2/p-Si纳米结构.利用变频电容-电压测量研究了该结构的电学性质,在室温下首次观察到电容峰现象.实验得到的单电子库仑充电能与理论上用电容模型算得的结果一致. 相似文献
82.
配制高性能混凝土对原材料要求的探讨 总被引:1,自引:0,他引:1
高性能混凝土具有高流动性、高耐久性的特点,其组成原材料应满足各项性能的基本要求.胶凝材料用量较高,水灰比较低,最大骨料粒径较小,可采用普通水泥,但必须与高效减水剂有很好的相容性. 相似文献
83.
利用脉冲激光沉积(PLD)技术在单晶硅衬底的非晶态SiO2过渡层上外延生长了具有优良结晶品质和高度C轴取向性的LiNbO3光波导薄膜.利用X射线衍射、高分辨电子显微镜和原子力显微镜等手段对LiNbO3薄膜的结晶品质和C轴取向性等进行了系统的分析,基本确定了薄膜C轴外延生长的最佳沉积参数.非晶态SiO2过渡层上的LiNbO3薄膜由尺度约为150 nm×150nm的四方柱状C轴取向的单晶畴紧密排列而成,并且具有陡峭的界面结构.棱镜耦合技术测量表明,激光可以被耦合到LiNbO3薄膜中,形成TE和TM模式的光波导.此外,对于LiNbO3薄膜在非晶过渡层上择优取向生长的物理机制和薄膜基底效应进行了初步探讨,提出其生长机制很可能符合光滑晶面上三维岛状成核生长的Volmer模式. 相似文献
84.
硅压阻式传感器与AD7705芯片在压力测量中的应用 总被引:2,自引:0,他引:2
介绍一种新型测量压力的元件——硅半导体压阻式传感器,并以MPX2100压阻式传感器为例,配合AD7705芯片构成压力测量系统,阐述压力测量系统的工作原理,说明系统的软、硬件设计方法. 相似文献
85.
86.
合成了硅钨三乙醇胺盐和磷钨酸三乙醇胺盐,并以它们为催化剂,合成了乳酸正丁酯。并对硅钨酸三乙醇胺盐催化合成乳酸正丁的工艺条件进行了研究。该催化剂易回收,可重复使用5次以上。 相似文献
87.
硅对汞毒害玉米幼苗生长的缓解作用初探 总被引:1,自引:0,他引:1
研究表明,在幼苗生长阶段,较高浓度的汞能使玉米苗叶绿素含量、光合强度、根系活力、硝酸还原酶活力和水分利用率降低,而叶片蒸腾强度升高.培养液中加硅能使上述生理指标的变化明显减轻,说明硅在一定程度上起到缓解汞对玉米的毒害作用. 相似文献
88.
89.
用溶胶-凝胶法制备符合SrAl2O4:Eu^2 ,Dy^3 化学组成的溶胶,通过水热反应组装后还原的多孔硅主客体材料的荧光光谱发生显蓝移,并出现一个新的400~450nm的余辉发射峰,分析其原因主要是发光材料进入了多孔硅的纳米孔洞,二价铕离子周围的环境变化和发光材料受到了量子尺寸效应产生的。 相似文献
90.
PLGA组织工程支架的构建及降解行为研究 总被引:12,自引:0,他引:12
用本体开环聚合方式合成不同摩尔比的PLGA(n(dl-LA)n(GA)分别为85/15,75/25,65/35,55/45)共聚物。^H NMR和溶解试验结果表明,共聚物各链段呈无规分布,GA序列长度在1.3-1.8之间。通过溶液浇铸造-低热模压-粒子沥滤技术构建了高度多孔的PLGA组织工程支架,考察了它们在Na2HPO4-NaH2PO4缓冲溶液中的降解行为。结果表明:随着水解的进行,PLGA的特性粘度及构建的多孔支架的压缩强度迅速下降,共聚物中GA组分含量赵大,下降的速度越快,与之对应的多孔支架的多孔结构形态保持时间也随共聚物中GA组合分含量增加而下降,分别为8周(n(dl-LA)/n(GA)分别为85/15和75/25)、4周(n(dl-LA)/n(GA)为65/35)和2周(n(dl-LA)/n(GA)为55/45);但质量损失速率比[η下降速度慢得多,多孔支架的降解速率慢于薄膜的降解速率。 相似文献