晶化时间对微晶玻璃结构与性能的影响

通过测试不同晶化时间条件下热处理后微晶玻璃收缩率、体密度的变化 ,研究晶化时间对微晶玻璃热处理时表观性能的影响 .采用X射线衍射、环境扫描电镜对不同晶化时间下微晶玻璃中晶相和晶相显微形貌的变化进行分析探讨 .     

取代苯磺酰氧基膦酸酯的合成

采用取代磺酰氯与α-羟基膦酸酯的缩合反应，在取代苯磺酰氧基烃基膦酸酯α位的亚甲基上引入具有较大体积的取代苯基，合成了9个未见文献报道的化合物，其结构用IR、^1H NMR和MS进行了表征。探讨了合成此类化合物的反应条件。初步生测实验表明，所合成的目标化合物均表现出一定的除草活性，进一步的生物活性筛选正在进行。     

从噻吩合成3-(3-噻吩酮)噻吩

以噻吩作为起始化合物，经溴化、去α—溴、卤素—有机金属锂置换、酰化、羟基加成、氧化等6步反应，制备得到3—(3—噻吩酮)噻吩，总产率20％。3—(3—噻吩酮)噻吩是合成低能隙聚合材料聚合双噻吩芴酮PCDT、氰PCDM的重要原料。     

取代芳烃化合物电子结构与其对发光菌毒性关系的研究

应用量子化学半经验的MNDO方法计算了40个取代芳烃化合物的电子结构，探讨了化合物电子结构与其对发光菌毒性的关系．结果表明：(1)当化合物的分子极化度P、分子体积V、疏水参数logP较大时具有较大的水溶性和脂溶性，因而化合物的毒性较大；(2)当最高占据轨道(HOMO)能级和最低空轨道(LUMO)能级较低时，化合物容易接受电子具有较大的氧化性，取代芳烃的毒性也随之增大；(3)取代基的吸电子能力越强，吸电子基个数越多，苯环的正电性越大，化合物的毒性越大．得到的QSAR方程为：-logEC50=-2．230 O．202P-0．366EHOMO，据此可预测取代芳烃化合物对发光细菌的毒性．     

幺半群中亚同余概念及幺半群的一分类定理

将群中模H左（右）同余概念及有关理论推广到么半群上，给出么半群中模H左（右）亚同余、亚同余概念及么半群的一个分类定理。     

幺半群中亚同余概念及幺半群后分类定理

将群中模Ｈ左（右）同余概念及有关理论推广到幺半群上，给出了幺半群中模Ｈ左（右）亚同余，亚同余概念及幺半群的一个分类定理。     

纳米软磁合金薄带的巨磁致阻抗效应

自从在CoFeSiB非晶丝(带)及FeCuNbSiB的纳米晶丝(薄膜)材料中发现巨磁致阻抗效应以来,GMI效应在实际运用中有广阔的前景,而且在理论上探讨GMI的起因也是非常有意义的,所以受到普遍的关注。非晶(纳米晶)软磁合金具有高的磁导率,在一定频率的交流驱动电流作用下,外加直流磁场阻碍了交流电流所感生的磁通量的变化,从而降低磁导率,提高趋肤深度,降低了交流阻抗,引起效应。及非晶薄带在不同的温度下热处理可以形成纳米级软磁合金,降低各向异性常数和磁致伸缩系数,提高磁导率,有利于GMI效应的出现。本文对以上三类材料进行不同温度下的热处理,研究GMI效应随外加磁场及驱动电流频率(f)的变化关系,并探讨GMI的来源。定义。     

C^r映射芽的γ阶导网的v—充分性

本文给出了Ｃ＾ｒ映射芽的γ阶导网是ｖ充分性的充分条件，推广了（１）中的结果：给出了拟齐次多项式是ｖ充分的充分条件。     

Mg^＋,Nb^＋离子注入对SnO2薄膜晶粒热稳定性的影响

采用Ａｒ＾＋离子溅射方法将３００ｎｍ ＳｎＯ２薄膜沉积在Ｓｉ片上，分别对膜层进行６０ｋｅＶ，５×１０＾１６ｃｍ＾－２Ｍｇ＾＋离子注入和１００ｋｄＶ，６×１０＾１６ｃｍ＾－１Ｎｂ＾＋离子注入，对未注入，Ｍｇ＾＋离子注入，Ｎｂ＾＋离子注入３种薄膜进行５００℃，４ｈ退火处理．     

外电场对PbTiO_3纳米晶表面光电特性的影响

研究了1000℃（1#）和450℃（2#）条件下烧结的PbTiO纳米晶，在外电场处理前后的表面光电特性．结果表明，外电场的处理对PbTiO3纳米晶表面光电特性的影响具有明显的尺寸效应：经外电场处理后1#PbTiO3纳米晶表面光优响应没有变化；2#PbTiO3纳米晶变化明显．