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31.
<正>玻璃掺杂半导体量子点材料表现出明显的量子限域作用和三阶非线性光学效应,它在制造全光学集成元件的应用前景越来越受到人们的重视。在这类材料的研究中一个很重要的问题就是:材料在具有大的非线性效应的同时还应具有合适的线性和非线性吸收。因为材料的非线性优值不但与非线性系数(χ3或n2)成正比,而且与吸收系数成反比。但目前非线性系数比较大的一类直接能隙半导体具有确定的吸收边,例如CdS和ZnS的吸收边分别为2.42和3.8 eV,这就决定了它们的吸收特性的可调性很小。尽管可以通过量子尺寸效应改变其吸收边,但这种改变也是很有限的。从应用的角度来看,希望材料的吸收边能够根据需要而调整。 相似文献
32.
量子级联激光器(QCL)是一种基于子带间电子跃迁的中红外波段单极激光光源,其工作原理与通常的半导体激光器截然不同,它利用垂直于纳米级厚度的半导体异质结薄层内由量子限制效应引起的分离电子态,在这些激发态之间产生粒子数反转。该激光器有源区是由耦合量子阱多级串接组成(通 相似文献
33.
34.
多势垒结构中的共振能量和量子能级的差异分析 总被引:2,自引:2,他引:0
利用Chebyshev多项式和传输矩阵方法解析推导出多量子阱(MQW)系统的束缚电子级公式,并定量分析了多势垒结构中的共振能量和相应MQW系统量子能级的差异。 相似文献
35.
ASM2000半导体外延设备,作为世界上硅外延材料领域的主流设备,在硅片传递过程中,以“正面、非接触式”模式,可较好地避免硅片表面缺陷的产生。在这种传递模式下,偶有硅片掉落现象发生,故障产生原因较多,造成问题处理效率低下、复机验证流程繁琐等现象。为提高机械手装取片故障处理的效率及成功率,文章将从硅片传递的工作原理开始分析,总结导致硅片掉落的可能原因,以供故障排查所用。 相似文献
36.
37.
强受限半导体量子点的形状对受限激子的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
在有效质量近似下,采用无限深势阱模型研究了强受限范围内球形、圆柱形、立方形半导体量子点的形状对受限激子的影响。结果表明对于采用体激子的等效Rydberg能量R^*比较大的材料制备的量子点,其形状带来的影响是显著的。 相似文献
38.
TiO2制备条件对光催化氧化活性的影响 总被引:14,自引:2,他引:12
半导体光催化剂,如TiO2,在紫外光照射下,生成具有强氧化还原活性的电子和空穴,可使许多有机物降解为CO2和H2O,用于处理工业废水具有成本低,无二次污染等优点,是一种很有应用前景的废水催理方法[1,2].制备高活性的TiO2光催化剂是这种过程在处理... 相似文献
39.
詹益增 《华南理工大学学报(自然科学版)》1998,26(4):72-76
提出了一种利用隧道窑热处理方式降低PTC陶瓷发热体电阻值的新方法.这种方法不仅能降低电阻值而且还能提高PTC陶瓷的主要电性能;同时还讨论了热处理条件对电性能的影响. 相似文献
40.
用XeCl准分子激光器对a-Si:H薄膜进行了低能量密度下的辐照处理,测量了激光辐照区内薄膜的电导率随能量密度与脉冲数的变化。研究表明,能量密度在75mJ/cm^2附近的激光辐照可导致膜的电导率大幅度升高,这种电导率异常是膜表层形成了nmSi晶粒分散于a-Si:H基底中的混合相的反映。 相似文献