Fe—Ni—P合金及其金属陶瓷复合镀层的微观结构

利用Ｘ射线衍射技术对Ｆｅ－Ｎｉ－Ｐ合金以及Ｆｅ－Ｎｉ－Ｐ－Ｓｉ３Ｎ４复合镀层的晶体结构进行了分析，同时利用“单峰傅氏分析法”对镀层的“微晶尺寸”和“晶格畸变”进行了定量分析，并且讨论了部分工艺参数对镀层的微观结构的影响。     

软钢及转变态材料中的解理断裂

本文通过力学性能试验、微观观察和理论分析,揭示了碳化物开裂机制也在细晶粒铁素体材料的解理断裂过程中起作用,在上贝氏体钢中,解理断裂的破面单元尺寸是板条束尺寸的3～4倍;还发现在零下196℃下解理断裂应力与屈服应力之间存在良好的线性关系。     

硅上液晶微型显示器发展史综述

分析集成硅上液晶（LCoS)模型显示器的两门先进技术，即半导体技术和LCD技术的发展历史。认为LCoS是集半导体技术和LCD技术而成的高新技术。LCoS的出现有赖于这两项技术的发展。反过来LCoS又促进这两项技术的发展，LCoS在微显示器系统中有巨大的应用前景，具有相当大的潜在市场。     

PSZ/W系复合材料的组织和机械性能

通过添加微量金属Ni在较低的温度下制备了PSZ/W系复合材料烧结体 ,并用XRD和光学显微镜对其组织结构进行了研究。结果表明 ,由于复合材料中含有 0 .2 %wt的Ni,在 14 0 0℃常压烧结 3h ,可制备相对密度高于 95 %的致密的PSZ/W系复合材料 ,该系复合材料的组织随含W量的提高呈规律性变化。对复合材料弯曲强度和硬度研究结果表明 ,上述力学性能对组织和致密度具有很强的依存性。     

纳米光电材料研究简介

综述了光电材料的研究现状和应用前景，介绍了光电材料的分类和光电转化原理，并且着重阐述了纳米光电材料的性质特点、制备方法以及表面修饰。最后，对其表征方法做了简要介绍。     

GaP_(1-x)N_x混晶(x=0.24%～3.1%)发光复合机制的研究

利用变温光致发光(PL)谱研究了一系列GaP1-xNx混晶的发光复合机制.GaP1-xNx混晶的PL谱从低组分的NN对束缚激子及其声子伴线到高组分杂质带发光的特征,表现出明显的带隙降低的趋势.测量结果显示,在组分x≥0.24%的样品的发光谱中NN1能量之下已经开始出现几个新的束缚态,在低组分的混晶中,只存在一种激活能,仍然保持有束缚激子的特征;而在高组分样品(x≥0.81%)中存在两种激活能.高组分样品一方面仍保留有束缚激子的特征,另一方面也表现出新的发光机制.     

影响超快光电导开关关断特性的主次因素

超快光电半导体开关的最大重复工作频率由关断特性决定，而影响关断特性的因素很多。基于超快光电半导体开关的大量实验，分析了影响关断特性的主要因素和次要因素，认为关断特性主要取决于载流子的寿命、载流子的漂移速度、深能级陷阱作用，其中，载流子寿命是最重要的因素。触发光参数及光电耦合关系、电极工艺、电路参数对关断特性有一定影响。     

等温处理过程热轧TRlP钢残余奥氏体的分解行为

以低Si含Al热轧TRIP钢为研究对象,采用扫描电子显微镜、透射电子显微镜、X射线衍射仪和拉伸实验等实验方法,研究了贝氏体区等温处理过程中残余奥氏体的分解行为.结果表明:在不同的等温温度下,随着等温时间的增加,残余奥氏体逐渐分解为铁素体和碳化物,随着等温温度的升高,残余奥氏体发生分解所需要的时间减少;实验钢的抗拉强度、断后延伸率和强塑积在不同的等温温度下,随着等温时间的增加呈现不断降低的变化趋势;在不同的等温处理工艺下,残余奥氏体的体积分数呈现降低的趋势,而碳含量没有明显的变化.     

退火温度对5A06挤压型材组织及性能的影响

通过对型材微观组织的观察及维氏硬度、晶间腐蚀和剥落腐蚀等的测试,研究了退火温度对5A06挤压型材组织及性能的影响。结果表明,随着退火温度的升高,晶粒发生了回复、再结晶和晶粒长大三个阶段。当退火温度达到175 ℃时,型材发生低温回复,硬度变化不大,耐蚀性较差;在225～325 ℃退火,型材发生完全再结晶,硬度变化较明显,耐蚀性得到改善;当退火温度高于325 ℃时,晶粒长大,硬度略降低,耐蚀性变差。结合5A06挤压型材组织及性能研究可知,确定退火温度为225～325 ℃。