GaP1-χNχ混晶（χ-0．24％～3．1％）发光复合机制的研究

利用变温光致发光(PL)谱研究了一系列GaP1-χNχ混晶的发光复合机制．GaP1-χNχ混晶的PL谱从低组分的NN对束缚激子及其声子伴线到高组分杂质带发光的特征，表现出明显的带隙降低的趋势．测量结果显示，在组分χ≥0．24％的样品的发光谱中NN1能量之下已经开始出现几个新的束缚态，在低组分的混晶中，只存在一种激活能，仍然保持有束缚激子的特征；而在高组分样品(χ≥0．81％)中存在两种激活能．高组分样品一方面仍保留有束缚激子的特征．另一方面也表现出新的发光机制．     

GaP_(1-x)N_x混晶(x=0.24%～3.1%)发光复合机制的研究

利用变温光致发光(PL)谱研究了一系列GaP1-xNx混晶的发光复合机制.GaP1-xNx混晶的PL谱从低组分的NN对束缚激子及其声子伴线到高组分杂质带发光的特征,表现出明显的带隙降低的趋势.测量结果显示,在组分x≥0.24%的样品的发光谱中NN1能量之下已经开始出现几个新的束缚态,在低组分的混晶中,只存在一种激活能,仍然保持有束缚激子的特征;而在高组分样品(x≥0.81%)中存在两种激活能.高组分样品一方面仍保留有束缚激子的特征,另一方面也表现出新的发光机制.     

新型超硬材料氮化碳CNx的离子束合成的研究

报道了利用１００ｋｅＶ高剂量Ｎ＾＋在不同的温度条件下注入Ｃ膜合成新型超硬材料β－Ｃ３Ｎ４的新结果。对这种新材料进行了Ｘ射线光电子能谱、Ｆｏｕｒｉｅｒ变换红外光谱、Ｒａｍａｎ我谱、剖面透射电子显微镜、Ｒｕｔｈｅｒｆｏｒｄ背散射谱、Ｘ射线衍射及Ｖｉｃｋｅｒｓ显微硬度等测量。     

氮离子注入金刚石薄膜的研究

采用Ｒａｍａｎ光谱，四探针法，Ｘ射线衍射（ＸＲＤ），Ｒｕｔｈｅｒｆｏｒｄ背散射谱，Ｆｏｕｒｉｅｒ变换红外吸收光谱（ＦＴＩＲ）和Ｘ射线光电子能谱等手段研究了不同能量不同剂量的Ｎ＾＋注入对ＣＶＤ金刚石膜的结构和电学性质的影响。     

GaP1-xNx混晶(x=O.2 4%～3.1%)发光复合机制的研究

利用变温光致发光(PL)谱研究了一系列GaP1-xNx混晶的发光复合机制.GaP1-xNx混晶的PL谱从低组分的NN对束缚激子及其声子伴线到高组分杂质带发光的特征,表现出明显的带隙降低的趋势.测量结果显示,在组分x≥0.24%的样品的发光谱中NN1能量之下已经开始出现几个新的束缚态,在低组分的混晶中,只存在一种激活能,仍然保持有束缚激子的特征;而在高组分样品(x≥0.81%)中存在两种激活能.高组分样品一方面仍保留有束缚激子的特征,另一方面也表现出新的发光机制.