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71.
用热丝法研究了WC-6%Co硬质合金刀片金刚石薄膜涂层附着力。结果表明:采用温度为80℃,(HCl:HNO3:H2O)(体积比)为1∶1∶1溶液对硬质合金刀片表面去Co15min后,经40um金刚石粉及1.5um金刚石加20umTaC混合粉进行超声预处理,结果表明,沉积的金刚石薄膜与硬质合金刀片基底具有良好的附着力,而经40um金刚石粉处理的薄膜涂层组织与附着力要好一些。 相似文献
72.
阐述了一种处延沉积化合物半导体的新方法-电化学原子层外延(ECALE)并对其基础欠电势沉积(UPD)进行了讨论,着重研究了Ⅱ,Ⅳ族元素Cd,Te的电化学欠电势沉积,根据电化学循环伏安曲线,研究了Te和Cd在Si-Au(111)基片上以及交替生长过程中UPD沉积电位及相应覆盖度值,由此确定了在Si-Au(111)衬底上交替沉积Te,Cd原子层的方法,在此基础上,初步进行了多次交替沉积,并用AFM与A 相似文献
73.
研究了Ti(CN)薄膜内氧的作用,研究结果表明,Ti(CN)薄膜内加入氧后可以消除薄膜的柱状晶结构,薄膜的断面呈致密的纤维状组织。随着反应气体中空气或CO2气体流量的增加,Ti(CNO)薄膜的硬度呈上升趋势,并在空气的流量为40mL.min^-1或CO2的流量为15mL.min^-1时,薄膜的硬度达到最大值。 相似文献
74.
系统地给出了C60在固态薄膜及不同有机溶液形态下的常规吸收光谱和三同商吸收光谱,确定了各相关光学跃迁能量,并通过对可见区电子--振动光谱结构的指认分析,给出了有机溶液形态下C60的能隙,基于Maxwell-Garnett有效介质模型理论,由不同有机溶剂形态下C60电子态能级结构参数外推获得了C60孤立分子的本征电子态能级结构参数,从而为详细了解和研究C60分子不同形态下电子态结构的变化提供了较完整 相似文献
75.
理论分析了磁光薄膜垂直不均匀静磁场对静磁波以及导波光衍射效率的影响,并以抛物线分布的不均匀磁场为例对Bi:YIG薄膜波导进行了计算,计算表明,在适当分布的不均匀场作用下,与均匀磁场情形相比,波导中传播的静磁波振幅以及导波光的衍射效率都有显著增加。 相似文献
76.
利用射频(RF)磁控共溅射技术,以光学石英玻璃为基片,在不同基片温度下制备了系列GaAs/SiO2半导体纳米颗粒镶嵌薄膜样品,采用岛津光谱仪,对薄膜在200至2000nm波段范围内透射光谱进行了测量。结果表明,与GaAs夫体材料相比,薄膜样品吸收边发生明显的蓝移;且随着基片温度的降低,蓝移量增大,而当基片温度达到300℃时,光谱中出现了明显的吸收峰,量子限域效应是导致结果的主要原因。 相似文献
77.
以SrS∶Ce和ZnS的混晶为原料用电子束蒸发的方法制备了蓝色SrS∶Ce薄膜电致发光(TFEL)器件,研究了新法制备的SrS∶Ce膜的光致发光(PL)性能和它的电致发光(EL)器件的电致发光性能,并与直接用SrS∶Ce粉末制备的薄膜和器材的性能进行了对比.结果表明混晶法制备的薄膜电致发光器件的亮度和效率比直接法制备的器件要高得多,且ZnS的引入弥补了在SrS∶Ce薄膜S的不足,避免了直接用SrS∶Ce材料蒸发而采用的共S蒸发方法中S气氛对环境的污染. 相似文献
78.
双层结构8—羟基喹啉铝电致发光的有效载流子形成过程 总被引:2,自引:0,他引:2
报道了分子掺杂聚合物作为空穴传输层、8-羟基喹啉铝作为发光层的有机分子/聚合物双层结构的电致发光。着重指出在稳定发光之前有一个有效载流子形成过程。 相似文献
79.
谢茂浓 《四川大学学报(自然科学版)》1998,35(3):372-377
利用2MV电子静电加速器,研究了热氧化工艺与SiO2-Si结构的电子辐射效应和辐射损伤机制。结果表明,高能电子辐照SiO2-Si结构引起的MOS电容平带电压漂移ΔVfb与SiO2膜厚dox^2成正比。由P型硅为衬底或掺氯氧化的SiO2-Si结构对电子辐射较敏感;而由磷处理或干N2热退火的SiO2-Si结构能有效地降低对电子辐射的敏感性。 相似文献
80.
KTiOAsO4(KTA)晶体是一种新型的性能优良的铁电晶体,它的电光效应和非线性光学效应尤为突出,使得它在光电子技术及非线性光学领域有一系列重要应用[1].KTA与另一种已知的性能出众的非线性光学材料KTiOPO4(KTP)相比,具有更高的非线性光... 相似文献