聚苯撑乙烯有机半导体光电过程研究综述

聚苯撑乙烯有机半导体光电过程是当今显示器件领域的研究热点，越来越多的研究人员致力于开发高性能的发光材料和研制高效率的器件结构，本就聚苯撑乙烯有机半导体光电过程的研究现状作了详细阐述。     

课件制作发展方向的初步探讨

简要介绍了计算机辅助教学课件的类型和课件制作的发展方向,探讨了开发、制作优良课件需解决好的几个主要问题。     

p—GaP欧姆接触的特性及其冶金性质

本文研究了用Au-Be合金材料制备p-GaP欧姆接触电极的最佳条件.报道了接触电阻、L-V特性以及用SEM观察电极表面形貌的实验结果,并对获得较低接触电阻的电极有关冶金性质进行了分析.进而,改进了在p-GaP外延层制备欧姆电极的工艺技术,在540℃-560℃温度范围内制得多批I-V特性好、大约1×10~3Ω·cm~2低接触电阻的发光二极管.     

N 沟硅栅集成开关电容滤波器设计分析

本文给出了低通、带通、带阻型 MOS 开关电容滤波器单片 IC 电路设计方法。并用通用电路分析程序进行了模拟分析。本文还提出了一种新型双层多晶 N 沟硅栅 E/DMOS 工艺,它能使电路设计有很大灵活性和高集成度。测试结果表明这种电路具有输出电压幅度大(≥14V_(?))、通带平坦、纹波小(≤0.1～0.2dB)、动态范围大(≥75dB)之特点。     

三环喹唑啉及其衍生物的电荷传输性质研究

使用电荷传输的半经典模型Marcus和密度泛函理论(DFT)方法,在B3LYP/631G**水平上对三环喹唑啉及其衍生物分子的电荷传输性质进行理论研究.结果显示,硫甲基取代分子的空穴传输和电子传输速率常数相当,速率常数为1.77×1012 s-1,预示可设计成空穴传输和电子传输材料.羟基取代、烷氧基取代、巯基取代分子的空穴传输载流子迁移率μ+与速率常数k+,比苯并菲(TOH)和六氮杂苯并菲(HATOH)液晶分子约大1个数量级,比其电子传输大近2个数量级,显示选择三环喹唑啉为刚性中心核合成盘状液晶半导体材料     

四（2’-己基）-Δ7,7′-双环戊[1,2-b:4,3-b’]并二噻吩的合成、表征及晶体结构

以2-己基噻吩为起始原料,经溴代、溴迁移、氯化铜氧化偶联、羰基化、成烯偶联制备了四(2’-己基)-Δ7,7′-双环戊[1,2-b:4,3-b’]并二噻吩(1),总产率为18.1%.产物通过了核磁共振、高分辨质谱、红外光谱的表征.X-射线单晶衍射分析确定了该化合物分子的晶体属于三斜晶系,P-1空间群,晶胞尺寸:a=0.8464(5)nm,b=0.9131(5)nm,c=1.3963(9)nm,α=89.873(11)°,β=84.604(10)°,γ=62.711(9)°.该化合物分子是平面型的大π键共轭分子结构.     

飞秒激光在蓝宝石晶体表面加工微细结构的实验研究

由于蓝宝石晶体具有很高的硬度和耐磨蚀性,很难进行机械和化学腐蚀加工。笔者利用波长780 nm、频率1 kHz和脉冲宽度164 fs的飞秒脉冲激光在蓝宝石晶体表面进行了微细结构加工的实验研究。采用飞秒激光静态照射蓝宝石晶体表面,通过飞秒激光烧蚀孔的直径和脉冲能量的关系,计算了飞秒激光烧蚀蓝宝石晶体的两种烧蚀状态下的烧蚀阈值和有效烧蚀半径。通过直线扫描实验,在不同实验条件下在蓝宝石晶体表面加工微槽,获得微槽的宽度和深度与飞秒激光主要参数之间的关系。研究结果表明,微槽的加工表面可通过增加扫描次数而得到明显的提高,且扫描次数的增加对微槽的宽度和深度基本无影响。利用聚焦的飞秒激光束沿着轨迹扫描,在蓝宝石晶体表面加工出比较清洁的微小结构,可以为实现微结构的精密加工提供指导。     

卫星激光通信技术与展望

卫星激光通信是解决星间通信“瓶颈”的最佳方法,本文研究了卫星激光通信的现状和关键技术,并给出了其发展的趋势。     

黄昆先生的科学贡献及其开创的学术传统

 通过对历史文献的耙梳，介绍了黄昆学术成长的历程，回顾了黄昆在固体物理方面的杰出成就，探讨了其创办第一个半导体专业化、建立半导体物理研究基地、形成独特的学术传统等，为发展新中国半导体事业作出的贡献。     

分子水氧化催化剂及其光电催化分解水研究进展

 总结了近年来基于不同第一过渡系列金属的分子水氧化催化剂，包括贵金属分子水氧化催化剂和非金属分子水氧化催化剂；以及常用的氧化物半导体电极材料，例如α-Fe₂O₃、WO₃和BiVO₄等。概述了目前分子水氧化催化剂在电极表面的负载方式，包括物理吸附方式、共价键结合方式、分子催化剂修饰吸附基团方式、静电作用和π-π堆积作用等。提出构建高效稳定的光致水分解分子器件需要解决的问题，从而实现利用太阳能大规模裂解水制备清洁能源的设想。