MEMS技术的现状与应用

微机电系统(MEMS)技术是一门新兴的技术,它把信息系统的微型化、多功能化、智能化和可靠性水平提高到新的高度。近年来,对MEMS的技术发展、加工工艺及其产业化的研究已被越来越多的人所重视。介绍了MEMS的特点、特征、技术发展趋势,MEMS器件的类型及其功能,并以多层弯曲磁芯结构微执行器为例介绍了磁驱动微执行器工作原理与制作工艺过程。     

中国芯片发展状况

系统地总结和介绍了我国计算机芯片的发展现状．以及产品的开发研制情况，大致包括以下几个主要产品：星光、方舟、汉芯、众志、神芯、龙芯等系列芯片。     

上转换材料纳米颗粒的制备及其性能表征

讲述利用Triton X-100/正己醇/环己烷/正己烷/水制成W/O微乳反胶团体系制备尺寸和形貌可控的Gd2O3Yb,Er和Y2O3Yb,Er上转换材料并对其性能进行研究和表征.利用扫描电镜观察氧化物粉体两种颗粒形貌均为球形;X射线结果显示两种氧化物粉体均为立方相;改变Yb和Er的比例,在980nm的红外光激发下,观察研究氧化物颗粒的发光性质.     

甲基丙烯酸甲酯可聚合微乳液体系的研究

分别采用电导率仪、粘度计和折射仪测定了不同类型微乳液的结构变化.结果表明,在固定甲基丙烯酸甲酯(MMA)/丙烯酸(AA)混合单体量的情况下,随着水相含量的增加,体系的电导率、粘度和折射率发生明显变化,体系由反相微乳液经双连续型微乳液逐渐转变为正相微乳液.对微乳液的粒度分析表明,油相含量较低时,正相微乳液体系中的液滴可视作溶胀胶束;在反相微乳液中,随着十二烷基硫酸钠水溶液含量的增加,水相液滴粒径明显增大;在MMA/AA/H2O无皂反相微乳液体系中,微乳液的粒子比有皂体系的大.最后,微乳液聚合表明过硫酸钾能够稳定引发正相微乳液聚合,同时Mn3+也可用于引发正相微乳液聚合.     

高强高导Cu-Cr-Zr系合金的研究现状

从合金成分设计、析出相结构和制备技术三方面综述了高强高导Cu-Cr-Zr系合金的研究现状.在分析多种元素对合金强度影响的基础上,重点讨论了稀土元素的作用,适量稀土的加入能同时提高合金的硬度和电导率.Cu-Cr-Zr系合金的析出相主要是Cr和CuxZr（x=3,4,5）相,且合金在470 ℃时效4h形成有序的原子排列,其化合物类型为CrCu2（Zr,Mg）.固溶形变时效强化技术和快速凝固技术与常规固溶时效处理相比都能大大提高合金的综合性能.该类合金今后应向多元微合金化方向发展,尚待解决的主要问题是Zr、稀土等易烧损元素的熔炼较难控制.     

IMI及其微生物转化产物5-hydroxy IMI的HPLC分析

研究了烟碱类杀虫剂IMI及其微生物转化产物5-hydroxy IMI的反相高效液相色谱分析方法．采用Zorbox OSD反相柱，水和乙腈（75：25）（v／v）为流动相，流速为1mL／min，检测波长为269nm，IMI和5-hydroxy IMI得到较优分离．在0．5～50mg／L的浓度范围内，两种物质的色谱峰面积和浓度之间呈线性关系，IMI和5-hydroxy IMI的标准工作曲线分别为y=112．23x-1．7775和y=98．039x-17．508；相关系数为0．9999和0．9997．转化产物的样品中IMI和5-hydroxy IMI添加的回收率分别为99．3％和97．4％．     

膜分离技术在生化产品制备中的应用

综述了超滤、纳滤和微滤等几种膜分离技术在生化产品分离纯化中的应用现状，以及膜分离技术应用于生化产品制备现存的问题。膜分离技术是一项新兴的物质分离浓缩技术，分离纯化生化产品效果较好，选用更佳的膜材料以及多种膜分离技术连用是其今后的发展方向。     

基于FPGA的数字通信系统同步电路设计

在MAXPLUSⅡ平台上采用图形设计和VHDL硬件描述语言设计方式，设计了数字通信系统的位同步电路和帧同步电路，编译仿真后下载到一片FPGA芯片上，形成在线可编程嵌入式系统。整个电路集成在一片FPGA芯片上，不仅集成度高、功耗小、可靠性好、调试维护方便，而且形成了自己的技术内核。     

微透析-毛细管电泳联用研究盐酸雷尼替丁在家兔血液中的代谢过程

将毛细管区带电泳(CZE)与微透析采样技术联用,研究了盐酸雷尼替丁在家兔血液中的代谢过程.首先研究了毛细管电泳的pH值、缓冲液浓度、分离电压、进样时间等电泳条件对盐酸雷尼替丁与法莫替丁分离的影响.结果采用pH6.2磷酸缓冲液,分离电压为10kV,进样压力2758Pa,4s的条件,能够使盐酸雷尼替丁与法莫替丁达到基线分离,据此以法莫替丁为内标建立了一种测定盐酸雷尼替丁的方法,峰面积比与相应的盐酸雷尼替丁浓度在1.5×10-7g·mL-1～8.0×10-6g·mL-1范围内成线性关系(r=0.998),最低检测限9.0×10-8g·mL-1.药物代谢动力学参数由“NDST21”计算软件求得,代谢符合一室开放模型,其半衰期为89.8min.     

二维DCT算法的高速芯片设计

介绍了一种基于行列变换快速算法的高速DCT处理芯片的设计，并详细阐述了实现这一算法的电路结构．为了提高芯片的处理速度，电路中采用了流水线结构和双RAM转置存储技术，并给出FPGA实现和Verilog综合结果．综合结果显示，该芯片最高可以工作在140MHz的时钟频率上，非常适合于各种视频图像压缩方面的实时应用．