单片机在互溶温度测定仪中的应用

1　概述互溶温度是指原料油与溶剂按一定比例混合 ,加热并不断搅拌混合物 ,当达到一定温度时 ,原料油与溶剂互溶为一相 ,此时的最低温度即为互溶温度 ,互溶温度是溶剂精制装置最重要的控制指标之一 ,用它来控制萃取塔的温度 ,该指标控制的好坏 ,直接影响到精制油质量及收率。油剂互溶过程为一物理过程 ,由于原料油与溶剂在同一波长下其透光率不同 ,当油剂互溶时 ,透光率稳定在某一数值 ,此时混合物的温度即为互溶温度。根据这一原理设计了互溶温度测定仪。总体结构框图如图 1所示。图 1　总体结构框图样品预热器 :作用是将冷凝的油样预热到一定温度。由金属浴、加热棒、温度继电器、及其外壳等组成。进样系统 :主要完成进样工作 ,由进样器、进样漏斗组成。分析器系统 :分析器是仪表的核心部件 ,完成油样的加热、搅拌、检测、测温等功能。主要由分析器主体、排油电磁阀、以及伴热器件 (以防止油品凝固 )组成。分析器主体由金属浴 (杯体 )、搅拌系统、加热系统、测温铂电阻、光路系统、组成光路的石英玻璃以及保温外壳等组成。其加热 ,搅拌由单片机进行控制。仪表的光路系统比较简单 ,主要完成样品状态的检测。由发光二极管及光敏三极管组成。发光二极...     

耗散KdV方程的小波近似惯性流形及数值分析

利用田立新提出的小波近似惯性流形 ,将小波分析与无穷维动力系统相结合研究一类非线性孤立波方程 -耗散KdV方程的长期动力学行为 ,在已得到该类方程存在小波近似惯性流形及利用无穷维动力系统作更精确的误差估计的基础上 ,笔者用L2 (R)中Perrier -Bas devant样条周期小波基做小波分析 ,用低模态的小波近似惯性流形数值模拟耗散KdV方程的吸引子 数值结果表明 ,小波近似惯性流形方法比Fourier分析方法及小波Galerkin方法更能反映系统的局部动力学行为     

混沌时间序列及其在能源系统中的应用

混沌经济时间序列的预测方法研究是混沌经济非线性动力系统的重要内容，笔者利用混沌动力学原理，通过混沌时间序列的相空间重构，运用局域预测方法，建立了预测模型，并用其确立的混沌动力学模型对1991年至1999年全国能源的生产、消费时间序列进行了预测，而且把此预测结果与实际值进行了比较，结果证明误差较小，同时还将此预测结果与常规方法建立的预测模型的预测结果相比，结果表明混沌时间序列建立的模型其短期预测效果更好。     

大体积混凝土裂缝控制的应力计算与分析

阐述大体积混凝土基础可能出现裂缝的机理及其影响因素 .对温度应力进行了计算、分析 .模拟结构混凝土实测温度下强度抗拉试验 ,从而论证其质量的可靠性     

聚氨酯/苯并(口,恶)嗪互穿聚合物网络的阻尼性能

采用二步法，以部分交联的聚氨酯（PU）为聚合物I，双酚A型苯并恶嗪（BA）的聚合物Ⅱ合成聚氨酯／苯并恶嗪互穿聚合物网络（PU／BA IPN），并应用动态机械热力学分析对产物的阻尼性能进行了研究。结果表明，PU／BA IPN在PU：BA为1．5：1时具有最佳的宽温域的阻尼性能，低的PU联度有利于阻尼性能；适当地延长固化时间可提高体系的阻尼值，但是会使阻尼温度范围变窄。     

高压谐振型DC-DC变换器的调压调频控制方案

为解决高压开关电源高频化过程遇到的变压器分布参数对性能影响的问题 ,采用谐振变换器技术方案 ,通过调整回路参数 ,使变换器工作在谐振状态 ,减少了系统的损耗。建立了包含 Buck变换器、谐振变换器、高压变压器和倍压整流器的直流高压开关电源系统仿真模型。通过仿真 ,分析了谐振变换器工作过程 ,研究了主回路电气参数对谐振变换器的影响。仿真说明谐振变换器工作在感性状态开关损耗较小。实验结果验证了仿真分析的正确性。     

大体积混凝土裂缝控制的应力计算与分析

阐述大体积混凝土基础可能出现裂缝的机理及其影响因素.对温度应力进行了计算、分析.模拟结构混凝土实测温度下强度抗拉试验,从而论证其质量的可靠性.     

营养保健型苦荞酸豆奶的研制

豆类、谷类乳酸发酵的研究近年来屡见报道,而将豆类和苫荞浸出液混合生产发酵食品目前尚未见报道.作为起源于我国的大豆,是人类三大食用作物之一,是植物蛋白质的重要来源.苦荞麦富含蛋白质、淀粉、矿物质、脂肪及维生素等,还含有豆类中缺乏的芦丁.芦丁为黄酮类物质主要成分之一,具有扩张血管和降低血管脆性的作用,对降低血胆固醇,防治心脑血管疾病及高脂血症等方面有较好的效果.本研究将豆浆、苦荞麦心粉浸出液按一定比例混合,加入微生物发酵剂,研制出了苦荞酸豆奶.该产品综合了乳酸菌在人体胃肠中的微生态调节和大豆、苫荞营养互补的优势,是一种营养成分丰富,易于消化吸收,清香爽口的营养保健型食品.……     

In_(1-x)Ga_xAs/InP多量子阱结构的LP-MOVPE生长

本文报导了在低温、低压下,以三甲基镓(TMG)、三乙基铟(TEI)为Ⅲ族源材料,100％砷烷(AsH_3)、100％磷烷(PH_3)为V族源材料,用金属有机化合物气相沉积技术在(100)InP衬底上生长出In_(1-x)Ga_xAs/InP多量子阱结构材料.X光摇摆曲线观测到由于周期性多量子阱结构而产生的多级卫星峰,光致发光测量给出了不同阱宽下由量子阱尺寸效应而导致的PL谱.