应用遗传算法实现配电网的无功规划优化

以配网系统全年电能损耗和无功补偿设备投资之和最小为目标，建立了考虑系统不同运行方式下无功规划的数学模型。采用结合灵敏度分析的改进遗传算法求解数学模型，提出容性和感性无功的补偿规划原则。实例验结果表明，应用该模型和算法可以有效地对配电系统进行无功优化，优化后系统的网损明显降低，节点电压明显提高。     

Turbo译码中SNR的即时估计

Turbo码由于其卓越的前向纠错能力在当今无线通信领域甚至有线通信领域受到了普遍的重视 ,WCDMA以及 CDMA2 0 0 0已经将其作为信道编码的关键技术。它的迭代译码过程需要 SNR的确切信息 ,以此来获得单个译码器输出的后验信息 ,因此主要探索了最终译码性能对 SNR正确性的依赖程度 ,并且提供了一种 SNR的估计方法 ,通过仿真显示出这种估计方法能够提供良好的译码性能。     

Turbo译码中的SNR的即时估计

Turbo码由于其卓越的前向纠错能力在当今无线通信领域甚至有线通信领域受到了普遍的重视，WCDMA以及CDMA2000已经将其作为信道编码的关键技术。它的迭代译码过程需要SNR的确切信息，以此来获得单个译码器输出的后脸信息，因此主要探索了最终译码性能对SNR正确性的依赖程度，并且提供了一种SNR的估计方法，通过仿真显示出这种估计方法能够提供良好的译码性能。     

爆炸荷载下钢筋混凝土T梁的应变与损伤

为了探究在爆炸荷载作用下,钢筋混凝土T梁桥的损伤状况及动态响应规律,制作了钢筋混凝土T梁桥,预先埋入5个压电智能骨料用以监测桥梁模型的损伤状态,在翼板和腹板粘贴6组应变片,测量在爆炸荷载作用下的模型应变值的变化规律,进行对比分析。结果表明,模型翼板上的相同测点位置的横向应变均大于其纵向应变,腹板上的相同测点位置的纵向应变均大于其横向应变;利用智能骨料的主动监测技术,监测结果显示了模型内部的损伤程度。说明压电智能骨料可以对模型在爆炸荷载作用后的损伤程度提供判定依据;应变结果与损伤结果均显示,钢筋混凝土T梁桥的翼板比腹板更容易破坏。     

淘米水发酵物中2种有机酸的测定

采用高效液相色谱法分析测定淘米水发酵液中的有机酸,确定了淘米水发酵液中有机酸分析测定的色谱条件,采用Agilent Zorbax SB-Aq(4.6 mm×150 mm,5μm)色谱柱,流动相为1%甲醇-99%NaH_2PO_4溶液(20 mmol/L,pH=2.0);紫外检测波长210 nm;流速0.4 mL/min;柱温25℃.结果表明,在该条件下淘米水发酵液中的有机酸得到了较好分离,分离检测出乳酸、乙酸2种有机酸.该分析方法简单准确,适用于淘米水发酵液中有机酸的测定分析.     

傣族药皇旧提取物清除活性氧及抗氧化作用研究

利用Fenton反应、光照核黄素产生活性氧自由基·OH、O2,分光光度法研究了傣族药皇旧(旱莲草)提取物体外清除·OH、O2的作用.通过硫代巴比妥分光光度法研究皇旧提取物·OH引起的DNA氧化损伤的保护作用.实验结果表明皇旧提取物能有效清除·OH、O2自由基,对DNA的·OH氧化损伤有显著抑制作用.     

基于工作流驱动的手术临床路径建模及系统架构

针对手术业务流程的复杂性,提出了基于工作流驱动的手术临床路径管理系统,并给出了其整体架构.在一种基于节点和连接的手术临床路径工作流建模方法和路由实现规则的基础上加入了时间约束机制.利用该管理系统的整体架构,对一个案例运行情况进行了说明.     

实验设计与模拟相结合用于IC优化设计的TCAD工具

鉴于PC机广泛普及和使用方便,在PC机上建立起实验设计与模拟相结合用于IC优化设计的TCAD工具。利用已有的工艺模拟软件SUPREM、器件模拟软件MINIMOS及电路模拟软件PSPICE,完成了响应表面拟合、SPICE模型参数提取及数据转换等程序,形成一个可以进行工艺、器件及电路分析和优化设计的TCAD工具,并用于研究实验设计方法在IC优化设计中的应用。     

宽频段相干信号多维参数联合估计算法

基于非均匀的L型阵列,提出了一种宽频段相干信号频率、二维到达角和极化参数联合估计的算法———JTSS算法。该算法能精确地估计具有相同数字频率的相干信号的多维参数,无需多维谱峰搜索,具有计算量小,参数自动配对的优点。另外,在JTSS算法的基础上,利用阵列的分维特点进一步处理,成功地实现了具有频率兼并现象的宽频段相干信号的多维参数估计。该算法能够并行实现以进一步增强其实时性。计算机仿真结果验证了算法的有效性。     

InGaAs肖特基源漏MOSFET的多子带系综蒙特卡洛模拟

采用基于有效质量近似的多子带、多能谷系综蒙特卡洛方法, 考虑纳米尺度MOSFET沟道二维电子气中实际存在的多种散射机制, 模拟 InGaAs肖特基源漏MOSFET。结果显示, 在稳态下, 散射虽然改变了InGaAs肖特基源漏MOSFET沟道中沟道电势、电子浓度和速度的分布, 但对InGaAs肖特基源漏MOSFET的输出特性和转移特性影响较小; 而在施加阶跃漏端电压时, 散射的存在增加了过冲电流的峰值和转换时间, 降低了器件的截止频率。