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101.
102.
采用实证研究的方法对浙江省12家私营企业员工的组织承诺进行因素分析,证明私营企业员工的组织承诺包含情感承诺、规范承诺、持续承诺、私营企业员工具有较高的情感承诺和规范承诺,但是,持续承诺却比较低。相关分析显示情感承诺,规范承诺与企业的绩效之间有较强的相关性。 相似文献
103.
严重的自热效应和浮体效应是绝缘体上硅(SOI)器件的主要缺点.绝缘体上漏源(DSOI)结构的提出就是为了抑制SOI器件中的这两种效应.为了实现DSOI器件结构并且研究DSOI器件的特性,和SOI器件与体硅器件进行对比,采用新型的局域注氧工艺成功地在同一管芯上制作了DSOI、体硅和SOI 3种结构的器件.通过对3种结构器件的电学特性和热学特性的测量比较,证明了DSOI器件成功地抑制了浮体效应,并且大大降低了自热效应.由于DSOI器件漏、源区下方埋氧层的存在,在消除了SOI器件严重的自热效应和浮体效应的同时,保持了SOI器件相对体硅器件的电学特性优势.DSOI器件成功地结合了SOI器件和体硅器件的优点,并且克服了两者的缺点,是一种很有希望的高速低功耗新器件. 相似文献
104.
离子束动态混合氮化钛薄膜生长及其组分和结构分析 总被引:1,自引:0,他引:1
用电子束蒸发沉积钛和40keV氮离子束轰击同时进行的动态混合方法制备了氮化钛薄膜.RBS组分分析结果表明,离子束动态混合制备的氮化钛薄膜中的氧含量比不用离子束轰击的显著减少,薄膜的组分与离子原子到达比关系不大,主要受长膜过程中吸附效应的影响.随着蒸发沉积速率的提高,膜中氮含量下降,提高样品温度可获得同样效果.采用TEM和XRD对薄膜的结构进行分析测定,发现离子束动态混合制备的氮化钛薄膜主要由面心立方结构的TiN相构成,晶体取向随离子原子到达比(N/Ti)的增加,由<111>择优取向变到无择优的随机取向,然后再转变到<200>择优取向,合成的氮化钛薄膜具有良好的抗磨损性能,划痕试验表明薄膜与基体间结合力极强,临界载荷达10-15kg. 相似文献
105.
随着社会的发展,计算机技术作为现代科学技术的基础与核心,已经对当代社会产生了深远的影响。对于高职的培养技术应用型人才目标,在实际的计算机教学过程中就更应该注意培养学生对新生事物的接受能力、自学、创新、协作和实践能力,适应社会的发展需要。 相似文献
106.
中医证候的多元统计分析及方法研究 总被引:1,自引:0,他引:1
从“高脂血症及动脉粥样硬化痰瘀证候的蛋白质组学研究”的数据出发,研究影响中医证候的各主要因素。对11种可能的标志蛋白质(群)数据进行分析,以统计聚类为主导思想,给出变量聚类和样本数据聚类综合应用的方法,并结合医学角度对变量聚类结果的分析,指导组内和组间两种样本聚类讨论;同时,通过假设检验,从统计理论上对所得分类予以支持。最后得到标志蛋白质群{结合珠蛋白前体,α-胰蛋白酶抑制剂轻链,脂肪细胞脂质结合蛋白异构体3,补体C4}或{纤维蛋白原γ链,α-胰蛋白酶抑制剂轻链,未确定名称的蛋白(ID1485)}。考虑可能是区分高脂血症及动脉粥样硬化痰证和瘀证的标志蛋白质群,从而给出蛋白质水平上对痰证和瘀证判决方法的建议。 相似文献
107.
108.
研究了环酐与苯胺和苯酚的酰胺化及酯化反应, 优化了酰胺化及酯化反应条件. 结果表明, 环酐的分子结构直接影响反应结果, 当酸酐分子存在共轭结构时以N-芳基内酰胺为主要产物. 关键中间体及最终化合物的结构经核磁共振氢谱、 碳谱及红外光谱确证. 相似文献
109.
一种新型混合晶向积累型圆柱体共包围栅互补金属氧化物场效应晶体管 总被引:2,自引:0,他引:2
提出一种新型的工作于积累模式、具有混合晶向的圆柱体共包围栅互补金属氧化物场效应晶体管器件结构. 与目前其他报道的CMOS器件相比, NMOS和PMOS器件沟道具有不同的晶向, 且均有埋层氧化层将其与衬底隔离, 器件结构简单、紧凑, 集成度增加了一倍. 报道了积累型圆柱体全包围栅场效应管器件物理分析、技术仿真结果以及器件制作详细工艺流程. 与其他常规鳍形场效应管器件(FinFET)相比, 由于克服了不对称场的积聚, 如锐角效应导致的漏电, 器件沟道的电完整性得到很大改善. SOI圆柱体全包围栅场效应晶体管在积累工作模式下, 电流流过整个圆柱体, 具备高载流子迁移率, 低低频器件噪声, 并可避免多晶硅栅耗尽及短沟道效应, 增大了器件的阈值电压. 亚10 nm尺寸下, 器件的开/关态电流比值大于106, 表明器件具备良好的性能及进一步按比例缩小的能力. 另外还简单介绍了器件制作工艺流程, 提出的工艺流程具备简单且与常规CMOS工艺流程兼容的特点. 相似文献
110.