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利用射频磁控溅射技术在Si(111)衬底上制备Ga2O3/BN薄膜, 然后在氨气中退火合成了大量的一维GaN纳米线. X射线衍射、选区电子衍射和傅立叶红外吸收光谱的分析结果表明, 制备的GaN纳米线为六方纤锌矿结构. 利用扫描电子显微镜和高分辨透射电子显微镜观察发现, 纳米线具有十分光滑且干净的表面, 其直径为40~160 nm左右, 典型的纳米线长达几十微米. 室温下以300 nm波长的光激发样品表面, 显示出较强的363 nm的紫外光发射和422 nm处的紫光发射. 另外, 简单讨论了GaN纳米线的生长机制. 相似文献
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以低纯度Gd为原料制备Gd5Si1.85Ge2.15合金的磁热效应 总被引:3,自引:0,他引:3
研究了以低纯度蒸馏Gd为原料制备的Gd5Si1.85Ge2.15合金的磁性相变性质和磁热效应. 蒸馏Gd的杂质含量为O: 0.0160% (质量百分数); C: 0.0054% (质量百分数); N: 0.0016% (质量百分数), 低于普通商用Gd, 高于高纯Gd. 对Gd5Si1.85Ge2.15合金的X射线衍射和交流磁化率测试表明, Gd5Si1.85Ge2.15合金在253 K存在一级磁性相变; 从磁性相变附近的磁化曲线结果得到的最大磁熵变化为12.5 J/kg·K. 相似文献
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利用高真空度扫描力显微术(HV-SFM)的压电响应模式原位研究了Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-30%PbTiO3 (PMN-PT)弛豫铁电单晶(111)晶面的压电响应行为. 观察到与单晶束缚电荷补偿机制密切关联的异常的压电响应行为. 高真空度条件下的压电响应退化行为与本征屏蔽电荷不足以补偿极化电荷所引起的极化状态的不稳定性有关. 而大气环境下相当强的压电响应信号源于表面吸附机制所致的表面束缚电荷对畴状态较强的稳定作用. 相似文献
97.
大豆灰斑病抗病基因RAPD标记的分子特征及抗、感种质的SCAR标记鉴定 总被引:12,自引:0,他引:12
与大豆灰斑病抗病基因连锁的共显性标记OPS03620&580的2个特征片段OPS03620和OPS03580的全序列分析表,共显性分离的主要原因在于引物扩增区域内30bp的插入Southern杂交显示,OPS03620来源于大豆基因组中的单拷贝序列,可用作RFLP探针。 相似文献
98.
研究了苯基三卤甲基汞与四苯基环戊二烯酮(TPCP)脱氧反应的特征及其产物--偕二卤环戊二烯的晶体结构。X射线单晶衍射分析表明,二卤化物晶体的结构参数会随着卤原子半径的不同而有所变化。同时还发现以应产物的产率也与卤原子的半径有关。这些结果印证了此前曾提出的这类卡宾反应的机理,即中间体羰基叶立德对反应不同竞争途径的选择主要取决于该中间体的特定结构。 相似文献
99.
100.
这是一片充满浪漫和冒险故事的土地,海盗、甘蔗种植园主和殖民者给这里的文化留下了自己的烙印.七色泥、象龟、赛卡舞……毛里求斯到处都有惊喜在等待着你. 相似文献