一种金属基聚合物电热微驱动器的设计与仿真

提出了一种用于双稳态MEMS继电器的面外运动金属基聚合物电热微驱动器,下层结构使用了环氧树脂型SU-8胶作为驱动层,中间层为蛇形镍电阻丝发热层,上层结构为金属偏置层,构成的多层膜结构在常温下保持悬空部分平直,通电时产生的焦耳热使微驱动器件发生面外运动.先对设计的微驱动器进行了概念分析,再利用ANSYSTM有限元分析软件的多物理场(电-热-机械耦合)对热驱动器的性能进行了仿真与优化.当SU-8驱动层厚度、热电阻丝厚度、偏置层厚度比分别为12:4:4μm时,所设计器件的驱动性能最佳,即在0.4V驱动电压下,响应时间10ms时微驱动器产生驱动位移28μm,输出力为1mN,功耗为10mW.     

新型RF MEMS开关的动态表征

一种基于UV LIGA加工技术的双稳态电磁型RF MEMS开关，由于其结构使用了永磁体单元而使得开关在维持“开”或“关”态时不需要功耗，从而实现低功耗的电磁驱动.利用非接触式Wyko NT1 100光学轮廓仪所附带的动态测量系统（DMEMS），对开关的动态响应进行了测量.测量结果表明开关实现了双稳态驱动，开关实现状态完全切换到位对应的响应时间不到20 μs.     

硅通孔润湿性能影响因素的模拟仿真

使用Fluent流场仿真软件模拟了电镀液对硅通孔(TSV)的浸润过程,讨论了TSV深宽比、电镀液流速、电镀液表面张力、接触角以及压强等因素对TSV浸润过程的影响.通过对比仿真寻找出能在电镀之前使电镀液完全浸润TSV所有表面的预润湿处理方法,以防止因润湿不彻底在TSV底部形成气泡而导致的有空洞电镀填充.通过仿真发现,电镀液表面张力越小,电镀液与待电镀样片表面的接触角越小,浸润过程中电镀液的流速越慢,浸润所处环境的压强越低,则越有利于电镀液对TSV的浸润;且流速为0.002 m/s时即可对深宽比低于或等于130μm:30μn的TSV实现完全浸润;浸润环境压强低于3 000 Pa时即可在流速为0.05 m/s时对深宽比为150μm:50μm的TSV基本实现完全浸润.当TSV结构的深宽比大于2的时候,没有经过预润湿而直接放入电镀液的TSV结构很难实现无空洞电镀填充.     

一种新型微机电系统共面波导传输线设计与数值分析

提出了一种基于微机电系统(MEMS)技术的新颖桥式共面波导(BCPW)结构,采用准静态分析方法对其特征阻抗、导体损耗、介质损耗等基本参数进行了理论计算,并与传统共面波导进行了比较分析.结果表明,新设计具有无辐射损耗、宽阻、低损耗、对加工工艺要求低等优点.     

电磁型双稳态射频开关的微机械结构设计

提出了利用电磁驱动机理优点的双稳态射频微电子机械系统(RF MEMS)开关结构形式．开关的微驱动部分由导磁的悬梁、扭梁和线圈、永磁体组成。由于采用了永磁铁单元，可以实现对开关的双稳态电磁控制，从而降低了开关的功耗。对开关的微机械结构进行力学分析的结果表明，含有加强筋结构的开关模型，在12μN力的作用下，可以使悬梁两端产生20μm的位移，此时系统的固有振动频率约为5．7kHz。     

一种集成型双稳态微电磁继电器工艺及动态性能的研究

介绍了一种集成型双稳态微电磁继电器,利用金属基表面微加工技术和体微加工技术成功完成了弹簧和起气隙作用的SU-8垫片的集成制造.用Ansys和Matlab软件对其进行初步的研究设计仿真,证明了设计的可行性.并研究了该继电器的双稳态性能,分析了该微电磁继电器的动态特性,探讨了触点间产生碰撞的原因以及消除抖动的方法,为实现下一代体积更小、损耗更低、响应时间更短的继电器打下了良好的基础.     

单向宽带毫米波平面缝隙天线的设计与仿真

设计了一种基于MEMS微加工技术制作的共面波导馈电的单向宽带毫米波平面缝隙天线.采用平面矩形缝隙辐射单元,可实现约80%的阻抗带宽(驻波比≤2).通过增加波束引导缝隙和多层反射截止缝隙,可实现缝隙天线单向辐射,天线增益可由原来的3.8 dB提高到6.8 dB左右.采用Ansoft HFSS有限元仿真软件对设计进行仿真优化,并用CST微波工作室仿真软件对仿真优化进行验证,结果表明,两种仿真结果一致.