一种功率晶体管自适应基极驱动原理

研究了采用微分变压器实现理想的隔离耦合,探测集电极电压实施运行监控与脉宽限流式保护;采用“贝克箝位”的原理实现临界饱和状态工作,探测输出电流的变化率,预报大电流的出现,实现无延迟的速断保护与短路运行,同时给出了GTR理想的基极驱动电流的一种自适应的基极驱动的原理电路.     

可观测量的电动机驱动电流建模

检验汽车行车制动器设计的优劣,需要得到电动机驱动电流与时间之间的精确关系。因为制动器性能的复杂性,驱动电流与时间之间的精确关系很难得到。基于模拟实验台,由能量等效转化的方法,将能量转化为可观测的转速以及对于转动物体来说恒定不变的转动惯量,建立了电动机驱动电流依赖于可观测量的数学模型。     

汽车制动器试验台的能量补偿模型

依据能量守恒原理,将汽车的平动动能等效地转化为制动实验台的机械能量,对制动过程中由于机械惯量不足而缺少的能量,给出了电能的补偿方法,建立了电流依赖于可观测量的递推性的数学模型,并给出了实际控制方法与理论方法之间的误差计算方法,为制动试验台的计算机控制提供了极为便利的理论基础,同时为提高控制性能提供了解决途径。     

超荧光光源驱动电路的设计研究

光源及其稳定性对光纤传感器的性能具有重要影响,本文根据超荧光光源的工作原理和特性,设计制作了自动功率控制(APC)驱动电路,并应用帕尔帖效应设计制作了温度控制电路,光源在此电路的驱动下获得了很好的线性度,且解决了功率不稳定问题,其稳定度优于0.5%,达到了较好的稳流效果。     

应变SiGe SOI p-MOSFET温度特性研究

SiGe SOI p-MOSFET在高频、高速、低功耗、抗辐射方面具有极大的优势。但二氧化硅埋层较低的热导率以及SiGe材料较低的热稳定性,使器件内部自加热效应的减弱或消除成为提高器件温度特性的关键因素。对应变SiGe SOI p-MOSFET温度特性机理进行研究,给出了三种缓解MOS—FET器件内部自加热效应的结构,并对其效果进行对比分析。结果表明：DSOI结构不适宜于低压全耗尽型SOI器件;Si3N4-DSOI结构对自加热的改善幅度较小;Si3N4埋层结构效果最好,尤其在低温领域改善更为明显。     

制动器试验台的控制方法分析

制动器的设计是车辆设计中最重要的环节之一,在车辆设计阶段无法路试的情况下,通常会在专门的制动器实验台对所设计的的路试进行模拟实验．本文根据可观测量和制动原理分析出各扭矩之间的关系：Mb=Mt-Mq=△Jdω/dt,建立微分方程模型I dt=π/20△Jdn,即驱动电流依赖于可观测量的数学模型,并在给定条件下计算出驱动电流为174．205A;由于评价控制方法的主要依据是能量误差的大小,因而利用观测的数据,用软件S-PLUS拟合转速与时间的关系,分析出角加速度为常量,并计算出观测消耗的能量,然后利用初始数据计算理论消耗的能量,求出能量误差,从相对能量误差角度进行分析得出相对误差为5．4810398％,评价该方法的执行结果可以被接受．     

大功率LED蓝光危害随点灯条件的变化

研究了大功率白色LED蓝光加权辐射亮度和单位光通量内蓝光加权辐射亮度随驱动电流、环境温度和点灯时间的变化规律。首先采用LED光色电综合分析仪测量同一批LED在不同驱动电流、不同环境温度和不同点灯时间时的光谱。然后计算相对蓝光加权辐射亮度Lb和单位光通量内的蓝光加权辐射亮度Lb/Ф,并得到Lb和Lb/Ф随点灯条件的变化关系,最后分析了他们变化的原因。研究表明:Lb随驱动电流的增加线性增大,随着温度的增加而线性减小,随着点灯时间增加呈指数形式减小。Lb变化主要原因是辐射功率变化,随着驱动电流的增加,LED光谱不断蓝移,导致Lb/Ф呈指数增加。随着环境温度的增加,虽然LED峰值波长红移,但是光谱逐渐加宽;因此,Lb/Ф变化较小;Lb/Ф还随着点灯时间的增加而不断增加,这主要是由于荧光粉性能不断退化,蓝光在光谱中的比例不断增加所致。该研究对LED健康照明和光生物安全标准的修订具有重要意义。     

IGBT特性分析与驱动参数的优化配置

详尽分析了 IGBT的特性及驱动条件 ,概述了 IGBT有效保护的要求 ,以 TEM- 2型电磁法发射机中的全桥变换电路及 GT60 M30 2型 IGBT为例 ,对驱动参数的优化配置进行了较为详细的研究 ,并给出了 TEM- 2型发射机的驱动参数     

驱动电流对制备态钴基非晶丝GMI效应的影响

采用熔融抽拉法制备Co68.25Fe4.5Si12.25B15非晶丝材料,研究了不同振幅和频率的交流驱动电流对制备态非晶丝巨磁阻抗(GMI)效应的影响,分析了该组分非晶丝GMI比率较高的原因.结果表明,随着驱动电流振幅和频率的增加,该组分非晶丝的GMI比率均为先增后减;当驱动电流振幅和频率分别为5.5 mA和9.5 MHz时,其GMI比率达到620.2%.     

超磁致伸缩执行器驱动磁场理论分析与实验研究

在分析超磁致伸缩材料的驱动原理和超磁致伸缩执行器结构的基础上,重点对执行器内部的驱动磁场进行了理论分析和实验研究,得出了超磁致伸缩执行器驱动电流与超磁致伸缩棒的驱动磁场之间存在一定的非线性和滞回的结论。并分析了其产生原因,为进一步提高超磁致伸缩搪行器的性能奠定了基础。