以DDS／TEOS复合醇盐通过sol—gel法制备无载体膜

通过溶胶－凝胶法，以一种有机－无机复合醇盐ＤＤＳ／ＴＥＯＳ作为先驱体，制备了大尺寸的，厚度可达３０－５００μｍ的高质量无载体膜。这种膜同时显示了极好的生与柔韦性。。详细探讨了无载体膜制备过程中多种因素对成膜质量的影响，并采用ＩＲ和ＡＦＭ等技术对膜的结构以及表面微观形进行了分析。     

Fe—Mn—C合金中的C—Mn偏聚及其对相变和形变的影响

采用价电子结构理论计算，微观成分的实验测定和ＴＥＭ原位动态拉伸变形试验，研究了Ｆｅ－Ｍｎ－Ｃ合金中的Ｃ－Ｍｎ偏聚及其对相变和形变的影响。结果表明，Ｆｅ－８Ｍｎ－１．２Ｃ合金奥氏体中含Ｃ－Ｍｎ晶胞的ｎＡ值是不含Ｃ晶胞的３．９８倍，是含Ｃ晶胞的１．４０倍；含Ｃ－Ｍｎ晶胞的ｎ＾ＤＣ值是含Ｃ晶胞的２．２１倍，在Ｆｅ－Ｍｎ－Ｃ合金奥氏体中存在Ｃ－Ｍｎ原子的微观偏聚，并形成由－Ｃ－Ｍｎ－Ｃ－Ｍｎ－强键络相联结     

数字电路的开关级设计理论

在分析数字电路传统设计理论中存在问题的基础上，提出了应用开关变量与信号变量两者来分别描军数字电路中内部元件的开关状态及电路信号，并由此出发建立了开关－信号理论。根据ＣＭＯＳ电路的工作原理，发展了与之相关的开关级设计技术。     

贝氏体相变单元及长大机制的TEM研究

利用透射电子显微镜（ＴＥＭ）观察了Ｆｅ－Ｎｉ－Ｍｎ和Ｃｕ－Ｚｎ－Ａｌ合金贝氏体形貌和亚结构。证实贝氏体相变单元的存在。贝氏体通过相变单元的应力应变诱发形核伸长，通过沿缺陷面方向的扩展实现增厚。贝氏体相变单元的横向尺寸差和贝氏体沿缺陷面的滑移，错动形成了贝氏体／奥氏体相界面台阶，台阶阶面与缺陷面对应，难以进行侧向迁移。     

低维半导体结构材料及其器件应用研究进展

人们预测,到２０１０年,以硅材料为核心的当代微电子技术的ＣＭＯＳ逻辑电路图形尺寸将达到０．０５微米或更小。到达这个尺寸后,一系列来自器件工作原理和工艺技术自身的物理限制以及制造成本大幅度提高等将成为难以克服的问题。从某种意义上说,这就是硅微电子技术的“极限”。为迎接硅微电子技术的“极限”的挑战,满足人类社会不断增长的对更大信息量的需求,近年来,基于低维半导体结构材料的量子力学效应（如“量子尺寸效应     

fcc（γ）→hcp（ε）马氏体相变

列出热弹性马氏体相变的判据。据此，将Ｆｅ－Ｍｎ－Ｓｉ基合金中的ｆｃｃ（γ）→ｈｃｐ（ε）马氏体相变归属半热弹性相变，和铁基合金中ｆｃｃγ→ｂｃｔ（ｂｃｃ）α‘，βＣｕ基合金中的热弹性马氏体相变以及含ＺｒＯ２的陶瓷中ｔ→ｍ不同，在Ｆｅ－Ｍｎ－Ｓｉ的γ→ε中，母相的强化和晶粒大小不显著影响Ｍｓ，以及马氏体相变的内耗峰并不对应母相弹性模量的急剧下降，显示其可能层错直接形核而不强烈需求软模。比较了热诱发和     

贝氏体的精细结构和界面结构的TEM和HREM研究

使用ＴＥＭ研究了钢中贝氏体的精细结构、碳化物形貌及分布和Ｃｕ－Ｚｎ－Ａｌ合金中贝氏体的面貌，采用ＨＲＥＭ研究了Ｃｕ－Ｚｎ－Ａｌ合金的界面结构台阶界面晶格象，加入微量元素使贝氏体铁素体组织明显细化。贝氏体铁素体由亚单元或亚块组成，碳化物形貌不一，分布在条间，片内和亚块边界。贝氏体铁素体内有极为丰富的精细组织，Ｃｕ－Ｚｎ－Ａｌ合金初生贝氏体有阶存在，界面结构台阶高度在３￣４０ｎｍ范围，相当１５￣２００     

纳米科学和技术的二次浪潮

在过去的十年里纳米科学的首次浪潮澎湃而过。在此期间，国际、国内以及香港的学者已向世人证实他们可以采用“build-up”或“build-down”的办法制造大量的纳米管，纳米线以及纳米团簇，这些努力已经表明，如果纳米结构能够低廉地制造，那我们就会有更丰硕的收获。尺度小于20纳米的结构会展现非经典的性质，这提供给我们一个用全新的想法来制造功能器件的基础。在半导体工业，制造结构尺寸小于70纳米器件的能力允许器件的持续微型化。在下一个10年中，纳米科学和技术的另一次浪潮将可能来临，在这个新时期，科学家和工程师需要展示人们对纳米结构的期待功能以及证实他们的进一步的潜力，拥有在纳米结构实际器件的尺寸、组份，有序和纯度上的良好控制能力将实现人们期望的功能，在本文中，我们将讨论纳米科学和技术在新时期里发展所面对的困难和挑战。一系列新的方法将被讨论。我们还将讨论倘若这些困难能够被克服我们可能会有的收获。     

氢促进位错发射和运动导致裂纹形核的研究

利用恒位移加载台，在ＴＥＭ中原位研究了油管钢在充氢和水介质中应力腐蚀前后裂尖位错组态的变化。结果表明，氢能促进位错发射、增殖和运动，并使无位错区扩大。用激光云纹干涉法原位测量了充氢前后加载缺口前端位移场的变化，结果表明，氢能使缺口前端塑性区及变形量增大。ＴＥＭ原位观察表明，当氢促进位错发射、运动达到临界条件时就引起纳米级氢致裂纹在无位错区中形核。探讨了氢促进位错发射、增殖和运动的原因以及氢致裂纹形     

一次结晶时石墨球化的电子理论

键距差分析表明，含Ｍｇ、Ｚｒ，Ｓ奥氏体，渗碳体的价电子结构与Ｆｅ－Ｃ奥氏体、渗碳体的价电子结构显著不同，研究发现这些差异联系着石墨球化理论的吸附说，表面张力说和过冷说，将“类拖曳效应的价电子理论模型”引入结晶理论，可用相价电子结构参数阐述Ｍｇ，Ｚｒ的球化机理和Ｓ的反球化作用，从而提出了石墨球化的电子理论解释。