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| 一次结晶时石墨球化的电子理论 | |
| 引用本文： | 刘志林,孙振国.一次结晶时石墨球化的电子理论[J].中国科学(E辑),1996,26(1):13-18. |
| 作者姓名： | 刘志林 孙振国 |
| 作者单位： | 辽宁工学院材料工程系!锦州121001 |
| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目 |
| 摘 要： | 键距差分析表明，含Ｍｇ、Ｚｒ，Ｓ奥氏体，渗碳体的价电子结构与Ｆｅ－Ｃ奥氏体、渗碳体的价电子结构显著不同，研究发现这些差异联系着石墨球化理论的吸附说，表面张力说和过冷说，将“类拖曳效应的价电子理论模型”引入结晶理论，可用相价电子结构参数阐述Ｍｇ，Ｚｒ的球化机理和Ｓ的反球化作用，从而提出了石墨球化的电子理论解释。 |
| 关 键 词： | 结晶 电子结构 石墨球化 金属 奥化体 渗碳体 |
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