| 低维半导体结构材料及其器件应用研究进展 |
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| 引用本文： | 王占国.低维半导体结构材料及其器件应用研究进展[J].世界科技研究与发展,2000,22(1):1-8. |
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| 作者姓名： | 王占国 |
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| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所,北京,100083 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目(No.69736010). |
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| 摘 要： | 人们预测，到２０１０年，以硅材料为核心的当代微电子技术的ＣＭＯＳ逻辑电路图形尺寸将达到０．０５微米或更小。到达这个尺寸后，一系列来自器件工作原理和工艺技术自身的物理限制以及制造成本大幅度提高等将成为难以克服的问题。从某种意义上说，这就是硅微电子技术的“极限”。为迎接硅微电子技术的“极限”的挑战，满足人类社会不断增长的对更大信息量的需求，近年来，基于低维半导体结构材料的量子力学效应（如“量子尺寸效应
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| 关 键 词： | 低维半导体 量子器件 结构材料 研究进展 |
Study on Low Dimensional Semiconductor Structure Materials and Device Applications |
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