交联聚乙烯中空间电荷分布及其机理研究

用PWP法与TSD法对交联聚乙烯中的空间电荷形成和演变过程进行了测量,两次TSD的测量结果有很大的不同,而在PWP法的测量结果中差别却并不明显,说明这两种方法的联合应用能更深入完全地反映空间电荷的实际情况。交联聚乙烯中空间电荷的形成包括注入电荷、杂质离子和小分子偶极子的转向,其中以小分子偶极子的转向为主,陷阱对电子的捕获能大幅度改变TSD电流信号的幅度,这些陷阱与交联聚乙烯中的小分子有关。     

交联聚乙烯中空间电荷分布及其机理研究

用PWP法与TSD法对交联聚乙烯中的空间电荷形成和演变过程进行了测量,两次TSD的测量结果有很大的不同,而在PWP法的测量结果中这种差别却并不明显,说明这两种方法的联合应用能更深入完全地反映空间电荷的实际情况.交联聚乙烯中空间电荷的形成包括注入电荷、杂质离子和小分子偶极子的转向,其中以小分子偶极子的转向为主,陷阱对电子的捕获能大幅度改变TSD电流信号的幅度,这些陷阱与交联聚乙烯中的小分子有关.     

等温电荷理论及其检测固体介质中的陷阱分布

从一级陷阱化模型出发,推导出可用于检测固体介质中陷阱分布的等温电荷方程.基于固体介质在电场下注入载流子形成的空间电荷位置分布形式,提出用表面电位技术分开电子性和空穴性陷阱的实验方法,从而得到了单载流子陷阱信息.将理论与实验结合,测得了介质聚丙烯(PP)的陷阱分布.文中的理论结果和实验方法对于研究固体介质的陷阱信息具有一定意义.     

α-酞菁铜蒸发膜中陷断的研究——等温衰减电流谱

本文用光注入的"等温衰减电流(IDC)法"观察α-CuPc蒸发膜的陷阱能态分布,得到了该试样在不同温度和不同场强下的等温衰减电流曲线,而不同温度下曲线最大值的温度位移是一条直线,从而得到陷阱深度E_t=0.58eV和热释放频率因子v=1.7×10⁸s^-1.并用Poole-Frenkel理论解释了等温衰减电流曲线的场强依赖关系.     

纳秒脉冲电压下变压器油流注放电特性分析

为了研究纳秒脉冲电压下液体介质放电过程中带电粒子的微观动力学行为,以场致电离机理作为理论基础,仿真研究了纳秒脉冲电压下变压器油中流注放电过程,分析了流注放电随时间发展的过程,同时考察了外施电压幅值及脉冲上升时间对放电过程的影响。仿真结果表明:0.1/2μs的纳秒脉冲电压下,流注传播时空间电荷对流注的发展起决定性作用,空间电荷区域能够增强流注头部电场,促进流注不断向前发展;随着外施电压幅值升高,流注的传播速度加快,对应的电场峰值、空间电荷密度和温度增长速率加快;脉冲电压上升沿的时间越短,流注的半径越大,对应的最大电场强度越小。     

提高聚乙烯树枝化性能和机理的研究

聚乙烯中掺入新型电压稳定剂二茂铁衍生物。由电离电位值和电导率与电场强度的关系，讨论了二茂铁衍生物的树枝抑制机理，研究了添加剂对聚乙烯（ＰＥ）和交联聚乙烯（ＸＬＰＥ）的树枝起始电压Ｖ＿ｔ和介电性能的影响．当添加剂Ｂ的含量为１％～１．５％时，ＰＥ的Ｖ＿ｔ提高６１％，ＸＬＰＥ的Ｖ＿ｔ提高４３％，ＰＥ的击穿强度提高１６％，而添加剂对ＰＥ的介质损耗的影响不大。掺添加剂的ＰＥ具有较好相容性和热稳定性，可满足高压塑料电缆要求。     

磁镜场空间电荷透镜初步研究

提出了采用磁镜场约束电子云形成空间电荷透镜的新结构，分析了磁镜场中形成约束电子云的基本原理，通过近似数值计算，给出了电子云产生的空间电荷场的特征分布。     

硅灰石填料对线性低密度聚乙烯力学性能的影响

通过对线性低密度聚乙烯(LLDPE)填充不同粒径、不同含量和不同表面处理方法的硅灰石填料共混改性后,对其试样的拉伸强度、断裂伸长率、弯曲强度、弯曲弹性模量和硬度的测试,详细研究了硅灰石填料对线性低密度聚乙烯力学性能的影响规律。     

有机介质中陷阱产生的等温电流研究

考虑现有测量方法难以区分电子陷阱和空穴陷阶的困难,该文提出表面电位模型,实现了对电子陷阱能级密度和空穴陷阱能级密度分布的测量,发展了J.G.Simmons的等温电流理论.在此基础上提出一种比较实验法,研究强电场作用下介质中产生新陷阱的动力学过程.结果表明在一定时间下,介质中新陷阱密度的产生与强电场的指数关系成正比,而在一定强电场下与作用时间成正比.     

氧化工艺中影响SiO2薄膜驻极体性能的因素

该文通过控制氧化工艺条件，利用相应条件下样品的等温表面电位衰减测量，热刺激放电电流谱及电容－电压分析技术等，研究了ＳｉＯ２驻极体薄膜的内部结构作能阱分布，以及在其体内沉积的空间电荷的储存稳定性，分析了驻极电荷稳定性同氧化工艺条件之间的内在联系。     

高电场下固体电介质中陷阱捕获电子动力学

阐述了采用表面电位测试技术研究固体电介质中陷阱捕获电荷载流子的可能性,并利用它分析在高电场作用下电子填充陷阱的动力学特性.根据电场注入载流子机理的不同,作者分别考虑了热发射和碰撞电离脱阱起作用下的一级捕获动力学方程.新的方程能定性地解释在电场作用下介质中陷阱捕获电子的时间特性,该方程的稳态值表示高电场下陷阱捕获电荷量随电场的变化.经实验研究指出,在电场大于1.5×10~8V/m时,介质中陷阱捕获电子数随电场的增强而迅速下降,这是由于自由电子与陷阱中电子发生碰撞电离脱阱的结果,一旦这种碰撞电离脱阱达到一定程度时,介质便发生电击穿.     

PDP扫描驱动芯片的新型200VP沟功率MOSFET及工艺研究

提出了一种适合PDP扫描驱动芯片的高压P沟道ED-LDMOS器件结构,源漏击穿电压及栅耐压均达到220V以上.通过添加P型扩展阱,能够有效降低P+漏极边缘电场60%,减轻漏极电流汇聚效应,抑制寄生双极型晶体管开启,从而原器件开启态耐压(180V)提高了40V;同时设计了能与0.6μm标准低压CMOS工艺完全兼容的制备工艺,特别提出一种厚栅氧与多晶栅的刻蚀方法——余量刻蚀法,有效防止由于光刻误差引起的栅源短路击穿.     

普通串联型稳压电源的改进与仿真

对普通串联型稳压电源的分析，提出了通过改变电源结构来调整电源输出特性的新方法，并借助EWB5.0C进行模拟仿真，验证了该方案的可行性和真确性。     

裂纹扩展过程中裂尖塑性流变区温度场的理论和实验研究

本文根据流变断裂学理论,结合非平衡态热力学,对裂纹扩展过程中裂尖塑性流变区由于内耗热而形成的温度场,进行了理论和实验研究。在理论上分析了材料内部的不可逆变化及熵产生、熵流等内耗机制,得到内耗热源函数,指出裂尖温度场的成因,从而进一步得到控制温度场分布和变化的热传导方程。在讨论内耗对裂纹扩展的影响时,我们推出耗散型能量守恒方程的微分和积分形式以及裂纹扩展的耗散型控制方程。在实验研究中,我们测定了裂尖区的温度场,从而验证了本文的理论,指出经典断裂力学的不足。     

高压静电场处理对苜蓿种子及幼苗抗旱性的影响

利用高压静电场对苜蓿种子进行相同时间下,不同强度的电场(+1.5,+2.5,+4kV/cm)和不同场距(7,15cm)的高压静电场处理,研究其种子活性及其幼苗在聚乙二醇(PEG)模拟干旱下的生理生化指标的变化.结果表明,高压静电场可以提高苜蓿种子发芽率和各项生理生化指标,场距为7cm,电场强度为+2.5kV/cm是最佳处理强度.     

在600℃封闭系统中Hg0.8Cd0.2Te的热处理

采用汞空位扩散模式,解释了高温(600℃)短时间(10'~15')热处理后使Hg_0.8Cd_0.2Te变成P型的现象,把热处理后样品逐层减薄,同时用范德堡法^[1]在77K (液氮温度)下进行霍尔测量,得出在不同汞压、不同时间下样品中汞空位的分布.由此验证了汞空位扩散模式,并计算得600℃下Hg_0.8Cd_0.2Te中汞空位扩散系数D_L为2×10⁵微米²/小时左右;汞空位最终浓度L_f与汞压成反比,其比例常数(K_F)/K_i为5×10¹⁹·厘米^-3大气压;汞空位激活能Q为0.6电子伏特左右.     

产生窄微波脉冲微带光导开关的频率特性

本文从理论上分析了高效率Blumlein型微带光导开关的频率特性及影响输出电脉冲频带宽度的因素,指出这种光导开关能产生大于20GHz频带宽度的电脉冲,电压转换效率达到了100%,实验结果得到了93%的电压转换效率和>20GHz的宽频带电脉冲,与理论分析结果非常吻合.