降低Si基有机光电探测器暗电流的研究

报道了以P型Si单晶为衬底,在其表面真空蒸发有机半导体材料苝四甲酸二酐（PTC-DA）,由此制作的异质结PTCDA/P-Si（有机/无机）光电探测器,通过Si单晶表面处理及衬底温度的控制可降低其暗电流提高灵敏度的方法.     

PTCDA/p-Si异质结势垒区特性理论的研究

有机半导体材料苝四甲酸二酐(PTCDA)是弱p型半导体材料,其载流子浓度为5×1015/cm3,禁带宽度为2.2eV,可与多种材料形成异质结.详细计算了PTCDA/p-Si异质结势垒形成的电势分布,电场分布和电流-电压(伏安)特性,计算结果与实验结果一致.     

金属Al诱导Si晶化的Al/Si异质薄膜的原子输运模拟

【目的】从原子层次分析金属Al诱导Si晶化的物理过程与机理。【方法】运用第一性原理计算方法,对Al/Si异质非晶薄膜在热处理过程中Si的晶化过程进行理论计算与模拟。【结果】结果表明,Al/Si异质薄膜在热处理过程中Al、Si原子发生了互扩散现象。随热处理时间的延长,膜层系统进入能量更低较为稳定的状态。Al原子逐步上移,Si原子逐步下移,在结构演变的过程中逐步实现Al/Si异质膜层的翻转。【结论】Al原子引起Si原子之间成键状态的变化,Al原子的库仑屏蔽作用使得Si—Si键的强度减弱,Al原子扩散进入Si层具有能量优势,降低了Si的晶化能垒,有利于Si原子的迁移并结晶。     

压力对Cr_3Si机械稳定性和韧脆性影响的第一性原理研究

本文采用基于密度泛函理论的第一性原理方法,对不同压力下Cr_3Si的机械稳定性和韧脆性进行研究。通过计算Cr_3Si在不同压力下的弹性常数、体积模量、剪切模量、泊松比来分析Cr_3Si的机械稳定性和韧脆性质。根据波恩准则判断,Cr_3Si在研究压力范围内,满足机械稳定性条件。结果表明,当压力为0～4GPa时,Cr_3Si化合物表现为脆性,当压力大于4GPa以后,Cr_3Si化合物表现为韧性。     

环境半导体材料Ca2Si的电子结构研究

运用Materials Studio软件对半导体材料Ca2Si的电子结构进行了计算,结果表明,Ca2Si材料为直接带隙类型材料,计算值比实验测量值小.Ca2Si的价带由Ca的4s、4p、3d态和Si的3p态构成;Ca2Si的导带主要是由钙的3d、4s、4p态构成,硅的3s、3p对导带的贡献相对要小得多.     

RTA工艺对HfO_2/Si界面电学特性的影响

为进一步优化HfO_2/Si界面的电学性能,本文采用RTA工艺处理HfO_2/Si样品,并分析了相应MOS器件的C-V特性。实验结果显示,HfO_2/Si界面存在大量的氧化物陷阱电荷,而RTA工艺可以有效修复氧化物陷阱,有效改善HfO_2/Si结构MOS器件的电学特性。     

等离子体淀积薄膜中射频缺陷研究

根据理论和实验结果的分析,提出了平板式等离子体生长Si_3N_4时存在两种主要射频缺陷;一是固定正电荷中心,主要起源于Si—O和Si—Si断键;另一是负电荷中心,它是Si—H离化所致.这两种缺陷只有在一定条件下退火方可完全消除.     

Si晶体结构参数的第一性原理计算

本文采用基于密度泛函理论的第一性原理计算不同晶格常数下 Si 晶体的总能,用计算所得出的数据通过 Brich-Muranghan三阶状态方程进行拟合得到相关的参数,获得 Si晶体的 Brich-Muranghan三阶状态方程具体形式,并通过计算获得Si在稳定状态下的晶格常数和体弹性模量,结果与实验数值相符。     

Co与掺杂Si固相反应形成CoSi2接触pn结及反应过程中As的行为研究

研究经扩散或离子注入掺B、P、As的硅表面上形成自对准CoSi_2薄膜接触和pn结技术.采用离子束溅射Co膜和Co/Si快速热处理(RTP)固相反应形成CoSi_2薄膜.在掺杂Si上形成CoSi_2薄膜以后,薄层电阻可下降一个数量级.对AS离子注入样品中,研究了不同硅片热处理工艺对As在Co/Si反应过程中再分布的影响.实验结果表明,对于CoSi_2形成之前杂质先经激活退火的硅样品,As在Co/Si固相反应过程中发生显著的“雪犁”效应,而在CoSi_2形成之前未经激活退火的样品,在杂质激活和Co/Si固相反应共退火过程中,As的行为则有明显不同.扩展电阻和电学测试表明,用这两种不同热处理工艺,在CoSi_2/Si界面处均可获得较高的载流子浓度,形成的CoSi_2接触pn结具有良好的二极管I-V特性,其反向漏电流明显小于对比实验的Al/Si接触pn结.     

我国碳化硅器件制造关键装备研发取得重大进展

正以碳化硅(Si C)为代表的第三代半导体产业是全球战略竞争新的制高点。Si C器件具有极高的耐压水平和能量密度,可有效降低能量转化损耗和装置的体积重量,满足电力传输、机车索引、新能源汽车、现代国防武器装备等重大战略领域对高性能、大功率电力电子器件的迫切需求,被誉为带动"新能源革命"的"绿色能源"器件。但长期以来,我国Si C器件的研制生产主要依赖进口。Si C器件关键装备的成功研发对加快解决全产业链的自     

混流泵叶轮切割规律的研究

根据混流泵叶轮的几何特征,给出了混流泵叶轮出口边的切割形式及其所对应的性能状况,并根据混流泵叶轮的切割规律,在ＡｕｔｏＣＡＤＲ１３．０环境下,用ＡＲＸ语言和ＤＣＬ语言编写了一套混流泵叶轮相似切割选型系统。经使用与真机试验对照,证实所拟定的切割方式和性能预估策略是可行的,选型系统的运行也是科学有效的     

三缸往复泵空气包的动力学方程及数值解

用数值分析方法求解了三缸单作用往复泵空气包的动力学方程,建立了空气包后管线中流量的数值计算模型,并对计算结果进行了分析,得出了泵及空气包的结构和物理参数对流量脉动的影响规律。     

高压磁力驱动多级离心泵轴向力研究

论述了高压输送磁力驱动多级离心泵设计试制中轴向力平衡方法及其技术问题的解决，试验证明平衡轴向力技术问题解决方法可行，为磁力驱动多级离心泵的设计提供了理论依据．     

甘肃省历史旱涝特征与产量的关系研究

通过对甘肃省５２５年旱涝等级资料累积等级及跃变分析表明,甘肃日趋于旱化,其中,中部和河西地区最严重,陇东次之,渭水流域最小。河西,中部,陇东和渭水流域气候变化具有明显的差异性,近５２５年来中部地区气候跃变不明显。近２００年来河西地区气候跃变系数具有与陇东、渭水流域相反的变化趋势。近百年来旱涝等级资料的第一主成分有显著的３年、８年、１１年周期、第二主成分有１４年、２９年的周期。通过对主成分与近５０年     

对雷电成因的探讨

对雷电的成历有多种理论解释。作者从分析带电液滴在地磁场中的运动出发，提出了一种雷电荷分防的新机制。并由斯托克斯公式建立了带电液滴所受空气动力与静电场力的平衡议程，由此估算了雷电场和雷电压的可能值。并利用此观点解释了一些常见的雷电现象，作为一家之言，以期同行探讨。     

青藏铁路热棒试验路基裂缝形成原因分析

热棒作为一种汽液两相对流换热装置，具有无能耗、高效率地降低棒周地温的特点．热棒对降低基底地温、增加地基冷储量，保护多年冻土具有较明显的效果．但是，热棒路基在暖季和寒季均有裂缝产生．文中对热棒路基裂缝的特点、形成原因及其对路基稳定性的影响进行了初步分析，并对下一步的研究工作提出了建议．     

二酶系统非竞争性抑制非稳态动力学的布尔函数图论研究

以非稳态酶动力的布尔函数图形方法,来研究一类二醇系统非竞争性抑制的非稳态动力学,推导出此类反应的非稳态酶动力学方程,并对此动力学方程进行了讨论,分析了这类二酶系统非竞争性抑制的非稳态动态学过程。     

基于估计相对位置的方案排队法在风险决策中的应用

用于解决风险型决策的传统方法有：期望值原则、最小方差原则、标准差系数原则、满意原则及最大可能原则第五种方法，但采用不同的方法得到的结果并不完全相同。为了克服传统方法的不足之处，提出了基于估计相对位置的方案排队法来解决风险型决策问题。     

二酶系统反竞争性抑制非稳态动力学的布尔函数图论研究

以非稳态酶动力学的布尔函数图形方法^[1],来研究一类二酶系统反竞争性抑制的非稳态动力学,推导出此类反应的非稳态酶动力学方程,并对此动力学方程进行了讨论,分析了这类二酶系统反竞争性抑制的非稳态动力学过程。     

保留贲门功能双腔空肠间位移置胃成形术研究

为解决胃癌根治术后达到Ａ级根治程度,有的必须切除３／４以上的胃,以常规手术式重建消化道,由于胃容量过于减少,术后多产生近期和远期的合并症,为了避免术后这一后遗症,因此,建立设计扩大至正常容量而符合正常生理功能的胃成形术式。其中方法为：将近侧空肠褥经横结后提至结肠上区,做成双脓肠襻形成单筒移置于残留贲门部的胃与十二指肠之间,既保留贲门功能又使其形成之代胃并接近正常容量和生理功能,提高了病人的术后生存