热氧化硫化锌薄膜制备高质量纳米ZnO薄膜的表征

本文报道了利用低压-金属有机化学气相沉积（LP-MOCVD）技术生长ZnS薄膜，然后，将ZnS薄膜在氧气中于不同温度下进行热氧化制备高质量的纳米ZnO薄膜。采用有效的手段对榈的质量表征：X-射线衍射（XRD）结果表明，纳米ZnO薄膜具有六角纤锌矿多晶结构。喇曼光谱观测到典型的多声子共振过程。在光致发光（PL）光谱中，自由激子（FE）和束缚激了（BE）发射都很明显。低温下，束缚激子（BE）复合发射占主要地位，而自由激子（FE）复合发射也容易观察到。这些结果都说明我们制备的样品是高质量的。     

CVD金刚石薄膜表面晶形研究

本文较详细地研究了采用ＨＦＣＶＤ方法在Ｓｉ、Ｍｏ等衬底上生长出的不同表面晶形的多晶金刚石薄膜，讨论了生长条件（衬底温度、碳源浓度、反应压强）对金刚石薄膜晶粒形貌的影响．结果表明在ＨＦＣＶＤ方法中，金刚石薄膜表面晶形对生长条件十分敏感，生长条件的微小变化就会导致不同表面晶形的生长．     

金刚石薄膜热敏器件特性

本文采用热丝ＣＶＤ方法和在以石英为衬底的金属钛梳状微电极上制备出的均匀致癌，结晶完整的金刚石薄膜，制成了金刚石薄膜热敏器件，对其热敏特性的测试结果表明，该热敏元件具有检测温度范围宽、响应快，灵敏度高，性能稳定等优点。     

常见柔性基底薄膜性能探讨

<正>柔性基底薄膜是指能够卷绕的,作为镀膜基底材料使用的薄膜。通常使用的柔性基底薄膜均为塑料薄膜,包括聚乙烯醇(PVA)薄膜、聚酰亚胺(PD)薄膜、聚酯(PET)薄膜等。柔性基底薄膜是多种重要功能薄膜,如增透膜、隔热膜、导电     

纳米氧化锌薄膜的光致发光特性研究

本文报道了利用低压金属有机气相外延（LP－MOCVD）工艺首先在二氧化硅衬底上生长硫化锌（ZnS）薄膜，然后，将硫化锌薄膜在氧气中于不同温度下进行热氧化，制备高质量的纳米氧化锌（ZnO）薄膜。X－射线衍射（XRD）结果表明，氧化锌具有六角纤锌矿晶体结构，在900℃退火的样品的光致发光（PL）中，在长为3.3eV处观察到一束强紫外光致发光和相当弱的深能级发射，紫外发光强度与深能级发射强度之比是80，表明纳米ZnO薄膜的高质量结晶。     

连续外延双层（BiAl）YIG薄膜的铁磁共振研究

首先叙述了双层（ＢｉＡｌ）ＹＩＧ薄膜的生长及层间晶格失配情况，测量了与膜面法向成任意角度磁化的铁磁共振谱，铁磁共振场和线宽随磁化方向的变化与单层膜明显不同，用薄膜层间磁耦合解释了这种薄膜的铁磁共振线宽的非均匀增宽和共振波谱出现的异常现象，计算出的层间磁耦合系数与磁化方向有关。     

塑料吹塑薄膜工艺实验中的注意点及应对措施

塑料吹塑薄膜成型工艺实验是高分子加工专业的学生必做的专业实验之一,该实验的开设有助于加强高分子成型加工专业课程的教学,提高学生成型加工基本实验技能,培养综合应用能力.在实验过程中,合理设计塑料吹塑薄膜成型工艺和严格控制操作条件是保证薄膜质量的关键,吹膜设置各项参数的改变将直接影响成品膜的各项性能.通过对挤出吹塑薄膜成型工艺实验中的注意点、常见的各种问题及应对措施进行概括并总结,以提高该实验课程的教学效率.     

溅射制备NiTi薄膜的马氏体相变

研究溅射制备的ＮｉＴｉ薄膜的马氏体相变行为。电阻随温度的变化曲线以及变温Ｘ射线衍射实验表明，当温度由４００℃连续下降到－１８０℃时，ＮｉＴｉ薄膜发生了Ｂ２→Ｂ→Ｂ‘’以及Ｂ２→１９’相变。     

射频磁控溅射制备ZrN薄膜及其表征

本文利用射频磁控溅射在N2和Ar混合气氛环境下，在玻璃衬底上沉积ZrN薄膜．采用X射线衍射（XRD）、X射线散射能谱（EDX）和扫描电子显微镜（SEM）技术对薄膜微观结构、成分及形貌进行分析.结果表明，制备的ZrN薄膜是化学计量比接近于1的面心NaCl结构,从薄膜的表面形貌图可知，薄膜表面平整，缺陷很少，晶粒排列非常致密，且空位及表面缺陷很少．     

La07Ca0.3MnO3薄膜的高分辩电镜研究

Ｌａ０．７Ｃａ０．３ＭｎＯ３巨磁阻薄膜具有广泛应用前景的磁学材料，薄膜样品在外磁场下观察到较大的负巨磁阻效应。运用高分辨电子显微镜研究了巨磁阻薄膜的生长机制，确定了薄膜好的外延生长关系，并对薄膜界面的结构与缺陷进行了探讨。     

水热合成BaTiO3薄膜及其微观结构分析

利用水热反主尖，成功在地１６０℃的低温下，直接在蒸钛硅衬底表面合成了多晶ＢａＴｉＯ３薄膜。扫描电镜观察发现薄膜的组织结构均匀、致密、平均晶粒尺寸约１００ｎｍ。对比快速热退火前后薄膜的扩展电阻深度分布、ＳＥＭ形貌象和Ｘ射线衍射谱发现：薄膜呈多层结构，退火前为立为ＢａＴｉＯ３／非晶ＢａＴｉＯ３－ｘ／Ｔｉ／Ｓｉ，退火后变为四方ＢａＴｉＯ３／Ｔｉ／Ｓｉ。     

富Ti—TiNi薄膜的热循环效应

采用电阻法研究溅射ＴｉＮｉ薄膜的热处理效应。实验结果表明，溅射ＴｉＮｉ薄膜的热循环效应与块状ＴｉＮｉ合金相比有所不同，随热循环次数增加，ＴｉＮｉ薄膜的马氏体相变点Ｍ，显著升高，Ｒ－Ｔ曲线的形状发生改变，但Ｍｆ，Ａｓ，Ａｆ，ＴＲ和ＴＲ‘保持不变。     

V2O5薄膜电致色特性研究

采用热蒸发经热处理制备了Ｖ２Ｏ５薄膜。ＸＲＤ分析表明薄膜为非晶和微晶结构。采用电化学方法从电解质向Ｖ２Ｏ５薄膜注入Ｌｉ离子形成ＬｉｘＶ２Ｏ５（０〈ｘ〈０．３５）。使用三电极法研究了其电化学和电致色特性，分析了电化学循环过程中氧化、还原电流峰形成的机理、ＬｉｘＶ２Ｏ５结构的变化以及其与光学性质的关系，给出了Ｖ２Ｏ５薄膜阴阳电致色的致色效率。     

直流电机换向器薄膜成因及作用的探讨

分析了直流电机换向器圆周表面在电刷与换向器通电滑动运行时，通过物理化学作用而产生薄膜的原因，以及薄膜能够改善电机换向，减少电刷与换向器之间的摩擦和损耗作用，和正确认识保护薄膜的重要性等问题。     

钬铬共掺铁酸铋薄膜对钛酸铋钠钾铁电薄膜的性能调控

用溶胶-凝胶法,在Pt/Ti/SiO_2/Si(100)衬底上制备了钬铬共掺铁酸铋(BHFCO)-钛酸铋钠钾(NKBT)薄膜,系统研究不同BHFCO掺杂量对(1-x)NKBT-xBHFCO薄膜的微观结构、表面形貌和电学性能的影响.结果表明:680℃退火处理后的(1-x)NKBT-xBHFCO薄膜表面比较均匀、致密,结晶度较好;0.95NKBT-0.05BHFCO薄膜样品的剩余极化值(2P_r)最大(71.3μC/cm~2),矫顽场最小(2E_c=530 kV/cm),电滞回线饱和矩形度最好,漏电流最小(2.1×10~(-6 )A/cm~2).0.95NKBT-0.05BHFCO薄膜的,相对介电常数最大(约为493),介电损耗最小(约为0.04);薄膜的高温介电温谱表明,所有薄膜的居里温度(T_c)在(450±10)℃.不同厚度薄膜的介电性能表明,铁电薄膜内部的挠曲电效应显著降低了薄膜的最大介电常数值.     

硅基多层无机驻极体薄膜中平均电荷重心和密度的确定

报道通过表面电位测量和C-V分析来确定硅基多层无机驻极体薄膜中平均电荷重心及电荷密度的方法。它包括两个非破坏性的测量；首先，通过补偿法测量驻体薄膜自由面的表面电位，然后在样品表面蒸镀金属电极，形成MIS结构，进行电容--电压（C-V）测试，由此得到驻极体薄膜和硅界面的电位。电荷重心和电荷密度可通过计算得出。同时利用这一方法确定了硅基Si3N4/SiO2双层驻极体薄膜中的平均电荷重点，发现电荷重心强烈地依赖于电晕充电以后的老化温度，经过400℃下老化20min，常温正电晕充电驻极体的电荷重心已从近自由面迁移至Si3N4，和SiO2界面附近。     

离子束动态混合氮化钛薄膜生长及其组分和结构分析

用电子束蒸发沉积钛和40keV氮离子束轰击同时进行的动态混合方法制备了氮化钛薄膜.RBS组分分析结果表明,离子束动态混合制备的氮化钛薄膜中的氧含量比不用离子束轰击的显著减少,薄膜的组分与离子原子到达比关系不大,主要受长膜过程中吸附效应的影响.随着蒸发沉积速率的提高,膜中氮含量下降,提高样品温度可获得同样效果.采用TEM和XRD对薄膜的结构进行分析测定,发现离子束动态混合制备的氮化钛薄膜主要由面心立方结构的TiN相构成,晶体取向随离子原子到达比(N/Ti)的增加,由<111>择优取向变到无择优的随机取向,然后再转变到<200>择优取向,合成的氮化钛薄膜具有良好的抗磨损性能,划痕试验表明薄膜与基体间结合力极强,临界载荷达10-15kg.     

微波等离子体CVD方法制备金刚石薄膜

采用微波等离子体化学气相沉积方法分别在ＣＨ４／Ｈ２，ＣＯ／Ｈ２和（ＣＨ４＋ＣＯ）／Ｈ２气体体系下合成了金刚石薄膜。结果表明，所合成的金刚石薄膜具有明显的柱状生长特性和较高的品质。（ＣＨ４＋ＣＯ）／Ｈ２体系合成的金刚石薄膜具有较高的生长速率和晶面定向生长的特性。     

膜厚对薄膜干涉的影响

分析了薄膜干涉中膜厚对干涉现象的影响 ,并对一些有争议的薄膜干涉问题提出了自己的观点     

氮化铝薄膜微波换能器的研制

阐述用直流平面磁控溅射法在z-LiNbO_3传声介质上淀积出优质氮化铝薄膜,并制成了一维纵模微波换能器,还由它制成了微波体声波延迟线.该延迟线在中心频率为2.21GHz、延迟时间为1.83μs下插损为22dB,带宽(3dB)为13％.对在微波频率下应用的这种AlN压电薄膜,由导纳法经实验曲线和理论计算结果的拟合获得这种横向受夹厚度模压电薄膜的机电耦合系数为0.13,这个结果略小于块材AlN的值,可能主要是由于所生长的AlN薄膜微晶晶粒的c轴方向有一定的分散性和c轴反向性所致.从电导测定结果表明换能器中有一等效的串联电阻,它可用于说明匹配和调谐换能器存在损耗的原因.