P-型掺杂的聚乙炔在电解质水溶液中稳定性的研究

碳正离子对于水的亲核作用非常灵敏,这是意料中的事.但是需要强调的是P-型掺杂的聚乙炔的比电导的衰变会由于掺杂的聚乙炔插在某些浓的水溶液中而得到有效的抑制.因而P-型掺杂的聚乙炔在水溶液中是相当稳定的.其稳定性取决于掺杂剂负离子的特性,电解质溶液中的负离子的特性,掺杂剂负离子与亲核剂的相对大小以及电解质溶液的pH值.     

掺杂剂对聚乙炔中电荷密度波的影响

我校副校长王荣顺教授在《高等学校化学学报》1989年第8期上发表论文《掺杂剂对聚乙烃中电荷密度波的影响》聚乙烃作为一种新型导电材料已引起人们的极大关注,因为掺杂后其电导率可提高十几个数量级,与金属铜的电导率相当。该文用 CNDO/2方法研究了各种掺杂剂聚乙炔中电荷密度波的影响。研究结果表明,当无掺杂剂存在时对中性孤子 S°,电荷分布基本上是均匀的且每个 C 原子所带电荷都很小,最大者     

掺杂聚乙炔导电机理研究

本文以多烯(17个碳原子)模拟反式聚乙炔链,位于两个多烯链平面之间的钠原子为掺杂剂,用 CNDO/2方法讨论了掺杂聚乙炔的微观导电机理,尝试并分析了用轨道理论的离域方法处理定域问题的具体方法.在我们的计算方法及计算范围内、负电孤子借助于钠原子在两链间跃迂。在低量掺杂情况下,参考链上孤子的存在对这种跃迂起辅助作用;电荷密度、原子轨道布居、能量分割及沿分子轨道形状等的结果同样支持了这一结论.     

钠掺杂式聚乙炔中孤子晶格的局域振动模

从包含电子-电子相互作用和外库仑势的SSH推广模型出发,计算了在各个掺杂浓度(杂质等距离分布)下反式聚乙炔中孤子晶格周围的局域振动模.计算结果表明:在掺杂浓度为1.67%时,反式聚乙炔存在10个局域模;在浓度为3.33%~10.00%时,存在8个局域模;而在浓度大于13.33%时,所有的局域模都消失变为扩展模.     

聚乙炔中孤波激发的稳定性

聚乙炔中孤波激发的稳定性取决于它们之间是否能稳定共存并且只能进行自由碰撞。从而我们推测电荷扭折是稳定孤子,将对掺杂反式聚乙炔的电学性质起重要作用;极化子是亚稳的孤波,可以存在于轻掺杂聚乙炔中;而中性扭折又能存在于未掺杂的反式聚乙炔中。     

聚并苯半导体材料的研制

自从发现聚乙炔膜经掺杂电导率大大提高后,人们对有机导体进行了广泛的研究。由于聚乙炔膜在空气中易氧化降解而限制了其实用性,所以人们都在努力探索新的在空气中稳定的有机导电材料的研制。本课题研制的聚并苯半导体材料是一种在空气中极其稳定的不经掺杂其电导率就很高很有实用价值的新材料。     

钠掺杂反式聚乙炔中孤子晶格的局域振动模

从包含电子－电子相互作用和外库仑势的ＳＳＨ推广模型出发，计算了在各个掺杂浓度（杂质等距离分布）下反式聚乙炔中孤子晶格周围的局域振动模。计算结果表明：在掺杂浓度为１．６７％时，反式聚乙炔存在１０个局域模；在浓度为３．３３％～１０．００％时，存在８个局域模；而在浓度大于１３．３３％时，所有的局域模都消失变为扩展模。     

用钍的高配合物合成的聚乙炔的一次性水溶液电池

本文报导了利用不同温度下的饱合溶液以控制聚乙炔的掺杂量,简便易行,并研究了不同掺杂量聚乙炔组成的一次电池的电势——掺杂量关系。对一次电池性能,也进行了研究。     

碘掺杂聚乙炔的正电子湮没谱和结构缺陷转变

本文研究了反式碘掺杂聚乙炔[CH(I_3)_y]_x在室温下正电子湮没寿命随掺杂浓度y的变化关系,发现y约在0.0025和0.043处寿命谱出现明显的突变.计算了杂质势和链间耦合积分.用链间耦合随掺杂浓度增强的概念,说明了出现上述两个突变的原因和主要元激发的转变,解释了磁化率随掺杂浓度变化的实验规律,讨论了三个区域的导电模型和电导率随温度的变化关系.     

聚丁二炔晶体的掺杂和电导—Green函数解法

自1977年对聚乙炔掺杂获得成功后,人们发现很多高分子共轭聚合物都可通过掺杂而使其电导率大大提高,目前聚乙炔掺杂后的电导率已达到了铜的水平;由于聚丁二炔是一种比较复杂的结构,每个单胞内含一个共轭三键,且是唯一能获得大块单晶的高聚物,如果能对它进行掺杂而使电导率大大提高的话,将在制造有机半导体器件等方面显示出巨大的应用前景,可惜的是,至今对它掺杂未获得成功;这表明它有着不同于其他高聚物的掺杂机理.对于聚丁二炔的掺杂和电导,实验资料很少,理论模型还末见报导、本文在详细分析实验事实的基础上,第一次采用Green函数的方法,推导出了求掺杂(低掺杂)后的聚丁二炔的电导率的公式,并进行了数值计算,与实验事实较好地符合.     

La_(1-x)Ca_xMnO_3的电子结构与磁有序研究

采用DV-Xa分子轨道法计算了不同掺杂浓度的立方结构钙钛矿La_(1-x)Ca_xMnO_3体系的电子结构,分析了体系磁电特性随钙浓度变化的特征.结果表明:自旋相关的锰3d—氧2p轨道杂化出现在整个体系中.未掺杂体系具有金属型导电性,费米能级处多数自旋子带的态密度高于少数子带.随着掺杂浓度的提高,体系发生金属-半金属相变.与此同时,锰离子磁矩单调降低,与3d带自旋交换劈裂的变化规律一致.掺杂的钙提高了锰3d和氧2p电子波函数的交迭,加强了Mn-O-Mn超交换作用,使CaMnO3呈现G型反铁磁态.LaMnO_3中锰3d和氧2p波函数的交迭最弱,呈铁磁有序.     

Ni2+掺杂TiO2薄膜微观结构及亲水性能

采用溶胶-凝胶法结合浸渍-提拉技术制备Ni2+掺杂TiO2薄膜。利用X线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)、X线光电子能谱(XPS)、紫外-可见吸收光谱(UV-vis)和接触角测试等表征手段,研究Ni2+不同掺杂量对TiO2薄膜的晶型结构、化学组成、氧化态及光学和亲水性能的影响。研究结果表明:Ni2+掺杂TiO2的晶相主要为锐钛矿,随着Ni2+掺杂量的增加,TiO2晶格发生一定的畸变,掺杂TiO2薄膜的吸收边向可见光范围产生不同程度的红移,与水的接触角逐渐减小。10%Ni2+掺杂TiO2薄膜的接触角仅为12°,表现出良好的润湿性,将在新型自洁净建筑材料具有广阔的应用前景。     

氧化钒薄膜的掺锆实验研究

以V2O5和Zr（NO3）4．5H2O为原料，采用无机溶胶-凝胶法制备了掺Zr^4＋的VOx（2≤X≤2．5）相变薄膜。通过对掺杂薄膜的物相组成、价态、相结构的XPS和XRD分析及电阻突变量级和电阻突变温度的测试，结果发现：所制备的掺杂薄膜其主要成分是VO2，所掺入的Zr与VOx完全互溶，但其中Zr的价态未发生改变。掺杂薄膜随Zr含量的增加其电阻突变温度下降．同时其电阻突变量级也随之降低。     

Co掺杂对Zn1-xCoxO稀磁半导体光学性质的影响

溶胶-凝胶法制备了Co掺杂的ZnO基稀磁半导体,研究其粉体和薄膜的结构和光学特性.X射线衍射结果表明Co2 随机替代Zn2 位置进入ZnO晶格,并引起晶格常数的变化.紫外-可见透射光谱表明样品的禁带宽度随着Co掺杂浓度的增大呈现非单调变化规律,低浓度掺杂样品的光学带隙随掺杂浓度增大而减小(红移),这是由于Co2 替代Zn2 ,局域d电子与能带电子之间的sp-d交换耦合引起的.     

利用有源层掺杂提高有机发光

通过对电子传输层和空穴传输层的共同掺杂，达到提高有机发光二极管（DLED）电流效率的目的。与常规的在电子传输层中掺杂有机染料的掺杂器件相比，本实验是在Alq(电子传输层材料）与NPB（空穴传输层材料）形成的均匀互掺有源层中，再掺杂染料Rubrene。此种结构，其有源层能有效地限载流子而增加电子和空穴载流子相遇的几率，进而提高复合效率，使电流效率明显提高。同时，有源层的连续生长避免了有机层间界面的形成，改善了器件的稳定性。比较此结构器件与常规掺杂器件的特性，并对其发射机理进行讨论。     

掺杂锡离子对纳米二氧化钛薄膜光催化性能的影响

采用溶胶一凝胶法在玻璃上制备了透明锐钛矿型纳米TiO2薄膜和金属锡离子掺杂的锐钛矿与金红石混晶型纳米TiO2薄膜,并利用X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)、紫外一可见分光光度计对合成的薄膜进行表征。研究了掺杂锡离子对TiO2薄膜吸收光谱及光催化活性的影响,结果表明掺杂锡离子使得TiO2薄膜对入射光的吸收带边发生红移;适量掺杂锡离子能够显著的提高TiO2薄膜的光催化活性。并探讨了镀膜层数对薄膜光催化活性的影响,发现对于掺杂不同浓度锡离子的TiO2薄膜均有其对应的最佳膜层数。     

溶胶-凝胶法制备掺铝氧化锌透明导电膜的正交实验研究

采用溶胶-凝胶法制备了掺铝氧化锌(ZnO：Al,ZAO)透明导电膜。对薄膜用X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、四探针仪及紫外 可见分光光度计等分析测试手段进行了表征;通过正交实验探讨了溶胶浓度、铝离子的摩尔掺杂量以及退火温度等因素对其电阻率的影响。结果表明,薄膜电阻率随溶胶浓度、铝离子掺杂量的增加,呈现先减小后增大的趋势,并随退火温度的升高而减小,从而确定了制备ZAO透明导电膜的优化工艺条件为：溶胶浓度0.8mol/L,铝离子的掺杂量1.0%(摩尔分数),退火温度550℃。在优化工艺条件下制得的ZAO透明导电薄膜具有标准的ZnO纤锌矿结构,其电阻率为1.275×10^-3Ω·cm,平均透光率达84%。     

掺杂对OLED发光效率的影响

概述了掺杂发光的种类、掺杂发光提高OLED发光效率的机制。     

Cr掺杂浓度对ZnO基稀磁半导体生长结构的影响

采用射频磁控溅射设备在本征抛光Si(100)衬底上沉积Cr掺杂ZnO薄膜,分析不同掺杂浓度对薄膜的生长结构的影响.分别用XRD、SEM和XRF来表征薄膜的晶相结构、表观形貌和掺杂浓度.实验结果表明,掺杂浓度为2.10%的Zn1-xCrxO薄膜,出现了更好C轴取向性,衍射峰半高宽较窄,样品表面平滑致密,晶粒较大为3.555 nm.     

Electrorheological behavior of rare earth-doped barium titanate suspensions

Doping Y, La, Ce into barium titanate is found to be able to improve its electrorheological (ER) effect in DC electrical field. The yield stress of a typical doped barium titanate/silicone oil suspension is approximately 3.2 -*7〗kPa at 3.5 -*7〗kV/mm, which is 10 times larger than that of pure barium titanate/silicone oil suspensions. The ER effect increases with the decrease of ionic radius of rare earth (RE) dopant when RE concentration remains constant, and the suspensions exhibit a relatively high shear stress when Y, La, Ce mole fractions are 15%, 10%～15%, and 5%, respectively. Dielectric measurements show that the suitable doping with RE element increases dielectric loss of barium titanate and causes very marked dielectric relaxation at low frequency. By measuring X-ray diffraction patterns of doped barium titanate, it is considered that the occurrence of lattice distortion or defects may be responsible for the change of dielectric properties which results in the improvement of ER effect of barium titanate in DC electrical field.