负阻式参量放大器与电子管放大器的级联

本文讨论了变电容负阻式参量放大器与电子管放大器联级运用时的一些问题。分析了参放一共阴,参放一共栅和参放一共阳三种放大器组合的噪声系数与天线内电导及等效负电导的关系。求出了它们在最佳耦合时的最低噪音系数。 文章还对放大器的稳定性能进行分析,前提出衡量稳定度的标准。分析结果表明,对放大器的噪声系数和增益的要求,与放大器的稳定度是矛盾的,即噪声系数愈小,增益愈高,则放大器的稳定性愈差。 文章进一步讨论了在稳定度给定的条件下各种放大器组合可能得到的最低噪声系数。可以看出,在相同的条件下参放一共栅放大器组合的最低噪声系数最小,参放一共阴次之,参放一共阳最大。 讨负阻式参放──共栅放大器的组合线路进行了试验,所得结果与理论分析基本上是一致的。     

感应同步器输出信号的低噪声前放技术研究

感应同步器的输出信号微弱,且包含有原端连续绕组感应噪声,要求设计具有低噪声、高增益特性的前置放大器。针对这种设计要求,通过利用传感器和放大器噪声分析理论,对感应同步器输出级、前放电路输入级进行噪声建模,分析得出对应感应同步器输出信号的噪声系数和最佳源电阻,并以此为依据选择出了合理的低噪声前放输入级器件。计算和仿真分析表明,所选放大器件能与感应同步器进行噪声匹配,该前放电路能够满足感应同步器输出信号的放大要求。     

用光源信号测试BESIII量能器用前放的相对增益

电磁量能器在BESIII谱仪中占有十分重要的地位,它的基本功能是测量电子和γ光子的能量和位置信息.本文介绍了BESIII谱仪中量能器组件前置放大器的相对增益和两路前放相对增益非对称性的测量方法及测量系统,并给出了测量统计结果.     

简析有线电视信号放大器原理及使用

放大器一般分为干线放大器和用户放大器,另有延长放大器、线路放大器等。干线放大器由电源部分,衰减器、均衡器、温补电路,放大模块及自动增益控制等电路组成。另外有些指标较高的,像ALC干放、桥放,前馈式放大器等应用较少。最常见的几种放大器为普通干放,温补干放及AGC干放及ASC放大器。     

光电子混合集成电路与系统的研制

研究了３４－１５５Ｍｂ／ｓ光发射驱动器，光接收前置放大器，光接收前放＋主放，时钟提取与再生，扰码与解码等系列配套的长波光电子混合集成电路与系统，并对上述各种光电子混合集成电路的结构，计算机模拟，测试结果及工艺流程作了介绍。     

简易人体脉搏信号调理电路的设计

三运放仪表放大器具有放大倍数高,波形失真度小,且输入阻抗高等特点,一直作为工业标准被用于那些要求高增益或高CMMR等的精密应用场合,如传感器接口、低功耗医疗仪器等。但是,三运放仪表放大器的应用在单电源场合具有较大局限性。本文阐述了基于LM108的三运放仪表放大器在脉搏测量中的应用,并对此类三运放仪表放大器的供电问题给出了解决方案。此外,由于人体脉搏信号的频率约为1Hz,所以需要用滤波器对所采集到的信号进行滤波。基于此,本文还简单介绍了基于OP07的带通滤波器。     

一种3.3 V/0.6μm轨对轨CMOS运算放大器的设计

基于0.6μm CMOS工艺,设计了一种轨对轨运算放大器.讨论了该运算放大器的原理、性能及设计方法,并进行了模拟仿真.此运算放大器采用了3.3V单电源供电,其输入共模范围和输出信号摆幅接近于地和电源电压,即所谓输入和输出电压范围轨对轨.其运放的小信号增益为77dB,单位增益带宽为4.32MHz,相位裕度为79度.由于电路简单,工作稳定,输入输出线性动态范围宽,非常适合于SOC芯片内集成.     

具有反馈偏置的折叠共源共栅运算放大器

文章分析了基于传统偏置的折叠共源共栅运算放大器,提出了一种具有反馈偏置的折叠共源共栅运算放大器;在不降低运放其他性能指标的前提下,抑制了折叠共源共栅运放由于共模输入电平变化以及工艺失配而造成的尾电流源的电流变化,稳定了运放的直流工作点,提高了运放的共模抑制比.     

集成运算放大器在使用中的相位补偿

论述了模拟集成运算放大器在实际应用中.为提高电路稳定性、工作可靠性.消除自激振荡采用的几种行之有放的相位补偿方法.     

集成运放构成的4种负反馈放大电路性能分析

用方框图分析法分析了由集成运算放大器构成的4种负反馈放大器的性能，包括输入、输出电阻和增益。导出了可用工程计算和设计的一组近似公式。讨论了集成运放和电路元件参数对负反馈放大器的影响，并与理想运放分析得出的结果进行了比较。     

兼具高自由度低互耦的间距约束稀疏阵列设计

针对传统稀疏阵列难以实现孔径和互耦同步优化导致测向误差的问题,设计了一种兼具高自由度低互耦的间距约束稀疏阵列.该阵列由四段均匀线阵以一定间隔首尾相连构成,约束每段均匀线阵的阵元间距以及各段均匀线阵之间的间距尽可能大,形成了3段稀疏的均匀线阵和1段密布的线阵,有效减少了阵元间的互耦效应,基于该阵列推导了物理阵元位置、差联合阵列的闭式解以及自由度的闭式解.与相同阵元数的传统稀疏阵列以及改进稀疏阵列相比,设计的间距约束稀疏阵列拥有更大的孔径、更低的互耦以及更多的连续虚拟阵元,通过实验仿真验证了间距约束稀疏阵列的优越性.     

发展热离子问题有限元解的收敛性分析

发展热离子问题是由含Ｊｏｕｌｅ热源的热传导方程及具有与热有关的电导率的电流守恒方程组成的非线性偏微分方程组，此方程组具有强的非线性性．本文考虑了对此方程组的数值解问题，用混合元解电流守恒方程，用标准有限元解热传导方程，提出了全离散格式，给出了数值解的误差估计，得到了Ｌ２模意义下的最优误差估计．     

高隔离度的双极化口径耦合微带单元与阵列天线

提出一种新型的双极化微带贴片单元与其阵列设计,该单元采用一对相互垂直的“H”形缝隙作口径耦合馈电,获得了良好的端口隔离度(在工作频带8.8～9.8 GHz内实测值大于42 dB).该结构用于SAR系统天线的子阵设计时,其网络布置较为简单.基于此设计,研制了八单元直线阵列天线,理论仿真和实验相当吻合,不但测得高的端口隔离度(>30dB),而且实测的交叉极化特性很好(<-32.5 dB).     

基于RBF神经网络的天线阵方向图建模

介绍了径向基函数(Radial Basis Function,RBF)神经网络对阵列天线方向图进行建模的方法,并基于MATLAB仿真平台对由对称振子构成的二元阵、N元边射阵等多种阵列天线进行建模,所有的训练数据是由经典公式计算所得.仿真结果表明经过训练的RBF神经网络可有效地用于阵列天线方向图建模,为天线分析与设计提供很好的帮助.     

低温燃烧技术合成钴掺杂镓酸镁锌复合尖晶石材料

采用Mg(NO3)2·4H2O,Ga(NO3)3·6H2O,Zn(NO3)2·6H2O,CO(NH2)2,NH4NO3及Co(NO3)2·6H2O等为原料,于500℃利用低温燃烧技术成功获得了一系列钴掺杂镓酸镁锌复合尖晶石材料。采用X-射线衍射仪(XRD)、透射电镜(TEM)、F-4500型荧光分光光度计对样品进行分析表征。结果表明,所得产品不是MgGa2O4和ZnGa2O4的简单混合物,而是一种新型的固溶体材料。ZnxMg1-xGa2O4:Co2+(0≤x≤1.0)晶体的晶格常数与掺杂比例x之间存在比较好的线性关系。合成的晶体结晶度高,排列较规整。发射光谱的形状和位置分析表明,可见光区670 nm附近的强发射峰源于四面体位中Co2+的4T1(4P)→4A2(4F)能级跃迁;近红外区的弱发射峰源于四面体位中Co2+的4T1(4P)→4T2(4F)能级跃迁。     

主动光学反射镜面形的校正能力及其优化设计

研究评价主动反射镜的校正能力以及如何获得最大校正能力的方法，在分别计算出各个作动器响应函数的基础上，通过其线性组合使镜面分别产生与Zernike多项式各基元波面尽可能一致的面形，并通过分析比较两者的一致性程度评价主动光学反射镜的校正能力．用有限元法(FEM)进行了静力学分析和计算，从而给出具有最佳校正能力的作动器分布的优化方案．     

红外变焦距光学系统的研究

基于战场环境要求红外光学系统不仅可以兼顾大视场搜索,还能够满足小视场瞄准跟踪的需求,针对160×128元非制冷焦平面阵列探测器,设计了8~12μm波段折射式长波红外连续变焦系统。该系统变焦过程中相对孔径不变,F数为3,变倍比为15∶1,在20~300 mm范围内可连续变焦。用ZEMAX光学设计软件对设计结果进行像质评价,结果表明,系统的调制传递函数接近衍射极限,成像质量优良,满足光学系统的设计要求。     

新型低维结构锑化物红外探测器的研究与挑战

红外光电探测器已经历了半个多世纪的发展,先后出现了机械扫描式单元及线列探测器和凝视型红外焦平面探测器两代探测器技术,并形成了一个庞大的红外探测器器件家族.近年来人们逐渐提出了以高探测率、大面阵、低成本、多光谱为技术特点的第三代红外探测器概念.锑化物红外探测材料以其具备的优越光电性能:量子效率高,暗电流小,微带带隙可调,均匀性高、成本低等,成为第三代红外焦平面探测器的最优选材料.本文回顾了近年来国内外第三代红外探测器材料与器件的研究发展历程,重点阐明了锑化物II类超晶格红外探测材料在技术上的优势及其国内外发展现状.通过分析个多个重点研究机构的技术发展历程,阐明了锑化物材料与器件研究的发展趋势,面临的挑战以及今后数年内该领域的研究重点.     

Toeplitz化技术在舰载圆阵波束形成算法中的应用

把Toeplitz技术应用于舰载环境的均匀圆阵，首先通过预处理技术把阵元空间的均匀圆阵转换为模式空间的均匀线阵，然后对模式空间中均匀线阵的相关矩阵进行Toeplitz化处理，再利用ESB算法进行波束形成．理论分析表明该算法可得到较快的收敛速度，并可实现均匀圆阵的抗相干干扰，计算机仿真证实了方法的有效性．     

A12O3在一次烧结BaTiO3中的作用探讨

 探索了掺微量Al₂O₃和SiO₂的BaTiO₃的一次烧结工艺,该工艺有效降低了烧结温度.应用电子探针、光学显微镜、X射线衍射仪,TN-524能谱等设备对样品进行分析.BaTiO₃瓷体电阻随Al₂O₃掺杂量的变化关系及Al在BaTiO₃中分布情况等实验事实,表明在BaTiO₃烧结过程中Al可能是一种半导化元素,起施主的作用.通过新工艺,得到了性能较好的BaTiO₃热敏电阻.