晶体管击穿电压的数值分析

本文从物理概念出发，推导出载流子在集电结空间电街区发生碰撞电离时基极开路晶体管电流的表达式，并由此得到晶体管的雪崩击穿条件及ｐｎ结二极管的雪崩击穿条件。根据数值计算结果找到了快速、精确计算基极开路晶体管击穿电压的经验公式。     

单向化条件下RC振荡器分析

本文在单向化近似条件下,对滞后型RC 相移振荡器的振荡条件分别在晶体管的低频振荡区、中频振荡区和高频振荡区作出计算.根据本文所导出的设计公式,在实验中获得了150兆赫以下的正弦振荡.本文所用方法适用于其它类型振荡器的分析.     

晶体管脉宽调制放大器非线性特性的研究

本文采用理论分析和实验研究的方法,确定脉宽调制放大器的非线性特性,并提出了计算非线性特性参数的方法,为研究晶体管直流脉宽调速系统的自激振荡,强制振荡和分谐波振荡过程提供根据。     

硅双栅MOS场效应晶体管的模型和实验特性

硅双栅MOS场效应晶体管或称MOS场效应四级管(简写为DG—MOSFET′S),是一种超高频、低噪声、增益可控的新型固体电子器件。本文是根据电流连续性原理系统的推证了该器件的物理模型及实验特性。其结果通过电子计算机所计算出的工作曲线与实测都基本与Brown和Barsan等人的一致。故本文认为这是一种比单栅MOS场效应晶体管(简写为SG—MOSFET′S)性能好,应用更加广泛的MOSFET器件。     

雪崩晶体管振荡电路的实验研究

本文讨论了雪崩晶体营扫描发生器的电路参数对锯齿波形的影响。采用自举电路来提高扫描线性度。实验结果与计算相符合。文中还研究了雪崩晶体管正弦振荡器,实验结果表明,工作在雪崩型式的某些振荡性能要比在正常型式的好。     

氯离子诱导的镍在硝酸溶液中的电流振荡

报道了氯了子诱导的镍在0．5mol.dm^-2硝酸溶液中活化－钝化过渡区电流振荡，在恒电位条件下，随着氯离子浓度的升高或者电极电位的降低，电流振荡由周期性振荡逐渐向非周期性振荡转变，根据实验结果，对该体系的电流振荡机理进行了讨论。     

用延迟效应分析晶体管LC振荡器

一、引言目前,晶体管自激振荡电路引起了人们广泛的兴趣,并且已经在许多方面获得了实际的应用。但是,对它的分析工作以及电路中实际过程的研究还远不及电子管振荡器来得深入。现在,最普遍的是采用网络分析的方法来讨论。这种方法的确解决了一些计算和分析上的问题,但对电路中的物理过程反映得不够明确,若要求更进一步地考虑晶体管的非线性效应,则将变得十分复杂。因此,近年来有些人已开始用一般的振动理论方法,通过微分方程(线性的或者非线性的)来讨论晶体管的自激振荡特性。不过,大部分分析仅限于电路在低频时的工作情况。因为,在这些讨论中并未考虑到晶体管中的载流子扩散时间以及发射极结和收集极结电容的影响,即未考虑到出现在集电极和发射极间的相移效应。所以,当接近于晶体管最高振荡频率附近时电路的性能是无法决定的。为了反映晶体管的这个特性,通常以复数形式来表达它的电流传输系数:     

晶体管超相移因子的精确计算

对晶体管的超相移因子提出一种简单、迅速、精确的计算机计算方法，设计了完整的计算程序。根据决定晶体管性能的关键参数，如：锘区宽度、基区少子扩散系数和基区少子扩散长度等，对晶体管超相移因子进行计算，得到精确的结果。     

一个电化学动力系统中的混合模式振荡

为了研究溴化铟(III)在含有大量硫氰酸钠电解液中扩散电化学系统的电流自激振荡,采用回归映射和庞加莱截面,考察混合模式振荡和混沌现象的动力学状态.根据数值模拟结果得出,电流的时间序列以某一特定序列的形式出现混合模式振荡行为,并且出现了相邻两个周期状态交错出现的周期状态和混沌状态;通过电流的分岔图和周期图,从理论上分析了混合模式振荡行为的有序变化.结果表明:电化学模型呈现出的混合模式振荡行为有着规律的周期性变化,这与现有的文献结果保持一致.     

镍在含硫氰酸根离子的硫酸溶液中电溶解的电流振荡

报道了镍在含硫氰酸根离子的硫酸溶液中电溶解的电流振荡新体系．实验结果表明,在硫酸溶液中,硫氰酸根离子的加入使镍在活化／钝化过渡区产生电流振荡,并且随着SCN^-浓度的升高或电极电势的降低,电流振荡周期逐渐变短．根据电化学实验和拉曼光谱测定结果,初步解释了镍在该介质中的阳极溶解行为和振荡机理．     

硅低温双极型晶体管电流增益的分析

从理论和实验两方面研究了硅晶体管电流增益的低温特性,建立了电流增益的温度模型,阐明了电流增益低温下降的机理,在此基础上探讨了获得具有良好电性能的硅低温晶体管的方法,结论如下:电流增益由发射效率决定时,具有正温度系数,且随温度下降而下降,下降程度随工作电流的减小而增强.发射区采用轻掺杂技术以减小禁带变窄量,并考虑载流子冻析效应,可获得适于低温工作的硅双极晶体管.     

功率晶体管稳态基区电流的两维分布

本文指出了传统的分析功率晶体管基区电流的方法所存在的缺点.文中直接从麦克斯韦方程和电流密度方程出发,导出了一般情况下稳态基区电流的两维表达式,式中参数便于测量,计算结果比传统的一维模型预言的低,而与计算机两维模拟结果相似.     

永磁同步电机飞轮储能系统充放电控制策略

针对飞轮储能系统(FESS)转动惯量大、采用传统矢量控制算法启动时在零速附近容易出现转速震荡的问题,提出了一种新的电机控制方法。该方法用理论计算转速替代模型参考自适应(MRAS)算法的观测转速,并用给定电流替代反馈电流对耦合项进行计算,减小电机转速振荡。在FESS放电时,需要根据负载所需功率调整电机输出功率,针对此问题,采用一种以维持直流母线电压恒定为目标的电机控制方法,同时在FESS投入工作前,用电机当前转速作为传统MRAS算法PI控制器积分项的初始值,加快了MRAS无速度算法的收敛速度。仿真和实验结果表明,与传统控制方法相比,所提出的控制算法能减小电机启动时在零速附近的转速振荡,维持FESS放电时负载的正常工作,保证FESS快速可靠地进行状态切换。     

用改进的EM模型研究数字集成晶体管中的寄生晶体管效应

利用基尔霍夫电流定律修改双极晶体管的EM(Ebers—Mo11)模型，使得它适合描述4层结构的数字集成晶体管．这样通过流经各个PN结的电流的变化，可以研究数字集成晶体管在不同工作状态下寄生晶体管的效应．     

MCML单元电路晶体管尺寸设计

通过建立数学模型得出功耗延时积最优化时对应的MCML电路工作的电流,在matlab环境下得出晶体管大小的最优化算法,由电流和约束条件确定电流源、逻辑运算、有源负载晶体管尺寸大小。     

关于国际电工委员会2000年版热阻标准IEC60747-7中△VBE与IE关系的讨论

指出国际电工委员会标准IEC 747-7的热阻部分,关于晶体管电流电压温度关系的原理图和波形图是错误的,从理论上证明了该标准中的I-V-T曲线与实际情况相矛盾,这一矛盾也被实验所证实;同时给出了同一晶体管在两个不同温度下正确的I-V-T特性曲线和波形图,可以作为修正标准的参考样本.还提供了相应的计算和精确的实测结果.     

高效率E类调谐功率振荡器研究

从理论上阐述了振荡器的最佳工作条件．提供了一种实用的反馈网络和振荡器的设计方 法．实验结果表明．振荡器中晶体管集电极电压、电流波形和效率与采用相同晶体管和同样工作 效率的Ｅ类放大器相同．     

8Fc_(75-0)低功耗运算放大器小电流下晶体管特性的研究

一、引言8Fc75-0低功耗运算放大器,是一种工作在小电流下且性能要求很高的一种线性集成电路,它由纵向 npn 型和横向 pnp 型晶体管及其它元件组成。从线路分析可知:两类晶体管均要求工作在小电流(8～30μA)范围内;击穿电压≥30V;漏电流要很小;输出曲线均匀平直;小电流下的β要大。     

单电子晶体管/场效应管混合存储单元数值分析

基于背景电荷不敏感单电子晶体管／场效应晶体管混合存储单元利用单电子晶体管源漏电流随栅电压周期振荡的牲工作,以半经典的单电子正统理论为基础,采用计算机数值模拟的方法,分析了背景电荷不敏感单电子晶体管／常规场效应晶体管混合存储单元的工作原理和基本特性,提出了存储单元中分别以三结电容耦合单电子晶体管和电子旋转栅替代双结单电子晶体管的新结构,其主要思想是通过增加单电子器件中的串联随道结数来抑制各种噪声。模     

关于国际电工委员会2000年版热阻标准IEC60747-7中ΔV_(BE)与I_E关系的讨论

指出国际电工委员会标准IEC 74 7 7的热阻部分 ,关于晶体管电流电压温度关系的原理图和波形图是错误的 ,从理论上证明了该标准中的I V T曲线与实际情况相矛盾 ,这一矛盾也被实验所证实 ;同时给出了同一晶体管在两个不同温度下正确的I V T特性曲线和波形图 ,可以作为修正标准的参考样本 .还提供了相应的计算和精确的实测结果 .