| 用改进的EM模型研究数字集成晶体管中的寄生晶体管效应 |
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| 引用本文： | 蔡一茂,姬成周,李国辉.用改进的EM模型研究数字集成晶体管中的寄生晶体管效应[J].北京师范大学学报(自然科学版),2003,39(2):184-187. |
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| 作者姓名： | 蔡一茂 姬成周 李国辉 |
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| 作者单位： | 北京师范大学低能核物理研究所,北京师范大学射线束技术与材料改性教育部重点实验室,100875,北京 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金;60244004; |
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| 摘 要： | 利用基尔霍夫电流定律修改双极晶体管的EM(Ebers—Mo11)模型，使得它适合描述4层结构的数字集成晶体管．这样通过流经各个PN结的电流的变化，可以研究数字集成晶体管在不同工作状态下寄生晶体管的效应．
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| 关 键 词： | 数字集成晶体管 EM模型 基尔霍夫电流定律 寄生晶体管效应 PN结 截止电流 双极晶体管 |
| 修稿时间： | 2002年7月12日 |
AN IMPROVED EM MODEL TO STUDY THE EFFECTS OF PARASITE TRANSISTORS IN DIGITAL INTEGRATED TRANSISTORS |
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| Cai Yimao,Ji Chengzhou,Li Guohui.AN IMPROVED EM MODEL TO STUDY THE EFFECTS OF PARASITE TRANSISTORS IN DIGITAL INTEGRATED TRANSISTORS[J].Journal of Beijing Normal University(Natural Science),2003,39(2):184-187. |
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| Authors: | Cai Yimao Ji Chengzhou Li Guohui |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Ebers Moll model parasite transistors Kirchhoff's law |
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