首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
相似文献
 共查询到10条相似文献,搜索用时 15 毫秒
1.
用焚烧炉进行城市垃圾焚烧处理后余下的粉尘中含有严重危及人类身体健康 ,甚至生命安全的二英。该文利用表面脉冲放电研究了静电除尘器中粉尘的表面化学转化 ,结果发现放电后的粉尘颗粒表面产生物理性脆性变化。这表明脉冲放电引起粉尘及其颗粒的有效脆性化。含量分析结果也表明放电后试品中对人体有害的二英含量明显降低。正脉冲放电比负脉冲放电对粉尘中的二英有更明显的转化作用。可以认为 ,利用脉冲放电 ,特别是正脉冲放电 ,非热平衡等离子体能有效地解除和转换粉尘中有害化学物质。  相似文献   

2.
目的 研究二(口恶)英毒性logTEP及QSAR.方法 应用分子疏水常数logkow和分子前沿轨道能EHOMO逐步回归,建立简单的量化毒性方程.结果 量化毒性方程为:logTEF=-1.207 3 logkow- 0.071 6 EHOMO.应用该模型计算了40种典型二口恶英毒性logTEF,同已报道的实验值吻合,结论 该数学模型对二(口恶)英类化合物具有良好的预测能力.  相似文献   

3.
包括二(口恶)英在内的持久性有机污染物近年来引起了各国政府和科学界的极大关注[1~3],初步研究结果表明二(口恶)英不仅对人类有致癌性,还能降低人体免疫能力,具有内分泌干扰作用.多氯代二苯并-对-二曙英类化合物(PCDDs)就是其中的一类,这类化合物共有75个异构体.本文利用分子电性距离矢量(MEDV-13)[4]表征PCDDs异构体的分子结构,结合Levenberg-Marquardt优化的误差反向传播人工神经网络(BP)算法,与PCDDs在不同固定相(DB 5,SE-54,OV-1701,SP2100)上的气相色谱保留行为建立定量色谱保留关系模型.  相似文献   

4.
1,3,4-(口恶)二唑类化合物因具有独特的生物活性和光电性能而被广泛研究,在医药、有机电子和发光材料等领域具有广泛的应用价值.引入多个1,3,4-(口恶)二唑结构单元,常常可以进一步提高此类化合物的功效性.通过将苯甲醛类化合物上的醛基转化为氰基后,再转化为四唑基,然后由苯四唑类化合物和对甲酰基苯甲酰氯反应生成1,3,4-嗯二唑类化合物,此化合物保留了对甲酰基苯甲酰氯带入的醛基,可以进一步地采用相同方法循环反应下去,从而可以得到含有多个1,3,4-(口恶)二唑-苯结构单元的系列链状化合物.  相似文献   

5.
应用logk_(ow)计算二噁英毒性logTEF及QSAR研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
目的研究二口恶英毒性logTEP及QSAR。方法应用分子疏水常数logkow和分子前沿轨道能EHOMO逐步回归,建立简单的量化毒性方程。结果量化毒性方程为:logTEF=-1.207 3 logkow-0.071 6EHOMO。应用该模型计算了40种典型二口恶英毒性logTEF,同已报道的实验值吻合,结论该数学模型对二口恶英类化合物具有良好的预测能力。  相似文献   

6.
采用脉冲电镀法在Q235钢表面制备了Ni-Cr-Mo合金镀层,利用辉光放电光谱仪(GDS)、扫描电子显微镜(SEM)、Tafel曲线和电化学阻抗谱(EIS)考察了镀液温度对镀层元素含量、沉积速率、表面形貌和耐蚀性的影响。结果表明,随镀液温度的升高,镀层镍含量减小,铬含量先增大后减小,钼含量增大;镀层沉积速率稍有增大,镀层表面颗粒尺寸增大,镀层在3.5%NaCl溶液中耐蚀性先增强后减弱;镀液温度为30℃时,镀层最为均匀致密,且具有最大的自腐蚀电位(-0.535V)、最小的腐蚀电流密度(0.123μA·cm~(-2))和最大的电荷转移电阻(2550Ω·cm~2),耐蚀性最好。  相似文献   

7.
脉冲正流注放电形成的非热等离子体,在添加氨气的情况下,硫酸粉尘会降低脉冲正流放电的脱硫效率,其原因就在于正脉冲流注放电能使粉尘荷上正负电荷,本对其规律进行了研究。  相似文献   

8.
以二(口恶)英为主的持久性环境污染物质具有强力的致癌、致畸性、致死性,对人类和动物的健康构成了严重的威胁.本实验使用其中毒性最强的环境污染物质2,3,7,8-四氯-二苯基-对-二(口恶)英(2,3,7,8-tetrachlorodibenzo-p-dioxin,以下略为TCDD) 作为标准对斑马鱼胚胎进行了染毒.实验结果表明TCDD可以引起斑马鱼下颌的短下,并且这种短小是以TCDD的浓度为依存的,通过原位杂交试验表明TCDD引起斑马鱼下颌短小与goosecoid基因以及与形态发育密切相关的ptd基因表达欠缺.因此本试验预示TCDD引起的下颌短小是特异性的,以下颌的短小作为TCDD对斑马鱼形态学发育影响的一种评价指标是有可行性的.  相似文献   

9.
等离子体制备低表面能薄膜性能研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
以六甲基二硅氧烷为反应单体,采用连续与脉冲射频(RF)等离子体两种放电模式聚合低表面能薄膜,研究了连续放电不同功率、脉冲放电不同脉冲宽度和间隔对聚合薄膜性能的影响.通过对薄膜性能的表征:接触角的测量,红外光谱、X光电子能谱和原子力显微镜的结构和表面分析,发现在低输入功率和脉冲等离子体大与空比条件下,可得到表面能低、疏水性能好、表面结构可控的低表面能薄膜.  相似文献   

10.
采用常压射频等离子体放电技术,以六甲基二硅氧烷(HMDSO)和Ar的混合气体为反应源,成功制备了SiO_x薄膜.通过测量放电的电流-电压曲线以及发射光谱,研究不同占空比对射频放电段放电特性的影响;利用扫描电子显微镜(SEM)、X射线能谱仪(EDS)以及X射线光电子能谱(XPS)研究了不同占空比放电条件下沉积的SiO_x薄膜的表面形貌与化学成分.研究结果表明,占空比对射频放电段的放电特性影响不大,但是随着放电脉冲占空比的增加,薄膜表面变得不平滑,椭球形颗粒增多,薄膜中无机成分也相应增加.  相似文献   

设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号