双极型集成电路寄生效应对饱和压降的影响分析

本文深入分析了双极型集成电路中,寄生PNP效应对NPN管本征饱和压降的影响,指出由于寄生效应,在同样的集电结正偏压下,NPN管的饱和深度降低,本征饱和压降升高;同时也给出了用Abers-moll模型计算极限饱和压降的简便方法。     

GTR饱和区特性及其安全保护

分析了大功率晶体管（ＧＴＲ）饱和区伏安特性,测量了不同驱动条件和工作温度下ＧＴＲ的集电极压降和集电极电流的关系．结果表明,存在一个饱和压降阈值,超过这个阈值后,过流将产生．据此设计了一种快速有效的过流保护电路．     

基于神经网络的IGBT结温预测

针对大电流下绝缘栅型双极晶体管(IGBT)饱和压降和集电极电流与结温之间的非线性关系带来的结温预测难题,搭建了大电流下IGBT饱和压降测试系统,获取了结温和集电极电流与饱和压降之间的非线性关系曲线,分析了关系曲线变化规律对应的物理机制.采用Matlab软件建立了误差反向传播(BP)神经网络模型和径向基函数(RBF)神经网络模型进行结温预测.与多项式数学模型预测结果对比表明:两种神经网络模型的预测相对误差和预测误差90%置信区间比多项式数学模型更小,结温预测精度更高;并且BP神经网络模型的预测精度高于RBF神经网络模型,结温预测模型选择时应优先考虑BP神经网络模型.     

BSIT开启特性的研究

双极型静电感应晶体管以其高电流增益，低饱和压降以及高的开关速度等优异性能受到人们的广泛关注，但对其作用机制，特别是正栅压下的开启特性还需进一步深入研究。在实验观测的基础上，对ＢＳＩＴ开通过程进行了理论分析和二维数值模拟。     

牛20高压低渗透油藏的开发

本文对牛２０高压低渗透低饱和岩性油藏开发过程进行较系统的分析，初步总结出低渗透油藏在特殊地质条件下开发的基本作法：油层压裂改造；依据地层裂缝方向布署注采井网；适时选择注水时机，及时补充地层能量；采用高压注水，水质精细过滤，密闭输送工艺配套，注水量保持长期稳定。并取得较好的开发效果。     

离子热合成研究进展

离子液体具有蒸气压低、稳定性好、离子电导率高、电化学窗口宽、溶解度大、可设计性强等优点。离子液体可用作无机合成中的溶剂、结构导向剂和模板。离子热合成是在离子液体中进行的一种新的合成方法。综述了近年来离子热合成在无机材料制备中的研究进展。     

新型丝网波纹填料的流体力学特性研究

对北京化工大学设计的BHS-Ⅳ新型丝网波纹填料进行了流体力学性能研究。应用空气-水系统，在500mm的有机玻璃塔中进行实验。测定了此填料在不同气液负荷下的填料压降和不同喷淋密度下的液泛点，并回归出了干塔压降、湿塔压降和液泛点的关联式。获得了此新型填料的基础数据，为更合理的设计填料提供依据。     

相对论Hartree近似下的不可压缩因子

本文在平均场理论框架下。用手征对称破缺模型讨论了原子核的不可压缩因子,确定了手征破缺模型满足核物质饱和性的耦合参数。将所得到的结果与walecka的σ-ω模型比较,发现不可压缩因子有所压低,较σ-ω模型更加接近实验值。     

牛20高压低渗透油藏的开发

本文对牛２０高压低汉透氏饱和岩性油藏开发过程进行较系统的分析，初步总结出氏渗透油藏在特殊地质条件下开发的基本作法，油层压理解改造；依据地层裂缝方向布署注采井网；适时选择注水时机，及时补充地层能量；采用高压注水，水质精细水滤，密闭输送工艺配套，注水量保持长期稳定，并取得较的开发效果。     

裂缝性地层压降曲线分析方法及其应用

对于裂缝性低渗透储层，由于其基质孔隙度小、渗透率低，天然微裂隙成为决定压裂液滤失的主要因素。在总结Nolte经典G函数压降曲线分析方法的基础上，根据裂缝性地层存在微裂隙的特征，建立了裂缝性油气藏小型压裂压力降曲线分析模型。应用无因次压力函数图和叠加导数图，作出了压降特征曲线，判断出压降曲线类型，进而对裂缝参数进行了修正和求解。通过对已压裂井压降曲线的分析和解释，能够明显地判别依赖于压力变化的滤失特征，以及天然裂缝对滤失的影响，从而为裂缝性地层压裂施工参数的设计提供依据。     

无电解电容的宽范围输入电压半桥LLC数控开关电源设计

目前半桥LLC谐振电源中大多采用电解电容进行滤波,针对电解电容的电解液挥发产生的寿命低缺点。本设计采用了高寿命的CBB电容来代替电解电容进行滤波。但CBB电容容值低,滤波效果差,带来电压纹波大,输入电压范围宽的问题,因此本设计以STM32作为主控芯片,采用变频控制(PFM)与变脉宽控制(PWM)相结合的控制方法解决这一问题。经试验验证,本设计在使用CBB电容代替电解电容,宽输入电压范围的情况下,能够在一定的电压纹波内达到稳压效果,可以实现电源的高寿命。     

基于非线性电感模型的稳压变压器的建模研究

论文通过对稳压变压器的基本结构和工作原理的分析提取出饱和电抗器作为稳压变压器的一个元件。饱和电抗器经非线性化处理后引入稳压变压器的等效电路中。用MATLAB对实验数据进行拟合得出饱和电抗器的模型,以此为基础对稳压变压器模型进行仿真分析,同时得出模型的输出信号的频谱。仿真结果证明了仿真模型高度接近实物。     

一种可程控参考电压源电路设计

该文设计的可程控参考电压源电路,具有低温度系数、高电源抑制比、范围可调的性能;设计由外部输入数字信号而转换为芯片内部的参考信号的开关电阻分压电路,不仅提供了与转换相对应的参考电压,还提供了整个芯片其他电路所需的基准电压。这种电路可广泛地应用在可程控微电路中,通过Mutisim2001仿真和实验,得到较好的电压输出特性。     

一种低电压、低功耗CMOS基准电压源的设计

本文设计了一种低电压、低功耗、高电源抑制比CMOS基准电压源。该电路基于工作在亚阈值区的MOS管,利用PTAT电流源与微功耗运算放大器构成负反馈系统以提高电源电压抑制比。SPICE仿真显示,在1V的电源电压下,输出基准电压为609mV,温度系数为72ppm/℃,静态工作电流仅为1.23μA。在1-5V的电源电压变化范围内,电压灵敏度为130μV/V,低频电源电压抑制比为74dB。该电路为全CMOS电路,不需要用到寄生PNP三极管,具有良好的CMOS工艺兼容性。     

一种高性能的BiCMOS带隙基准电压源

提出了一种新颖的利用负反馈环路以及RC滤波器提高电源抑制比的高精密CMOS带隙基准电压源．采用上海贝岭的1．2μm BiCMOS工艺进行设计和仿真,spectre模拟表明该电路具有较高的精度和稳定性,带隙基准的输出电压为1．254V,在2．7V-5．5V电源电压范围内基准随输人电压的最大偏移为0．012mV,基准的最大静态电流约为11．27μA;当温度-40℃-120℃范围内,基准温度系数为1mV;在电源电压为3．6V时,基准的总电流约为10．6μA,功耗约为38．16μW;并且基准在低频时具有100dB以上的电源电压抑制比（PSRR）,基准的输出启动时间约为39μs．     

一种新型高精度低压CMOS带隙基准电压源

为消除运算放大器失调电压对带隙电压精度的影响,采用NPN型三极管产生ΔVbe,并设计全新的反馈环路结构产生了低压带隙电压.电路采用SMIC 0.18μm CMOS工艺实现,该新型低压带隙基准源设计输出电压为0.5V,温度系数为8ppm/℃,电源抑制比达到-130dB,并成功运用于16位高速ADC芯片中.     

半导体激光器结电压饱和特性及其与器件可靠性的关系

本文讨论了半导体激光器的结电压饱和特性,并给出了其可靠性和结电压饱和特性关系的实验结果.     

对保护接地产生的接触电压和跨步电压的探讨

为了防止触电 ,除了应严格遵守安全操作规程外 ,还应采取保护接地措施。电气设备的接地部分与大地零电位点之间存在对地电压。在短路接地回路上 ,人体接触电气设备带电外壳的点与站立点之间存在接触电压。而在距接地体 2 0m范围内 ,人的两只脚之间存在跨步电压。跨步电压较高时 ,人体就会触电。该文对保护接地、接触电压、跨步电压间的关系进行探讨。     

一种高精度的数字调压器

本文介绍了一种廉价的高精度数字调压器.该调压器以TP801单板机直接作为固态继电器的触发装置,可使触发角分辨率达到0.036度,相对调压最大级差为万分之五.该装置结构简单,设计合理,具有一定的实用性.     

基于电压/频率转换的极简交流电压测量方法

为解决现有交流电压幅值测量方法中对模数转换器性能要求高、硬件电路复杂的问题,采用电压/频率 转换器将交流电压幅度信息调制成数字频率信号,通过分析数字频率信号,可计算出调制前的交流电压幅值。 推导出变换周期内电压/频率转换器的输出频率与输入交流电压幅值的数学关系; 在此基础上设计出仅含有电 压/频率转换芯片和一片双运放的交流电压幅值检测电路。实验结果表明,该方法正确,电路设计合理有效。 该方法利用数字频率信号易积分特性,将每个测试值均用于计算待测信号的幅度,提高了测试数据的利用率, 且简洁的电路设计提高了测量的稳定性。