Au—Si界面的室温反应

本文利用XPS研究了在超高真空条件下形成的Au—Si(113)界面初始阶段的室温反应,测量了Si2p、2S和Au4f光电子发射峰的强度和能量位置随Au复盖量的变化。所有的结果都表明,与Au—Si(111)和Au—Si(100)系统一样,存在一个发生界面室温反应的临界Au厚度～5ML,从而推断,这个现象可能是Au—Si界面形成过程的普遍特性。根据我们的实验结果,还讨论了Au—Si界面形成的可能模型。     

金属间化合物Ni3Al反相畴界能及层错能的改进分析型嵌入原子法计算

采用改进分析型嵌入原子法(modified analytical embedded atom method,MAEAM),计算了L12型金属间化合物Ni3Al的层错能及可能存在的3种反相畴界(001)(、011)和(111)的畴界能,其数值分别为16.43、61.77、78.22和132.50 mJ/m2.从能量最小化考虑,在越过居里点(Tc=1 395℃)的降温过程中,金属间化合物Ni3Al发生无序与有序相变的最可几界面依次为堆垛层错、(001)(、011)和(111)反相畴界.     

Ag在单晶硅(111)基面上的反应润湿与固液界面能计算

采用滴座法研究Ag在高定向生长单晶硅(111)基面上的高温反应润湿行为及固液界面结构.结果表明,Ag/Si(111)润湿体系在1 200℃高温下的最终润湿角为96.7°,呈现不润湿现象,反应润湿界面有Si原子溶解到液态Ag中,但没有新相生成,Si和Ag仍以单质形式存在,因此Ag(l)/Si(s)界面能保持不变.通过计算得到1 200℃下Ag/Si(111)润湿体系的固体表面能和固液界面能分别为565.6和667.1 mJ.m-2.     

Au／MgO（001）界面上Au原子与点缺陷相互作用的第一性原理研究

采用基于密度泛函理论的第一性原理平面波赝势方法,系统地研究了Au／MgO（001）界面中8种晶格匹配方式的电子结构和化学键特征．界面处原子间距、界面能以及电子密度分布显示不同点缺陷与Au原子层相互作用的微观机制存在明显差异,并且界面体系稳定性和Au原子生长模式与界面原子排列方式密切相关．     

Au原子在Si（001）表面扩散的第一原理研究

本文用第一原理总能理论研究了金属Au在Si（001）面的吸附与扩散。计算表明,Au原子的稳定吸附住置处于顶层四个Si原子的中心,当Au原子处于其它位置时,体系能量较高,Au原子容易向稳定位置扩散。在热运动下,Au原子向衬底内部扩散需要克服较小的势垒,这可能是Au／Si（001）界面存在混合层的原因之一。     

Au原子在H-Si（001）表面扩散的研究

本文用第一原理总能理论研究了金属Au在H-Si(001)表面的吸附与扩散。计算表明,Au原子的吸附不能打破Si二聚体键,其稳定吸附位置处于一个Si二聚体的中部;同时还给出了Au原子处于其它位置时的能量以及相对于Si(001)表面的高度,分析了Au原子在H-Si(001)表面的可能扩散路径。     

Si/SiO2/p-Si结构的电学特性

用射频磁控溅射法在p-Si衬底上制备了Si/SiO2薄膜,利用Au/(Si/SiO2)/p-Si结构的I-V特性曲线对其电学特性进行了分析。结果表明,样品具有很好的整流作用,起整流作用的势垒存在于(Si/SiO2)/p-Si界面附近。     

Ag在Si(001)-(2×1)表面化学吸附的第一性原理研究

用紧束缚下的Muffin-tin轨道线性组合方法研究了0.5个单层Ag原子在Si(001)-(2×1)表面的化学吸附.计算了Ag原子在不同位置时吸附体系的能量.结果表明,Ag原子在cave位时吸附最稳定,在Ag/Si(001)界面不存在Ag-Si混合层,Ag/Si(001)界面为突变界面.同时对电子转移情况和层投影态密...     

Al(OH)(1,4-NDC)·2H_2O在硅及其改性基底上取向生长的研究

该文采用溶剂热合成方法,制备Al(OH)(1,4-NDC)·2H_2O粉末样品及其在Si、Au/Si、COOH-Au/Si基底上的薄膜,并通过X射线广角衍射法检测其在基底表面上的取向生长,发现在Si和Au/Si基底上的Al(OH)(1,4-NDC)·2H_2O配位聚合物沿着[100]的方向生长。实验表明,通过增加反应时间(24~72 h),基底上的晶体不断增大,衍射特征峰也不断增强,说明延长反应时间有利于Al(OH)(1,4-NDC)·2H_2O薄膜的取向生长,这为配位聚合物在硅及其改性基底表面上制备有取向的MOFs薄膜提供了理论依据。     

射频磁控溅射制备c轴取向LiNbO3薄膜研究

采用射频磁控溅射技术,用富Li的LiNbO3靶材在Si(100)和Si(111)基底上制备了LiNbO3薄膜.通过X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和X射线光电子能谱(XPS)对LiNbO3薄膜的结晶程度、晶体取向和表面形貌及薄膜与基底结合处的界面结构进行了研究.结果表明:样品在空气中经1 000℃退火1 h处理后,薄膜与Si基底界面处有SiO2生成,得到的LiNbO3薄膜结晶性好,具有高c轴取向,晶粒排列致密且粒径尺寸均匀.     

声学界面自旋波与界面各向异性

考虑了外磁场，体和界面各向异性后，详细研究了铁磁或反铁磁层间耦合下自旋双链系统中的声学界面自旋波及其存在的充要条件，发现在适当的界面各向异性的条件下，该系统可以存在０，１或２个声学界面自旋波，其能量随铁磁层间耦合强度的增大而升高，却随反铁磁层间耦合强度的增大而降低。     

大型工程项目中代建方的组织界面管理

集成是工程项目管理的发展趋势,和谐是工程项目管理的最佳状态,界面是通往和谐之路的管理要塞.文章介绍了组织界面管理理论的相关概念,分析了大型工程项目中代建方所面临的主要组织界面障碍及成因,提出了相应的组织界面管理措施,即管理模式优选创新化,组织结构设计扁平化,工作任务及管理职能分工清晰化,工作流程集成化和工程信息管理网络化.     

A-B-A系统界面各相异性与声学型界面自旋波存在条件

计入外磁场、铁磁和反铁磁层间耦合、体和界面各向异性后,研究了Ａ－Ｂ－Ａ三链系统中物声学型界面自旋波及其存在条件,结果发现,在此系统中,存在奇、偶两种不同宇称的声学型界面自旋波,在没的界面各向异性条件,这两种声学型界面自旋波解的个数分别在０￣２之间变化。     

Effect of the Interface Anisotropy on Optical Interface Spin Waves in an A-B-A System

计入外磁场、体和界面单轴各向异性后，研究了铁磁和反铁磁层间耦合的Ａ－Ｂ－Ａ三链系统中的光学界面自旋波及其存在的充要条件．结果发现，在三链系统中，有两种不同类型的光学界面自旋波，它们在不同界面各向异性条件下，均可存在０～２个自旋波解     

声-光型界面自旋波与界面各向异性

在考虑了外磁场、界面各向异性后，详细研究了铁磁和反铁磁层间耦合下自旋双链系统中的声－光型界面自旋波及其存在的充要条件．在适当的界面各向异性条件下，系统中可以存在０、１或２个声－光型界面自旋波，并发现其能量随铁磁层间耦合强度的增大而升高，随反铁磁层间耦合强度的增大而降低．     

光学界面自旋波与界面各向异性

计入外磁场、体和界面单轴各向异性后，详细研究了铁磁或反铁磁层间耦合的自旋双链系统中的光学界面自旋波及其存在的充要条件．结果发现：对于不同的界面各向异性，该系统可以存在０、１和２个光学界面自旋波，其能量随铁磁层间耦合强度的增大而升高，却随反铁磁层间耦合强度的增大而降低．     

用单片机实现GPIB接口功能

本文研讨用单片机实现GPIB接口功能,这些功能全在IBM-PC机上调试通过。     

Matlab与C接口分析及实现

针对Matlab与C语言这两种最常用的科学研究语言之间难以直接结合的问题，在比较分析各种Matlab与C语言常用接口方法及其各自优缺点的基础上，提出了针对不同情况下不同接口的适用条件和判断依据，从而解决了两种语言开发周期长的问题．研究开发人员在联合编程时可以根据不同的实际情况采用合适的接口策略，最终达到缩短开发周期、提高软件功能、联合编程更易于实现的目的．仿真实验证明了这些适用条件和判断依据的可行性和有效性。     

层间耦合与界面自旋波的存在条件

研究了磁场中层间为铁磁性和反铁磁性耦合的两个半无限铁磁自旋链中的界面自旋波及其存在条件。结果表明：在给定链的参数后，对于铁磁性耦合，最多可存在光学－光学型和光学－声学型两种界面自旋波，而对于反铁磁性耦合，则最多可存在光学－声学型和声学－声学型两种。     

A—B—A三链系统层间耦合与界面自旋波存在条件

研究磁场中具有单轴各向异性的Ａ－Ｂ－Ａ结构自旋链中的界面自旋波及其存在条件。详细讨论了外场等物理因素对存在条件的影响。