氟化并五苯分子在半金属Ga表面的自组装单层

采用超高真空扫描隧道显微镜(UHV-STM)和分子束外延(MBE)系统,研究了在半金属镓表面上的氟化并五苯(perfluoropentacene)分子的自组装单层结构.在室温下氟化并五苯分子在镓表面表现出较高的迁移性.随着覆盖度的增加,氟化并五苯分子从最初形成的两维无序结构演化到有序排列的分子自组装单层.高分辨的STM图像表明,氟化并五苯分子结合成分子二聚体,并平铺在衬底表面.随着覆盖度的进一步增加,第二层氟化并五苯分子"直立"在第一层分子上面.这表明分子-衬底之间的相互作用大于两分子层之间的范德瓦尔斯相互作用.     

氟改性超支化缩水甘油醚的抗乳化性能研究

以2,2-二氟-1,3-二甲基咪唑酮(DFI)为氟化试剂取代聚缩水甘油醚的端羟基,通过改变反应温度,合成出羟基取代程度不同的氟化聚缩水甘油醚.使用NMR、羟值、碘值等测定方法表征了氟化产物结构,使用抗乳化性能测定仪研究其抗乳化性能,并利用界面弛豫法研究了其抗乳化机理.     

水热法制备氟化石墨烯

以石墨为原料,由Hummers法的改进方法制备氧化石墨烯,再采用水热法对氧化石墨烯进行氟化,获得氟化石墨烯。利用X射线衍射(XRD)、傅立叶红外光谱(FTIR)、拉曼光谱(Raman)、原子力显微镜(AFM)对其结构和微观形貌进行表征。FTIR和Raman结果表明氟化产物的化学结构中存在C-F键,且D峰(1350 cm-1处)和G峰(1580 cm-1处)所对应的强度比ID/IG在氟化后明显变大,即氟化造成碳结构缺陷,规整性下降。AFM显示氟化石墨烯具有纳米层状结构,厚度约为4 nm。该法成本较低,工艺简单,易于控制,对设备要求不高,有望实现氟化石墨烯的大规模制备。     

氟化度及单轴应力对氟化石墨烯结构稳定性和能带的影响

采用基于密度泛函数理论的第一性原理,通过计算研究了四种(Chair、Zigzag、Boat、Armchair)双面全氟化石墨烯(N_C∶N_F=1∶1)构型,发现Chair型氟化后的石墨烯构型最稳定。在此基础上,系统研究了以Chair形式氟化时不同氟化度和单轴应力对氟化石墨烯结构稳定性与能带的影响.计算结果表明:氟化度越高氟化石墨烯结构越稳定,且双面氟化石墨烯较单面氟化更稳定。对构造的全氟化石墨烯体系沿X方向施加压(拉)应变时,石墨烯体系的起伏高度随单轴应变的增加而减小,导带底和价带顶均发生微小移动、带隙逐渐减小,带隙在轴向压应力作用下减小得更快.     

氟化酚类化合物结构与生物毒性关系研究

根据非氢原子类型分类、基于非氢原子相对电负性和非氢原子间距离等进行计算得到的分子电性距离矢量(MEDV)为描述子,对16种氟化酚类化合物的结构进行了表征.运用多元线性回归(MLR)方法,研究并建立了氟化酚类化合物定量结构与生物毒性关系的5变量模型,其复相关系数(R)为0.914.上述模型对16种氟化酚类化合物毒性的预测值与实验值能较好吻合,留一法交互检验的复相关系数(RCV)为0.856.结果表明所建模型具有良好的稳定性和预测能力.     

十六烷硫醇氟化分子非弹性电子隧穿谱理论研究

本文理论计算了十六烷硫醇氟化分子的非弹性电子隧穿谱(IETS).计算结果表明该类型分子的IETS中不存在C—F伸缩振动模的贡献,而且高电压区域IETS谱对应的C—H伸缩振动模式来源于分子的亚甲基基团(—CH2—).本文的计算结果与实验测量结果符合得较好.     

由2,3—二氯硝基苯合成2,3,4—三氟硝基苯

提出了一种以２,３－二氯硝基苯为原料,经氟化,高温氯化,硝化,再氟化反应合成２,３,４－三氯硝基苯的新工艺路线。探索了各步反应的工艺条件,对其中的关键步骤氟化反应,使用相转移催化剂取得较好的效果,反应收率比溶剂法提高１０％左右,实验表明,该合成路线具有原料成本低,反应条件缓和,操作方便等优点。     

2,5-二氯硝基苯微波促进氟化反应的研究

该文讨论了微波作用下2，5—二氯硝基苯的卤素交换氟化反应，以二甲基亚砜(DMSO)作溶剂，氟化钾作氟化剂，微波功率225W时，反应1h，2，5—二氯硝基苯的转化率为97．6％，5—氯—2—氟硝基苯的收率为54．4％。相同条件下，不用微波照射，得到相近收率需要反应10h。实验还发现，微波照射下2，5—二氯硝基苯的卤素交换氟化反应存在明显的脱硝基的氟化副反应。在适当的条件下脱硝基氟化副产物的量可占产物的35．1％。对实验结果进行了初步的分析和讨论。     

半氟化的石墨片电子和磁特性

通过密度泛函理论研究了半氟化石墨片的电子结构和磁性特点,结果发现它是带隙约为1.00 eV的反铁磁间接带隙半导体。由于氟原子对被氟化的碳原子的吸引作用,被氟化的碳原子与未氟化的碳原子分属于两个不同平面,面间距离达到0.286,C-C键长也增加到1.501。通过半氟化,实现了材料由无磁性向反铁磁的转变,并打开了带隙,这预示着在未来的纳米功能材料中可能的应用。     

超临界二氧化碳中氟化合成对氟苯甲醛

研究了在超临界二氧化碳中的卤素交换氟化反应,以对氯苯甲醛(PCAD)为原料,通过亲核取代反应,在添加助溶剂的超临界二氧化碳中合成对氟苯甲醛。研究结果表明:氟化剂、反应时间、反应压力、超临界二氧化碳及其助溶剂对反应结果有重要影响;四丁基氟化铵为氟化剂,甲醇为助溶剂,在反应时间为4h,反应压力为9MPa时,产物对氟苯甲醛的收率可以达到48.1%。     

氟化亚铕的制备和表征

氟化亚铕是重要的低价稀土离子激活源，其制备以往主要采用氢气还原法和金属还原法，这些方法不是具有危险性，就是成本太高，给实际应用带来困难，在发光材料的合成和研究过程中，偿试用碳粉还原制备氟化亚铕，并用Ｘ射线衍射和荧光光谱方法和进行分析表征，实验结果表明，铕用碳粉还原法制得了整比的氟化亚铕，取得了预期结果     

Xe的氟化物的结构

本文从各种化学键理论出发，讨论了几种氟化氙的分子结构。     

两种传压介质下氟化锶的高压相变研究

采用高压拉曼实验技术和高压同步辐射技术对氟化锶的高压相变及卸压过程进行研究.两种传压介质下的高压拉曼和高压同步辐射实验结果表明,氟化锶在5~6 GPa会发生由立方相到正交相的结构相变.在卸压过程中相变具有较强的滞后性,这是由氟化锶的自身属性决定的,与实验选择的传压介质无关.当样品卸至常压后,当氟化锶内部的残余应力完全释放后其相变是可逆的.该结果为进一步研究其它碱土金属氟化物的高压相变和物理性质提供了重要的实验依据.     

氟化铵干法制氟化钾试验研究

本文采用磷肥副产氟硅酸生产的氟化铵和氢氧化钾为原料干法制备氟化钾。通过单因素实验考查反应温度、反应时间、反应时搅拌桨的转速、干燥温度、原料摩尔比n(KOH)/n(NH4F)该反产品质量及收率的影响。优化得到氟化铵干法制备氟化钾的工艺条件。     

半导体使用气三氟化砷的研制

以砷单质和氟气为原料,采用气固法制备三氟化砷,研究了反应温度和反应物氟气压力对反应的影响。结果表明,制备AsF3的最佳条件：反应过程温度控制在300℃左右,氟气压力控制在0.1MPa。此条件下,得到纯度99%以上的三氟化砷产品。     

二氟二氯甲烷氟化反应器的改进

介绍了二氟二氯甲烷低压氟化反应的生产过程,指出和剖析了生产技术中存在的问题,提出了采用外循环加压氟化反应器的改进措施．改进后的反应器具有生产能力大,反应气质量好,催化剂损耗低等特点     

氟化锶纳米板的高压相变行为研究

利用原位高压同步辐射X-ray衍射方法对合成的氟化锶纳米板进行高压结构相变研究,发现纳米板在6. 3 GPa和27. 7 GPa发生由立方相到正交相再到六角相的两次结构相变,卸至常压后相变是可逆的.拟合后得到立方相和正交相结构体弹模量分别为85(3) GPa和77(3) GPa.氟化锶纳米板在高压下表现出与体材料相同的相变行为和压缩特性其原因是制备的纳米板存在较多的缺陷,其缺陷的影响与氟化锶体材料中缺陷的影响相同,压力下缺陷处应力较大,导致相变发生.     

二氟化硼-二吡咯甲烷(BODIPY)类荧光试剂柱前衍生高效液相色谱分离荧光检测磷酸化氨基酸

建立了采用新型荧光试剂1,3,5,7-四甲基-8-苯基-(4'-O-(N-琥珀酰亚胺乙酸酯))-二氟化硼-二吡咯甲烷(TMPAB-OSu)为衍生化试剂的柱前衍生高效液相色谱分离荧光检测分析方法测定三种磷酸化氨基酸.在最佳的实验条件下,方法测定磷酸化丝氨酸(P-Ser)、磷酸化酪氨酸(P-Tyr)、磷酸化苏氨酸(P-Thr)的线性范围为0.05～2.5×10-6mol/L;检出限为2×10-9mol/L.     

三氟化氮泄漏在线监测系统设计及应用

为了实现三氟化氮生产及灌装车间三氟化氮气体的泄漏监测,研究了一套基于超高温裂解原理的三氟化氮泄漏在线监测系统。该系统采用MSP430单片机作为主控芯片,具有响应速度快、测量准确、误码率的特点,能够最低检测到0.1 ul/L的泄漏,信号能够直接接入厂区的DCS系统。     

功能化氮化硼纳米管磁性的理论研究

本文采用密度泛函理论计算研究了氢化/氟化BN纳米管的自发磁化现象.研究结果表明：单个H原子/F原子倾向于吸附在B位,且均能够诱导自发磁化.两个H原子/F原子吸附在B位上时也可以使体系发生自发磁化,而具有磁性的氢化BN纳米管是一种亚稳结构.与此相反,具有磁性的氟化BN纳米管是稳定结构,其磁矩随着覆盖率的增加而增大,其电子学性质与氟原子在BN纳米管表面的覆盖结构有关.因此,具有磁性的氟化BN纳米管比氢化BN纳米管在实验上更容易实现.可以预见,磁性氟化BN纳米管将在自旋电子器件的制作中发挥巨大的应用价值.