低温下硅双极晶体管基区高注入禁带变窄效应

重掺杂效应是引起基区禁带变窄的主要原因，但是高注入也将引起禁带变窄效应，这一影响在低温下尤其明显。本建立了低温下硅双极晶体管基区高注入禁带变窄效应的计算理论模型，获得的计算值与实验结果相一致。     

低温高速双极晶体管基区的优化设计

本文考虑禁带变窄效应和载流子冻析效应，分析了基区掺杂浓度的分布、基区峰值浓度的大小及位置对基区渡越时间的影响，结合基区电阻的温度模型，对低温度高速双极晶体管的优化设计作了探讨。     

硅日光电池中某些物理参数的测定

硅 PN 结高掺杂区载流子复合、禁带收缩等特性对硅 PN 结静态和动态性能的影响,已受到人们的重视.测定 PN 结高掺杂区有效寿命、禁带收缩、过剩电荷等参数的实验方法,已于1977年发展起来.测试研究过的对象有:特制的硅 P+N 结二极管实验样品, 0.1Ω-cm 硅 N+P 结日光电池实验样品,均匀掺杂宽基区 NPN 晶体三极管实验样品.     

硅赝异质结双极晶体管的电学参数性能分析

具有重掺杂基区和中等掺杂发射区的硅赝异质结双极晶体管，其能带结构类似于真实异质结双极晶体管的能带结构。本文研究了硅赝质结双极晶体管的电流增益，截止频率和基区电阻等电学参数性能及其与温度的关系。并指出了硅赝异质结双极晶体管在低温下应用的潜力。     

nSi/pSi0.8Ge0.2/nSi与nSi/pSi/nSi晶体管直流特性的比较

采用一维有限差分方法,对生长在Si(001)衬底上的Si0.8Ge0.2应变基区异质结双极晶体管(HBT)与Si同质结双极晶体管(BJT)的直流特性进行了数值分析;给出了高斯掺杂情形下,基区中Ge含量为0.2的Si0.8Ge0.2HBT与Si同质双极结晶体管(BJT)的共射极电流放大系数图、Gummel图、平衡能带图和基区少子分布图,对比结果表明基区中Ge的引入有效地改善了晶体管的直流放大性能;其次对Si0.8Ge0.2HBT与SiBJT的大电流特性进行了比较,证实了在大电流下异质结基区少子向集电区扩展引起的异质结势垒效应,使Si0.8Ge0.2HBT的直流放大系数比SiBJT的放大系数下降更快这一实验结果.     

金属Fe、Y单掺杂TaON的电子结构和光学性质研究

采用基于密度泛函理论的从头算平面波超软赝势方法,研究金属Fe、Y单掺杂对斜锆石相TaON电子结构和光学性质的影响.研究结果表明,掺杂后TaON电子结构和光学性质的变化主要源于杂质原子d态电子的贡献.Fe、Y掺杂均在禁带中引入了新的杂质能级,并使费米能级处的态密度值有所增加,带隙宽度有所减小,从而导致吸收光谱的吸收边沿发生明显的红移,说明Fe、Y掺杂对于提高TaON的可见光催化性能和电输运性能起到很好的促进作用.两相比较,就提高光催化性能和电输运性能来说,Fe掺杂的效果优于Y掺杂.     

SiGe异质结双极晶体管基区渡越时间分析

对SiGe异质结双极晶体管(HBT)的基区渡越时间进行了计算和分析,考虑了基区掺杂和Ge组分分布对本征载流子浓度和电子迁移率的影响,以及大电流密度下产生的感应基区(CIB)的渡越时间.结果表明,Ge组分为转折点X1/Wb≈0.12的矩形-三角形分布时,可得到最小的基区渡越时间;Ge分布对SiGe和Si的有效态密度之比的影响很小,但对迁移率的影响较大;基区掺杂为指数分布或高斯分布对基区渡越时间影响很小.     

GaAs/AlAs弱耦合掺杂超晶格中存在电流自激振荡的掺杂和电压条件

结合宏观和微观模型 ,对GaAs AlAs弱耦合掺杂超晶格的纵向输运问题进行模拟计算 ,并给出产生电流自激振荡时的掺杂浓度和固定偏压的范围 .计算结果与实验数据基本吻合     

B、N掺杂4-ZGNR电子输运性质的理论计算

运用密度泛函理论结合非平衡格林函数的方法,对锯齿型石墨烯纳米带4-ZGNR掺杂B、N原子的电子输运进行了计算.结果得到在0～1.0V的电压范围内,4-ZGNR及其分别掺杂B、N原子3种纳米器件的电流-电压曲线具有明显的非线性关系;掺杂B、N对4-ZGNR费米能级附近电子的输运起到了一定抑制作用,在一定能量区域的电子存在完全共振背散射;4-ZGNR掺杂B原子后表现出负微分电阻现象.     

基于载流子双极输运的二极管电流模型

讨论在考虑过剩多子、双极漂移、双极扩散以及丹倍电场作用下p-n结载流子的输运问题.采用不同于传统肖克莱理论的方法,从过剩多子角度入手,以长基区p+-n结的n型准中性区为例,研究了其中的载流子输运.在考虑双极扩散和双极漂移过程后,指出因双极扩散而产生的丹倍电场在调节载流子输运中的重要作用,并用实验测量、理论分析和数值模拟方法对双极输运和丹倍电场与过剩多子之间的关系加以验证.指出在一个扩散长度内多子电子的漂移电流受到丹倍电场强有力的调节作用.提出了考虑丹倍电场后的漂移电流以及另外三种电流分量和总电流模型,其结果和数值模拟相符,这一模型有助于更加全面准确地理解半导体p-n结理论.     

长江口北槽悬沙输移机理分析

运用通量机制分解法对长江口北槽深水航道的实测水文泥沙资料进行了分析,将悬沙通量分解成了8个动力项,从平流输沙、潮泵效应输沙和垂向净环流输沙三方面综合分析了长江口北槽的悬沙输移特征。研究结果表明:在水文资料实测年份时,北槽输沙主要来源于上游来沙;平流输沙项占总体净输沙的比重最大;潮泵输沙所占比例较小;航道内的各测点的垂向净环流输沙主要受欧拉余流控制;深水区悬沙含量垂向变化明显,河口浅水区,表底余流方向不同,垂向净环流输沙作用增强。     

辐射沙洲东大港潮流水道悬沙输移机制分析

以东大港潮流水道4号站位的水、沙实测资料为例,利用悬沙通量机制分解法、功率谱分析法,对东大港潮流水道悬沙输移的动力机制进行分析探讨.结果表明,悬沙净输移以平流作用占优,“潮泵效应”项在悬沙输移中也相当重要;潮流流速是水体含沙量变化及悬沙输移的主要动力因素.     

Au/Ge/SiO2/p-Si结构中的电流输运特性

用射频磁控溅射双靶交替淀积的方法在p-Si(100)衬底上制备了Ge/SiO2薄膜,利用Au/Ge/SiO2/p-Si结构的I-V特性曲线研究了该结构的电流输运机制.分析表明,在较低的正向偏压和反向偏压下,电流输运机制分别为Schottky发射和欧姆输运电流;而在较高的正向偏压下,Frenkel-Poole发射和空间电荷限制电流两种机制共同作用.     

空穴阻挡层BCP对掺杂型有机发光二极管中磁电导效应的影响

通过在器件复合发光区附近插入空穴阻挡层BCP,制备了一种具有非平衡传输性能的荧光染料掺杂型发光二极管,其结构为ITO／CuPc／NPB／NPB：DCM（5wt％）／BCP／Alq3／LiF／Al,并在不同温度和电压下测量了器件的注入电流随外加磁场的变化（即磁电导效应）．实验结果表现为：当磁场处在0～40mT时,该非平衡发光器件的磁电导随磁场的增加而迅速增大（即表现为快变的正磁电导效应）．这一实验现象与具有相对平衡传输性能的发光器件中所观测到的磁电导效应一致;当磁场大于40mT时,非平衡发光器件的磁电导随磁场的进一步增加表现为缓慢下降（即缓变的负磁电导效应成分）,而平衡器件的磁电导则变为继续缓慢增加（即为缓变的正磁电导效应）．本文对非平衡传输掺杂型发光器件的体系特征进行了讨论,并基于三重态激子-电荷（T-Q）反应受外加磁场的影响对上述实验现象进行了定性解释．     

Au/(C/SiO2)/p-Si结构中的电流输运机理研究

采用射频磁控溅射方法制备了镶嵌纳米碳粒的SiO2薄膜，利用Au／（C／SiO2）／p-Si结构的I-V特性曲线，对其电流输运机理进行了分析．结果表明，正向偏压较小时，薄膜中的电流符合欧姆电流输运机制；正向偏压较大时，薄膜中的电流主要是Schottky发射和Frenkel-Poole发射2种电流输运机制的共同作用结果．这一结论与样品的EL（electroluminescence）是由SiO2中的发光中心引起的结论相一致．     

GaN肖特基紫外探测器的电流输运研究

为了探明GaN肖特基紫外探测器漏电流问题,提高探测器的性能,在已有的各种电流输运模型的基础上,把宽禁带的GaN基半导体材料（Eg〉3.4eV）看作绝缘体,用空间电荷限制电流理论（SCLC）分析由金属有机物化学气相沉积法（MOCVD）生长的金属-GaN肖特基紫外探测器样品的I-V和I-V-T曲线。结果表明,SCLC机制控制的电流成分占主导地位,对于两个转换电压V1、V2,在V〈V1的区域电流电压遵循欧姆定律,在V1〈V〈V2的区域遵循幂指数规律I∝Vm,在V〉V2的区域电流电压遵循SCLC平方率。     

T-MPLS网络互通技术的研究现状与分析

根据目前的发展趋势,基于T-MPLS的下一代分组传送技术将逐渐成为一种新的传送体制.介绍了T-MPLS技术的研究现状,重点从网络的互联互通角度分析了基于分组交换的T-MPLS网络与传统SDH网络的不同,提出了T-MPLS网络的互联互通结构,并对如何开展T-MPLS互联互通的下一步研究工作进行了探讨.     

T-MPLS网络互通技术的研究现状与分析

根据目前的发展趋势,基于T-MPLS的下一代分组传送技术将逐渐成为一种新的传送体制。介绍了T- MPLS技术的研究现状,重点从网络的互联互通角度分析了基于分组交换的T-MPLS网络与传统SDH网络的不同,提出了T-MPLS网络的互联互通结构,并对如何开展T-MPLS互联互通的下一步研究工作进行了探讨。     

防城港湾以西海域水体输运及其机制研究

为了探究防城港湾外海域的水体输运方式及机制，本文对历史调查数据及最新的海流调查资料的海流玫瑰图进行分析，结果发现：防城港湾以西海域的水体输运，冬季为反气旋式环流控制，水体输运主要为NE向；夏季为沿岸入海径流、气旋涡控制，水体输运主要为WSW向。春季和秋季，表层水体输运主要为WSW向，中层以下水体输运为NE向。风对表层流的影响较明显，夏季西南季风造成沿岸水的堆积产生正压梯度力使表层水体往西南向输运，但不起主导作用。中层以下主要受北部湾北部气旋式、反气旋式两种不同形式的环流控制。除此之外，琼州海峡西向流、入海径流、地形等对水体输运也产生重要的作用。     

溴离子在旋转圆盘电极上氧化动力学模型

从理论上系统地分析了Ｂｒ＾－在电极上的氧化过程,据最为可能的反应机理,导出了稳态条件下的宏观速率表达式,并结合旋转圆盘电极（ＲＤＥ）体系的传递特性,进一步获得了Ｂｒ＾－电极氧化的动力学模型。采用最小二乘法,用本征动力学数据回归得到了动力学参数。结果表明,模型预测值与实验数据吻合良好。