CTZ—100型中子发生器中子强度测量

介绍ＣＴＺ－１００型中子发生器中子强度的测定，并用活化法和长硼管法两种测量方法，得到较为一致的结果。     

中子散射及其应用

在近30年间，由于中子源和散射装置的改进，中子散射在凝聚态物质中的应用日益广泛，在许多方面是其他（X射线、电子、激光、同步辐射等）散射技术不可比拟的．在简单评述供散射用的中子源和散射实验技术进展之后，重点介绍中子散射在凝聚态物质研究中的应用，它们包括晶体结构和磁结构的测定、表面、界面和薄膜的表征、测定结构涨落、磁涨落的现代相变研究、畸变、无序系统（包括分形和小角散射）和高分子材料、高Tc氧化物超导体的研究。     

指向概率方法在中子伽马测井计算中的应用

应用蒙特卡罗方法,成功地模拟了中子伽马测井的物理过程和中子的输运过程、热中子的俘获以及中子伽马射线的产生和输运过程.用指向概率方法计算了中子伽马射线对探洲器的通量贡献,用群截面数据库模拟中子,用点截面数据模拟伽马光子,计算绘出的中子伽马能谱峰值与所选择的特征能量非常吻合,从而证明了蒙特卡罗方法在核测井领域应用的可行性.     

C／O比测井用中子管的研制

报道了外型直径４８ｍｍ，长２００ｍｍ的圆柱型陶瓷体石油测井用中子管的研制．该管在２０ｋＨｚ的脉冲电压下工作正常，产额最高可达５×１０８ｎ／ｓ，寿命在２５０ｈ以上．     

用MCNPX计算ADS金属靶散裂中子产额及散裂源中子效率

为了分析加速器驱动系统（ADS）中质子束能量对金属靶散裂产生的中子产额及靶内中子能谱、靶表面的泄漏谱的影响,利用MCNPX对ADS的重金属铅靶、钨靶在不同能量的质子束轰击下的中子产额、中子能谱及靶表面的中子泄漏谱进行了模拟计算,与国际上其他研究机构的模拟结果进行了比较,结果相近.并对铅靶、钨靶的中子产额及泄漏谱进行比较,模拟结果是钨靶的中子产额较铅靶的中子产额大但中子泄漏谱计数较铅的小.结合MCNP5还对一个次临界基准体系中散裂源中子相对于裂变中子的效率进行了计算.     

蒙特卡罗方法在中子测井屏蔽中的应用

利用蒙卡罗方法模拟研究了在套管中子测井条件下，铜、银、含硼聚乙烯（含10％B4C聚乙烯）、钨、镉、铝不同厚度对中子的屏蔽效果．以及中子源到屏蔽层距离对屏蔽效果的影响。结果表明：用不同屏蔽材料对中子进行屏蔽，得到的中子能量分布相差很大。相同厚度下，银做屏蔽材料时．总中子和小于0．1MeV能量范围内的中予计数最小，钨在14MeV～0．1MeV中子能量区的计数最小.     

CTZ－100型中子发生器中子强度测量

介绍Ｃｒｚ－１００型中子发生器中子强度的测定，并用活化法和长硼管法两种测量方法，得到较为一致的结果。     

强流中子发生器的应用现状

本文概述强流中子发生器近五年内在材料和电子元器件的辐射损伤研究，一些核素的活化截面测量，新核素合成和中子生物效应等方面的应用，以及与这些工作相适应的实验条件的改进和完善。     

中子管离子源脉冲工作特性的研究

利用实验方法研究了中子管离子源的电离特性,其中包括电离时间的延迟特性;不同气压下电离电流和脉冲电压幅值的关系;不同气压下电离脉宽和脉冲电压幅值的关系;气压和加热电流的关系,并对实验曲线进行了分析,确定了Ｃ／Ｏ测井中选择气压和阳极电压参数的原则和方法。     

研究人体组织成分的中子发生器

采用两支Ｚｅｔａｔｒｏｎ中子管组装成的中子发生器系统已交付给设在Ｔｕｆｆｓ大学的美国农业部人类营养研究中心，借助中子的非弹性散射临床测试人体的含碳量。每支中子管都以能以４或８ｋＨｚ的重复频率，在７μｓ的脉冲宽度里提供１０＾３～１０＾４个１４ＭｅＶ的中子，并且能按主－从关系联合工作或单独工作。中子管充氘氚混和气体。管子的靶子在３０到６０ｋＶ的直流负高压离子源工作，在２．５ｋ，７μｓ的脉冲状态下通过测     

中子输运理论在中子测井数值模拟中的应用及校正图版制作

讨论了中子输运理论在中子测井数值模拟中的应用，用国际通用的核数据库和中子输运离散纵标程序ＤＯＴ４．２对不同岩性、几何尺寸和地质环境条件（如岩层化度等）的模型井进行了响应曲线的数值模拟计算，从而实现了中子测井的正演计算，同时根据计算结果制作了不同测井环境条件下的理论校正图版，结果令人满意，研究结果测井工作有一定的参考价值。     

10—100keV能区的中子俘获截面研究

以~(197)Au为标准,用飞行时间方法,测量了10—100keV能区,~3Nb、~(169)Tm、~1Ta、Ag、Hf和W的中子俘获截面.通过~7Li(p,n)~7Be反应产生运动学准直中子,用两个Moxon—Rae探测器探测俘获事件,其结果与有关文献值作了比较.