选择性发射极太阳电池的制作

文章提供了一种一次扩散制作选择性发射极太阳电池的方法，并利用该方法制作了选择性发射极太阳电池。这种方法所制得的选择性发射极太阳电池比用同种硅材料制得的常规BSF太阳电池具有较大的优势：在氧化工艺后，其少子寿命比常规BSF太阳电池的高，其平均光电转换效率也高出0．6个百分点左右，而其短波段的光谱响应优于常规BSF太阳电池。最后指出了这种方法可以实现选择性发射极硅太阳电池的工业化生产。     

低成本选择性发射区太阳电池的制备和特性

运用Matlab软件，在电池能量损耗最小前提下，对选择性发射极（Slective Emitter，SE）电池的栅线间距和宽度进行了模拟计算.在理论计算指导下，在国产化设备的太阳电池生产线上，采用印刷技术实现选择性磷源涂覆和扩散，并制成电池，通过电化学测试、伏安曲线、量子效率（Quantum Efficiency，QE）等检测分析，初步发现，印刷涂覆的SE太阳电池输出特性优于常规工艺制备的电池，转化效率提高约1%.     

PESC太阳电池双层减反射膜的研究

钝化发射极硅太阳电池（简称为PESC）^[1]，采用浅结密栅结构，以改革蓝光响应，提高转换效率。同时要求硅太阳电池的减反射在短波范围有较好的透射性能。本文对MgF2-Zn双层减反射进行了研究，将其用于PESC中，有效地提高了电池的短波光谱响应。在AM1．5mw/cm^2光照下得到太阳电池短路电流增益高达1．47，平均反射率在3％左右。     

钝化发射极,背面定域扩散高效硅太阳电池

报道了钝化发射极，背面定域扩散高效率硅太阳电池的研制结果，阐述了电池的工艺制作流程及结构设计特点，并分析其获得高转换效率的机理。由于电池设计及制作中采用了双面钝化，背面进行定域小面积的硼扩散，正面利用“倒金字塔“结构，同时配以淡磷、浓磷分区扩散等手段，使硅太阳电池的开路电压、短路电流和填充因子都得到较大提高，在ＡＭ１．５，２５℃的光照条件下，光电转换效率η＝２３．８％。     

基于高效PERC双面太阳电池的中大型光伏发电系统支架排布分析

以青海柴达木盆地大中型光伏发电系统设计为例,探讨钝化发射极背面接触(Passivated Emitter Rear Contact,简称PERC)太阳电池代替常规太阳电池,以及不同支架排布对光伏系统发电效率的影响.我们采用比常规太阳电池功率高26%的高效PERC太阳电池及PVsyst模拟对单角度固定式、双角度固定式、单轴东西向跟踪式、单轴南北向跟踪式和双轴跟踪式等不同排布的光伏系统进行设计分析.结果发现,双轴跟踪式排布系统的年发电量最多,但占地面积也最大,南北向跟踪式排布的单位占地面积发电量比单角度固定式提高了14%.即采用高效PERC电池南北向跟踪式排布比常规电池单角度固定式的系统发电量提高了40%,同时降低了系统的成本.     

钝化发射极、背面定域扩散高效硅太阳电池

报道了钝化发射极、背面定域扩散高效率硅太阳电池的研制结果。阐述了电池的工艺制作流程及结构设计特点，并分析其获得高转换效率的机理。由于电池设计及制作中采用了双面钝化，背面进行定域小面积的硼扩散，正面利用“倒金字塔”结构，同时配以谈磷、浓磷分区扩散等手段，使硅太阳电他的开路电压、短路电流和填充因子都得到较大提高，在ＡＭ１．５，２５℃的光照条件下，光电转换效率η＝２３．８％。     

多晶硅接触薄发射极欧姆接触电极的研究

提出了制备新型多晶硅接触薄发射极晶闸管薄发射极欧姆电极的新结构－Ａｌ／Ｔｉ／Ｐｏｌｙｓｉ．结构。通过实验研究和对Ａｌ－Ｔｉ－Ｓｉ系统反应动力学的分析，解决了此结构的关键问题－Ｔｉ层厚度的确定方法及其制备工艺条件；对此结构的有效性和质量，即浅结的完整性以及欧姆接触电阻的大小进行了实验检查。采用此结构，已成功地制备出低损耗、快速薄发射极晶闸管管芯样品。     

大功率晶体管横向结构参数设计与分析

为研究大功率晶体管的结构和工作原理,提出设计参数指标为集电极最大允许耗散功率P=50 W。采用梳状结构,利用近似方法结合各项工艺条件经过综合分析,计算出大功率晶体管的发射结和集电结面积、发射极总周长、发射极与基极间距、发射极金属电极条长和宽、晶片面积等横向结构参数,为大功率晶体管的结构设计和应用提供了数据支撑。计算方法通过实验验证,适用于更大功率晶体管的参数分析和计算。     

纳米光伏技术的现状与发展

介绍了传统薄膜太阳电池里的纳米结构和量子结构太阳电池，分析了纳米光伏技术的现状，提出了今后纳米光伏技术的发展方向。     

染料敏化太阳电池的研究进展

本文叙述了染料敏化太阳电池的结构及其原理,对于燃料敏化太阳电池的关键技术的研究进展进行了重点综述,并对染料敏化太阳电池面对的问题及前景进行了展望。     

高低发射区（HLE）硅太阳电池

对ＨＬＥ硅太阳电池做了光谱响应表达式的推导，理论上的数值计算及实验结果分析表明，硅ＨＬＥ太阳电池在采用浅的重掺杂区及较深的低掺杂区构成电池发射区时，可获得比常规（ＣＶ）电池更好的光谱响应，从而提高了短路电流，并对暗电流有抑制作用，可获得较高的开路电压，结果使ＨＩ－Ｅ硅太阳电池具有较高的光电转换效率．     

扩散方阻对多晶硅太阳能电池效率的影响

在现有大规模太阳能电池生产工艺的基础上,改变扩散工艺条件,制备一系列的方块电阻发射极.在未改变其他工艺参数的条件下,当发射极方块电阻升高时,短路电流持续上升,开路电压在接近70Ω/□时接近饱和,而填充因子(fill factor,FF)则因串联电阻的增加呈下降趋势.器件的效率在70Ω/□方阻发射极时达到最大值.通过光致发光图(photoluminescence,PL)比较方阻为50和70Ω□发射极的吸杂效果,结果说明,在磷扩散过程中,硅片的晶粒、晶界以及位错区域的吸杂效果都非常明显,且50Ω/□发射极硅片的吸杂效果略优于70Ω/□的硅片.     

Investigation of the entropy generation and efficiency of a solar thermophotovoltaic system

Based on the second law of thermodynamics, a theoretical model is established for efficiency analysis and optimization of a solar thermophotovoltaic (STPV) system. The entropy generation in the photo-electricity conversion process is numerically calculated and analyzed for the component modules involved in the whole system assembly. The effects of the emitter temperature, concentration ratio, energy bandgap, cell temperature and the transmissivity of the filter on the entropy and the efficiency are investigated. Meanwhile, the conversion efficiencies of the modules are discussed. The following results are obtained: at first the entropy gen-eration of the system reduces but then increases with the rise of the emitter temperature. When the concentration ratio improves, the entropy generation of the system falls. The increase of the bandgap value and chemical potential of the cell also causes the reduction of the entropy generation. Along with the increase of the cell temperature, the entropy generation increases and the conversion efficiency of the STPV system decreases.     

非晶硅/晶体硅(a-Si/c-Si)异质结

通过对非晶硅/晶体硅(a-Si/c-Si)异质结能带不连续、发射结掺杂以及界面态密度进行分析,研究它们对a-Si/c-Si异质结的界面特性,以及a-Si(N+)/c-Si(P)结构电池性能的影响.研究发现,能带不连续以及a-Si发射结高掺杂有利于实现界面复合机制由以悬挂键复合主导的复合机制向由少数载流子复合占主导的SRH(Shockly Read-Hall)复合机制转变,有效降低界面复合速率.AFORS-HET软件模拟显示：在c-Si(P)衬底掺杂浓度为1.6×1016 cm-3时,a-Si(N+)发射结掺杂浓度大于1.5×1020 cm-3是获得高电池效率的必要条件;与短路电流密度相比,开路电压受a-Si/c-Si界面态密度影响更明显.     

PESC电池扩散工艺的改进及分析

由于硅单晶质量的提高及背表面场和减反射膜技术的应用,电池的短路电流已接近理论极限值,因此其性能的改进就取决于发射区的优化.本文论述了一种改进的扩散工艺——二次扩散工艺.其主要特点是提高氧化温度,利用氧化过程的高温改善发射区杂质分布,从而减少“死层”的影响.文中分析并计算了二次扩散(氧化)后的杂质分布和结深的变化,并讨论了二次扩散对发射区少于复合的影响及工艺条件对发射区各参数的影响.     

前瞻晶体硅太阳能电池未来产业化——高效N型背结前接触和背结背接触晶体硅太阳能电池

文章综述了N型背结背接触和背结前接触晶体硅太阳能电池的研究和产业化的最新进展.从原理上阐述了N型背结背接触电池高效率的原因.从研究的角度,综述和点评了国际上几个研究小组在N型背结前接触晶体硅电池方面的研究工作.论述了丝网印刷Al烧结法制备N型背结背接触电池方面的研究进展.     

硅MINP太阳电池的多子隧道效应

本文对MINP电池中的多子隧道电流进行了计算分析,从其伏安特性曲线得出太阳电池所允许的氧化层厚度的极限。     

太阳能冷管的机理与结构改进实验

阐述了对太阳能冷管及其结构和性能的研制及改进，采用真空集热方式和选择性涂层加强冷管对太阳能的吸收，以固化复合吸附剂提高吸附床的吸附和脱附性能．对冷管中的脱附动力学机理进行了实验研究，指出真空度是影响脱附速率的主要因素之一．该太阳能冷管型可以制冷又可以供热水，其制冷系数达0．193，制冷与供热的总性能系数为0．692．