一种具有堆积抑制功能的半导体辐射探测器前端ASIC电路

提出了一种用于半导体辐射探测器读出的CMOS前端电路,该ASIC电路包含电荷灵敏放大器、跨导-电容型脉冲成形器、峰值检测/保持电路和甄别器,后两者结合一些逻辑电路实现了抑制脉冲成形器输出波形尾缘堆积的功能。该电路采用0.5μm、双硅三铝CMOS标准工艺设计,其核心模块电荷灵敏放大器和成形器经过了流片测试。仿真和测试结果验证了该电路的功能。     

一种新型电荷放大器的研究与设计

介绍了一种新型电荷放大器设计方法和电路.通过对电荷放大器电路的理论研究,提出用TL081取代大量的分立元件进行电荷放大器的优化设计方案,提高了电路的集成度,使其具有体积小、功耗低、寄生因素少和抗干扰性能强的优点.通过与标准电荷放大器的比较测试实验,验证了该电路的可行性和可靠性.     

低噪声CMOS电荷灵敏前置放大器

为了满足辐射探测器的读出密度要求,完成了低噪声CM O S专用集成电荷灵敏前置放大器的设计和测试。采用0.6μm CM O S工艺,电路面积为260μm×210μm,功耗为15.9mW,比传统的电荷灵敏前放的电路密度至少提高了3个数量级。测量得到的噪声结果为:在成形时间为1μs时,零电容噪声为1 377.1 e,电容噪声斜率为43.7 e/pF。噪声的实测结果和理论分析比较吻合,间接测量了使用工艺NM O S的1/f噪声系数,为低噪声设计提供了参考依据。     

阻变存储器读电路的优化设计

随着阻变存储器高阻态和低阻态间阻值窗口的减小,电流型灵敏放大器的读正确率降低.设计了一款电压型灵敏放大器,应用在读电路中,有效地解决了这一问题.该电压型灵敏放大器电路结构简单,经SMIC0.13μm下流片验证,它的读出时间为125ns,面积仅为756μm2,功耗为41.25μW,读窗口为260mV,相比电流型灵敏放大器50mV的读窗口有了很大的改进.     

基于LM4766的音频功率放大器设计

介绍音频功率放大器的原理与设计,讨论了主要元器件及参数的选择.整个电路主要由稳压电源、前置放大器、功率放大器共三个部分构成.其中LM4766是一立体声音频放大器电路,采用双电源应用电路.电路结构简单,并给出了测试结果,实验结果表明该功率放大器在带宽、失真度、效率等方面具有较好的指标.     

压电加速度传感器测量电路研究

本文分析了压电加速度传感器的工作原理及其等效电路,提出电压放大器和电荷放大器两种测量电路,并对两种电路进行性能分析和比较,指出电荷放大器是压电加速度传感器测量电路的最佳方案。本研究对类似测量系统的设计开发具有一定的借鉴意义。     

基于右腿驱动技术的脑电信号放大器的设计

设计了高性能的脑电信号(EEG)放大器,将差分放大电路、右腿驱动电路应用于放大器的前置部分,有效消除共模信号干扰,通过前置放大器和两级后级放大器将EEG信号放大,通过设计并合理安置多个低通滤波器和50Hz陷波器,有效消除EEG信号中的高频干扰和工频干扰,在非屏蔽室的条件下能够有效检测到EEG信号.测试结果表明,放大器各个部分性能指标已达到设计要求,同时在测试者头皮采集到了实际的EEG信号,证明了设计的有效性.     

宽带电流模形式PHEMT前置放大器设计

设计并实现了基于0.2 μm PHEMT工艺的宽带电流模形式前置放大器.前置放大器将光电二极管产生的电流信号放大并转换为差分电压信号.电路为共栅结构,输入电阻小,减小了光检测器寄生电容对电路带宽的影响.设计时采用了电容峰化技术,可获得比普通共栅结构更宽的带宽.后仿真结果为,在单电源5 V,输出负载50 Ω的条件下,该前置放大器的跨阻增益为1.73kΩ,带宽可达到10.6 GHz,同时具有低噪声和较宽的线性范围,芯片面积为607 μm×476 μm.测试结果表明,此前置放大器可以很好地工作在10 Gbit/s速率上.     

采用红外通信的智能化抄表器电路设计

基于红外通信原理,设计智能电表的红外通信抄表器电路.在其发射电路中,采用两个红外发射管串联,以减小红外发射电路中的反馈电阻和并联一个小电容的方法来增大发射强度;而在其接收电路中,PIN型光电二极管接收光信号后直接进入带通滤波器,然后依次进入限幅放大器和前置放大器,以避免周边环境光使前置放大器进入饱和区或者截止区,增大红外传输距离.测试结果表明:红外通信距离在5m内,抄表数据的相对误差低于0.85%.     

低噪声X射线探测器读出电路

设计一种32通道X射线探测器读出电路, 将探测到的微弱电信号进行放大并转换成电压信号读出。该电路中每个通道包含一个电荷灵敏放大器、一个相关双采样电路和一个采样保持电路。 为提高成像质量, 对读出电路进行低噪声设计, 其中前级的噪声贡献尤为明显, 因此重点对噪声源进行理论分析并采取相应的降噪措施。仿真得到输出积分噪声为69.7 μV。