Low Carbon Low Alloy Submicro-Steel with Nano-Precipitates

A submicro-steel sheet was successfully fabricated by severe warm-wiling at 773 K through a single pass. The microstructure was characterized first and the thermal stability of the submicro-steel was investigated by annealing the steel at different temperatures.Results indicate that grains are nearly equiaxial with an average diameter of 300 nm for grains near to the surface and 600 nm for grains at the center of the sheet and the submicro-steel can be subjected to annealing at 773 K without obvious grain growth. The formation of the submicro-structure can be related to a severe plastic deformation-induced grain refinement mechanism. The unusually high thermal stability can be attributed to the pinning effect of numerous uniformly-distributed nano-precipitates in the steel. The average diameter of the larger precipitates is about 30 nm and the smaller less than 10 inn.     

一种带保护电路的低功耗LDO

为了保护芯片不受电源电压起伏的影响,设计了一种应用于移动多媒体广播(CMMB)的带保护电路的低功耗低压降线性调节器(LDO);为了保证LDO的反馈环路在所有负载电流下均稳定,采用低增益、低输出阻抗的buffer来驱动输出管,使环路的相位裕度都高于40°;为了避免输出管在过流和过热时损坏,设计了过流保护电路和过热保护电路:过流保护电路将过载的电流限制在150 mA;过热保护电路包含滞回功能,在温度高于145℃时,过热保护电路将LDO关断,当温度低于125℃时,LDO重新打开。LDO的输入电压范围为1.5～3.3 V,输出电压为1.2 V。LDO采用0.35μm CMOS工艺设计,共消耗30μA的静态电流,最大负载电流为80 mA。芯片面积为380.2μm×198μm。     

Low Sulfur Low Olefin Gasoline Production by RIDOS Technology

1Worldwidetrendsingasolinespecifica tions　Anincreasingdemandexistsinthelasttwodecadesforau tomotivefuels .Fuelquality (fuelreformulation)andengineefficiencyhaveconstantlybeenimproved .Themostsignifi cantchangewastheeliminationofleadingasolineinanum berofcountries ,includingChina .Progressivelystrongerregulationshavebeenenactedbymanycountriestoreducetheemissionsfromtransportationengines .Experimentaldatashowthatreducingsulfurandolefincontentingasolinemaybeoneofthebestwaystoimproveautomobileem…     

用于植入式医用芯片的低电压低功耗SAR ADC

为适应植入式医用芯片的使用要求,给出一低电压低功耗逐次逼近型模数转换器(SARADC)的设计。从降低功耗出发,提出了一种新的能量高效开关策略。与传统开关策略相比,电容阵列的平均开关能量减少了68%,电容阵列的面积仅为传统开关策略的50%;采用带校正的动态比较器,在提高精度的同时可以降低功耗;采用异步时钟,省略了高频时钟产生器,进一步降低了功耗。提出的5 Ms-111位SAR ADC采用SMIC 0.18μm CMOS混合信号工艺流片。供电电压低至1 V,功耗仅为0.236 mW,SNDR,SFDR分别达到55.1,68.38 dB。核心面积为650μm×1 000μm,符合植入式系统的要求。     

吐哈低粘低渗-特低渗油田渗流特征研究

在对吐哈油田大量的岩心测试实验分析的基础上,并结合油藏数值模拟技术,研究并确定了低粘低渗-特低渗油田的渗流特征为随着储层物性的变差,压敏性增强,流体可流动区间变小,启动压力梯度增大;在油水两相区,随着含水饱和度的增大,油相相对渗透率下降很快,水相相对渗透率上升很慢,残余油饱和度下水相相对渗透率值很小;在水驱油过程中,对于不同的韵律层,由于油水粘度比小,可以自动调节水淹剖面,导致了层内纵向上活塞式驱替特征十分明显,表现出与中粘中高渗油田的渗流特征有很大的差别.     

低孔低渗气藏高效低伤害压裂液研究

根据延长气田低孔低渗的特点,研究了一种能够适应该储层的高效低伤害压裂液。通过对压裂液各个组分的配比的研究优化出此压裂液的最佳配比,并进一步研究了此压裂液的抗剪切性能、携砂性能、破胶性能以及对地层的伤害性,发现本压裂液有着强稳定能力、流变性强,携砂能力强,破胶快及低伤害等特点,现场进行5口井的压裂施工试验,结果证明对延长油田低孔低渗气藏有较好的压裂增产效果。     

SiGe HBT低温敏宽带低噪声放大器设计

采用两级锗硅异质结晶体管(SiGe HBT)低噪声放大芯片,通过ADS2015进行宽带电路匹配设计了一款频率覆盖超短波到L波段的宽带低噪声放大器(LNA).仿真显示该LNA工作频率在0.07～2 GHz,增益Gain>30 dB,噪声系数NF<0.78,增益平坦度Gain Flatness<0.2 dB,输入输出回波损耗Return Loss<-10 dB.实测结果显示常温下该LNA测试指标和仿真结果基本一致,233 K低温下该LNA的Gain实测值比常温下测试结果增大1 dB左右,其它指标基本一致,证实了采用SiGe HBT放大芯片设计的低噪声放大器噪声性能良好且具有低温敏特性.     

一种适用于低压低功耗Sigma-Delta数据转换器的运算放大器

通过比较两种常用的运算放大器结构,提出了一种适用于低压低功耗Sigma-Delta数据转换器的运算放大器结构,并在Chartered公司的0.35μm互补型金属氧化物半导体工艺下完成了该放大器的设计.仿真结果表明,放大器的直流增益为77 dB,单位增益带宽为36 MHz,相位裕度为48,°可满足低频高分辨率Sigma-Delta调制器的设计要求.     

低耗散低色散有限差分格式误差分析

基于7点中心色散保持(DRP)空间离散格式,结合5种龙格库塔(RK)时间积分方法,从误差构成、误差传播、误差累积3个角度出发,采用传统Von Neumann误差分析方法和修正误差传播分析方法,分析比较了各时间离散格式和全离散格式的耗散色散误差,波数分辨能力,长距离波计算误差传播,低频波、中频波、高频波的误差累积特性,还从稳定性、求解精度等角度分析比较了各组合格式的优劣,获得了与7点中心DRP格式组合的最佳时间离散格式ORK6;最后对一维标量和矢量波动问题计算验证了各组合格式的准确模拟能力.     

过程低碳化：低碳经济之路的创新战略

低碳经济是一种以可持续健康发展为核心理念的发展形态。循环经济与循环社会模式为低碳经济发展奠定了理论与实践基础。当前的低碳经济发展主要聚焦于新能源生产为主导的源头低碳化领域。而强调生产与生活领域的节能、降耗、减排为主的过程低碳化应该成为低碳经济的重要战略。过程低碳化提倡基于公共行为理念的变革,目标是要将低碳生活方式引入大众日常行为之中,从而透过技术创新、政策调整、文化激励等措施以推动低碳经济又好又快发展。     

酸性媒介黑T低温低铬染色工艺的探讨

对酸性媒介黑Ｔ低温低铬染色工艺进行试验研究．结果表明，用氨／盐溶液在一定条件下预处理的羊毛，在８０～８５℃下加适当稀土染色、其上染率高于常规染色，染色牢度达到常规染色水平，并能减少红矾用量、降低纤维损伤、节约能量和染料、降低铬污染．     

一种低电压、低功耗CMOS基准电压源的设计

本文设计了一种低电压、低功耗、高电源抑制比CMOS基准电压源。该电路基于工作在亚阈值区的MOS管,利用PTAT电流源与微功耗运算放大器构成负反馈系统以提高电源电压抑制比。SPICE仿真显示,在1V的电源电压下,输出基准电压为609mV,温度系数为72ppm/℃,静态工作电流仅为1.23μA。在1-5V的电源电压变化范围内,电压灵敏度为130μV/V,低频电源电压抑制比为74dB。该电路为全CMOS电路,不需要用到寄生PNP三极管,具有良好的CMOS工艺兼容性。     

低电压、低功耗CMOS基准电压源的设计

为了有效降低模拟集成电路的功耗,提高工艺兼容性,文中提出了一种全CMOS结构的低电压、低功耗基准电压源的设计方法.该方法基于工作在亚阈值区的MOS管,利用PTAT电流源与微功耗运算放大器构成负反馈系统以提高电源电压抑制比.仿真结果表明:在1.0V的电源电压下,输出基准电压为609.mV,温度系数为46×10-6/K,静态工作电流仅为1.23μA;在1.0～5.0V的电源电压变化范围内,电压灵敏度为130μV/V,低频电源电压抑制比为74.0dB.由于使用了无寄生双极型晶体管的全CMOS结构,该电路具有良好的CMOS工艺兼容性.     

部分甘蓝型油菜双低品种(系)的遗传多样性评估

以46个甘蓝型油菜双低品种(系)作为研究材料，利用37种多态性丰富的随机引物进行了RAPD分析．结果表明：所有研究材料分为3大类，所得聚类结果与系统聚类基本一致，说明利用RAPD标记可以进行聚类分析；从聚类结果来看，材料26(谷城168)与其它材料差异很大，可能具有较大的利用价值；另外，大部分参试材料差异并不明显，说明培育更多的优良自交系仍是油菜双低育种工作的重要内容．     

一种超低功耗的低压差线性稳压器环路补偿方法

针对低压差线性稳压器(LDO)电路设计中为改善环路补偿的稳定性增加电流缓冲电路而带来额外功耗的问题,提出一种嵌入式LDO环路补偿方法。该方法在原LDO的误差放大器模块中,嵌入一个由晶体管和电容组成的电流缓冲电路,该结构与误差放大器的共源共栅输出级共用晶体管,由于整体电路中不增加新元器件,因此消除了引入缓冲电路所带来的额外功耗。仿真实验验证了加入电流缓冲电路后系统环路稳定性能得到了改善。采用联华电子公司0.5μm 5 V的CMOS工艺线在LDO中进行了投片验证,实测芯片静态功耗电流仅为50μA,当输入电压从3V跳变到5V时,输出电压的上冲与下冲都小于15mV,负载电阻从18kΩ跳变到9Ω时,输出电压的最大变化小于20mV。投片测试结果表明,该补偿方法可在提高系统环路稳定性的同时消除额外功耗。     

一种低功耗低成本测试图形的生成方法

针对半导体器件特征尺寸小、集成电路集成度和复杂度高导致的芯片测试功耗高、面积开销和测试数据量大等问题,提出了一种带广播结构的低功耗低成本内建自测试的测试图形生成方法,给出了硬件实现方式和测试方案。首先,该方法通过一个异或网络将线性反馈移位寄存器(LFSR)结构和Johnson计数器相结合,产生具有多维单输入跳变(MSIC)特性的测试向量;然后,通过复用测试生成结构,广播电路将测试向量扩展为能够填充更多扫描链的基于广播的多维单输入跳变(BMSIC)测试图形,从而减小了测试图形生成电路的面积开销;最后,以ISCAS’89系列中较大的5款电路为对象实验,结果表明,与MSIC测试生成电路相比,BMSIC测试图形生成方法可在确保低功耗高故障覆盖率基础上,减小50%左右的电路面积开销。     

涡旋混凝低脉动沉淀技术处理低温低浊水

根据低温低浊水的特性,对处理该种水质过程中的传质扩散及絮凝过程中的动力特性进行了分析.依据惯性效应理论,介绍了涡旋混凝低脉动沉淀技术在处理低温低浊水中的应用.     

曼地亚红豆杉的半致死温度与对低温的适应性

红豆杉树皮是一种最重要的提取紫衫醇的原料，但其生长缓慢，资源匮乏，而曼地亚红豆杉的自然杂交品种叶片中的紫衫醇的含量很高，生长迅速，可通过大力栽培解决原料不足的问题。在引种栽培蔓地亚红豆衫的试验过程中，抗寒性是决定其是否能够引种栽培成功的关键因素之一，而半致死温度能较直观，准确地反映植物的抗寒能力，半致死温度的测定常采用电导法。采用电导法对引种栽培的2个曼地亚红豆衫(T.media)品种Hicksii和Dark Green Spreader(DGS)进行低温半致死温度的测定，并与其生境中的自然温度变化相比较，结果表明，在自然降温的过程中，两个曼地亚红豆衫杂交品种的低温半致死温度随气温的下降而不断的降低，两品种的低温半致死温度分别为-13．3℃和-12．6℃，均对引种栽培地低温有较强的适应性，又Hicksii品种比Dark Green Spreader品种的抗寒能力略强。因此从理论上讲，两种曼地亚红豆衫品种均可在栽培地及与栽培地相同的生境下栽培成功。     

低温电化学

介绍溶液及凝固相中低温电化学研究的方法、特点和意义     

低电压低功耗音频Σ-Δ ADC调制器设计

针对应用于音频设备中的∑-ΔADC,提出一款改进的∑-ΔADC调制器.该调制器结构改进传统调制器的结构并对调制器系数进行优化,克服传统∑-ΔADC调制器结构的缺点,同时对调制器中的两个关键电路即OTA放大器和比较器也进行优化,极大改善了OTA放大器和比较器性能.改进后的调制器具有低电压、低功耗、高精度和较好的鲁棒性的特点.该调制器采用1.2 V低电压供电,过采样比(OSR)为128,采样频率为6.144 MHz,信号带宽为20 kHz.基于SMIC0.11μm的工艺下,完成了∑-ΔADC调制器的版图设计,并最终流片成功.芯片流片后的成测结果表明,调制器的信噪比达到102.4 dB,有效位达到16.7 bit,调制器的整体功耗仅1.17 mW左右,整个调制器的版图的面积仅为0.122 mm2左右.调制器的成测性能指标表明,该调制器是音频芯片中∑-ΔADC电路的良好选择.