小晶粒多晶薄膜CuInSe_2基太阳能电池平衡态的类非晶态特性分析

沿用ａＳｉ：Ｈ中类施主Ｕｒｂａｃｈ带尾态描述小晶粒多晶薄膜ｐＣｕＩｎＳｅ２禁带内连续分布局域态,揭示ｐＣｕＩｎＳｅ２／ｎＣｄＳ异质结太阳能电池热平衡态性质,讨论类施主Ｕｒｂａｃｈ带尾态参量Ｇｄｏ,Ｅｄ对异质结热平衡性质的影响,指出这种类非晶态特性分析方法将为进一步研究小晶粒多晶薄膜器件提供新途径．     

双源法制备CuInSe2多晶薄膜的研究

利用氮气作保护气体,用元素合成法进行开管烧结,合成具有单一相黄铜矿结构的ＣｕＩｎＳｅ２ 多晶材料．用真空双源蒸发方法,通过精确控制ＣｕＩｎＳｅ２ 源和Ｃｕ 源或Ｓｅ 源的温度和蒸发速率以及衬底温度,制备ＣｕＩｎＳｅ２ 多晶薄膜,并对ＣｕＩｎＳｅ２ 多晶薄膜的组份、结构、工艺条件及电学性质进行了分析、研究     

CuInSe2多晶薄膜的光学特性研究

根据ＣｕＩｎＳｅ２多晶薄膜的反射特性和透射特性,研究了薄膜的吸收系数α（λ）、消光系数ｋ（λ）、折射率ｎ（λ）以及光学禁带宽度Ｅｇ．结果表明,用双源法制备的ＣｕＩｎＳｅ２多晶薄膜的光学特性和其它方法获得的ＣｕＩｎＳｅ２多晶薄膜的光学特性基本一致     

Zn1-xCdxSe/ZnSe异质结系统的施主能级

对单异质结界面系统,引入三角近似异质结势,利用变分法讨论在界面附近束缚于施主杂质的单电子基态能量。对Ｚｎ１－ｘＣｄｘＳｅ／ＺｎＳｅ系统的杂质态结合能做了数值计算,给出结合能随杂质位置、电子面密度和Ｃｄ组分的变化关系。     

不同酸掺杂对聚苯胺导电性能的影响

采用元素分析、Ｘ射线光电子谱（ＸＰＳ）以及直流电导率σｄｃ（Ｔ）与温度关系等方法对三种聚苯胺ＰＡＮＩ－ＨＣｌ,ＰＡＮＩ－Ｈ２ＳＯ４和ＰＡＮＩ－Ｈ３ＰＯ４进行了研究．在Ｃｌ（２ｐ）谱中,可以分辨四个二重态的自旋轨道裂分偶极子Ｃｌ（２ｐ１／２）和Ｃｌ（２ｐ３／２）．Ｓ（２ｐ）－ｃｏｒｅ－ｌｅｖｅｌ谱显示了二重态自旋轨道的裂分偶极子Ｓ（２ｐ１／２）和Ｓ（２ｐ３／２）,而Ｐ（２ｐ）－ｃｏｒｅ－ｌｅｖｅｌ谱仅在结合能为１３４．０３ｅＶ时显示单一的峰值．室温时ＰＡＮＩ－ＨＣｌ和ＰＡＮＩ－Ｈ２ＳＯ４的σｄｃ比ＰＡＮＩ－Ｈ３ＰＯ４的σｄｃ高数倍．ＰＡＮＩ样品的导电性与温度的关系表明它们是半导体,而且符合准一维的变程跳跃（Ｑ１Ｄ－ＶＲＨ）模型     

不同酸掺杂对聚苯胺导电性能的影响

采用元素分析,Ｘ射线光电子谱（ＸＰＳ）,以及直流电导率σｄｃ（Ｔ）与温度关系等方法对三种聚苯胺ＰＡＮＩ－ＨＣｌ,ＰＡＮＩ－Ｈ２ＳＯ４和ＰＡＮＩ－Ｈ３ＰＯ４进行了研究,在Ｃｌ（２ｐ）谱中,可以分辨四个二重态的自旋轨道裂分偶极子Ｃｌ（２ｐ１／２）和Ｃｌ（２ｐ２／２）Ｓ（２ｐ）－ｃｏｒｅ－ｌｅｖｅｌ谱显示了二重态自旋轨道的裂分偶极子Ｓ（２ｐ１／２）和Ｓ（２ｐ３／２）,而Ｐ（２ｐ）－ｃｏｒｅ－ｌｅｖｅｌ,     

a-Si/CuInSe2叠层太阳能电池中的空间电荷效应

基于ｐｉｎ结构的ａ－Ｓｉ：Ｈ太阳能电池中的空间电荷效应，讨论了ａ－Ｓｉ／ＣｕＩｎＳｅ２叠层太阳能电池的稳定性。采用计算机数值模拟方法，得出由光生空穴俘获产生的ａ－Ｓｉ：Ｈ层中正空间电荷密度的增加，改变了电池内部的电场分布，普遍抬高了ａ－Ｓｉ：Ｈ薄膜中的电场强度；在当照射下，空间电荷效应不会给ａ－Ｓｉ／ＣｕＩｎＳｅ２叠层结构中的ａ－Ｓｉ：Ｈ薄膜中的场强度；在光照射下，空间电荷效应不绘给ａ－Ｓｉ／Ｃｕ     

存在集中分布界面态的异质结的C—V特性研究

提出用高频Ｃ－Ｖ法测量半导体异质结中集中分布的界面态的能位位置的方法，并分析了测试温度以及由异质结的能带偏移所引起的载流子积累对测试结果的影响，有这一方法对ＧａＳ／ＧａＡｓ和ＺｎＳｅ／ＧａＡｓ两种异质结进行了测试，发现在这两种异质界面上均存在集中分布的界面态，其能级位置分别为Ｅｃ－０．４１ｅＶ，Ｅｃ－０．５１ｅＶ。     

CVDSnO2薄膜吸附的XPS研究

利用ＸＰＳ方法，分析四种由不同ＣＶＤ温度（２５０～５５０℃）淀积在ｎ－Ｓｉ衬底上形成异质结的ＳｎＯ２透明多晶薄膜的表面。定性和半定量分析表明，表面存在三种氧物种，在加热吸附Ｈ２前后，相对含量发生变化，变化大小与制备温度有关，根据实验结果和分析，研究薄膜Ｈ２吸附机理，讨论ＳｎＯ２薄膜的气敏与ＳｎＯ２／ｎ－Ｓｉ异质结光伏的关系以及制备温度对薄膜吸附反应性能的影响。     

一类带参数的非线性特征值问题解的某些性质

讨论了非线性特征值问题：（（Ｕｚλ）＾ｐ－１）ｚ－Ｃ＾λＵｚ＾λ－Φ＾λ（Ｕ＾λ）＝０（ｐ〉２）的某些性质,这与ｐ＝２时的已知结果是类似的,为了克服由于Ｐ〉２方程主部出现奇性所产生的困难,采用了打靶法和正则化方法,其结果可广泛应用于发展的ｐ－Ｌａｐｌａｃｅ方程有关问题的研究。     

退火对CdS多晶薄膜电学性质的影响

对不同温度下退火的ＣｄＳ多晶薄膜测量了暗电导率σｄ和暗电导－温度关系,发现未退火ＣｄＳ的暗电导率为１０－５Ω－１ｃｍ－１,经退火后σｄ增加,在２００℃退火σｄ有极大值．退火后电导激活能Ｅａ减小     

椭圆型Cardinal样条

获得Ｒ＾ｄ上齐次椭圆型Ｃａｒｄｉｎａｌ样条插值的存在唯一性,并获得Ｓｏｂｏｌｅｖ类上的函数在Ｌｐ（Ｒ＾ｄ）（１≤ｐ≤∞）尺度下的插值误差估计,以及Ｓｏｂｏｌｅｖ类在Ｌ２（Ｒ＾ｄ）尺度下的一些极值问题的解;拓广了Ｌａｐｌａｃｅ型的结果。     

氢化纳米硅薄膜的光声光谱研究

分析了纳米硅薄膜材料从可见光到近红外范围的光声光谱，并与微晶硅和非晶硅材料进行了对比．纳米硅的光吸收系数比后两者都高（特别是在１．４～１．９ｅＶ之间，高出近一个数量级），其原因是纳米硅薄膜中大量晶粒对光子的散射、晶粒界面缺陷的吸收及载流子吸收的影响，此外，纳米硅光声谱中Ｕｒｂａｃｈ边宽且缓，反映出这种材料很高的无序程度．     

Set-Valued Stationary Processes with Discrete Parameter

Ｓｅｔ－ＶａｌｕｅｄＳｔａｔｉｏｎａｒｙＰｒｏｃｅｓｓｅｓｗｉｔｈＤｉｓｃｒｅｔｅＰａｒａｍｅｔｅｒＧｕｏＸｕｅｐｅｎｇ；ＷａｎｇＲｏｎｇｍｉｎｇ（Ｄｅｐａｒｔｍｅｎｔｏｆｓｔａｔｉｓｔｉｃｓ，ＥａｓｔＣｈｉｎａＮｏｒｍａｌＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙ，Ｓｈ...     

NiCr合金基底上离子源辅助激光制备CeO2薄膜及其？…

室温下在ＮｉＣｒ合金（Ｈａｓｔｅｌｌｏｙ ｃ－２７５）基底上应用Ａｒ＾＋离子源辅助,准分子脉冲激光沉积了ＣｅＯ２薄膜。结果表明：在合适的外部条件控制下,直接在ＮｉＣｒ合金基底上可以制备以ｃ－轴取向的ＣｅＯ２薄膜,但这时的ＣｅＯ２薄膜在其ａ－ｂ平面内没有观察到织构的信息;进一步在相同的条件下,首先在ＮｉＣｒ合金基底上制备一层ＹＳＺ（Ｙｔｔｒｉａ－Ｓｔａｂｉｌｉｚｅｄ Ｚｉｒｃｏｎｉａ）,再在ＹＳＺ／     

拓扑空间紧化的若干结果

研究了完全正则空间紧化及Ｓｔｏｎｅ－Ｃｅｃｈ紧化的若干性质，获得了Ｔ２空间Ｎ点紧化的一个重要定理。     

1，1′─［四甲基二硅撑］双（环戊二烯基三羰基钨配合物）的合成及反应

１，２－二环戊二烯基四甲基二硅烷与丁基锂作用生成［四甲基二硅撑］双（环戊二烯基负离子盐），后者随即与六羰基钨反应形成１，１－［四甲基二硅撑］双［环戊二烯基三羰基钨负离子盐］，（Ｍｅ２ＳｉＳｉＭｅ２）·［Ｃｐ′（ＣＯ）３Ｗ－］２·２Ｌｉ＋（Ｉ）．（Ｉ）分别与六种卤化物反应，生成在钨原子上引入取代基的产物：（Ｍｅ２ＳｉＳｉＭｅ２）．［Ｃｐ′Ｗ（ＣＯ）３Ｒ］２，（Ｒ：Ｍｅ，Ｃ２Ｈ５，２；ＰｈＣＨ２，３；ＣＨ２ＣＯＯＣ２Ｈ５，４；ＣＨ３ＣＯ，５；Ｐ３ｈＳｎ，６）．（Ｉ）用醋酸处理后，随即分别与ＣＣｌ４，ＮＢＳ及Ｉ２作用，生成相应的钨卤化物，（Ｍｅ２ＳｉＳｉＭｅ２）［Ｃｐ′Ｗ（ＣＯ）３Ｘ］２，（Ｘ：Ｃ１，８；Ｂｒ，９；Ｉ，１０），（Ｉ）与Ｆｅ３＋／Ｈ３Ｏ＋作用发生氧化偶联，生成双核Ｗ－Ｗ键产物（Ｍｅ２ＳｉＳｉＭｅ２）［Ｃｐ′Ｗ（ＣＯ）３］２，１１．（Ｃｐ′＝Ｃ５Ｈ４）     

Naked DNA Against Viruses and Cancer

ＰａｖｌｏｖｉｃＪ．ＳｃｈｕｌｔｚＪ．ＰｅｔｒｚｉｌｋａＤ．ＳｃｈｕｈＴ．ＭｏｅｌｉｎｇＫ．ＩｎｓｔｉｔｕｔｅｏｆＭｅｄｉｃａｌＶｉｒｏｌｏｇｙ，ＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙｏｆＺｕｒｉｃｈ，Ｇｌｏｒｉａｓｔｒａｓｅ３０，ＣＨ－８０２８Ｚｕｒｉｃｈ，Ｓｃｈｗ...     

氢化钠米硅薄膜的光声光谱研究

分析了纳米硅薄膜材料从可见光到近红外范围的光声光谱，并与微晶硅和非晶硅材料进行了对比。纳米硅的光吸收系数比后两都高（特别是在１．４～１．９ｅＶ之间，高出近一个数量级），其原因是纳米硅薄膜中大量晶粒对光子的散射、晶粒界面缺陷的吸收及载流子吸收的影响，此外，纳米硅光声谱中Ｕｒｂａｃｈ边宽且缓，反映出这种材料很高的无序程度。     

CoSi2薄膜电学性质研究

对厚度约为０．４μｍ的ＣｏＳｉ２多晶薄膜的电学性质进行了研究。在－２００℃～２０℃温度范围,测量了ＣｏＳｉ２薄膜的电阻率。室温下,电阻率为９～２０μΩ·ｃｍ．随着温度的降低,电阻率减小,且表现出较好的直线性。