用连续波自动测量超声渡越时间

本文简单介绍了超声渡越时间的测量。采用连续正弦波,用低速器件建立了超声渡越时间测量系统。对系统进行了说明,引入特征参量描述矢量电压表的状态,对状态进行自动识别。提出相位跟踪法、预测校正方法,实现微机控制渡越时间快速自动测量,作为例子,给出由测量渡越时间而得到的水的声速测量值和琼脂模型的超声声速断层图象。     

基于chirp信号的宽频带相控阵雷达数字补偿技术

针对宽频带大口径相控阵雷达孔径渡越时间问题,提出了一种直接宽带数字中频的宽频带相控阵雷达实现框架,并基于chirp信号提出了使用数字去斜技术补偿孔径渡越时间,使用数字本振相位调整补偿射频通道一致性的信号处理方法.结合实际硬件系统验证了方法的有效性和工程可实现性,结果表明本文方法可有效补偿孔径渡越时间和射频通道的不一致性.      

超热电子渡越辐射与高能质子发射的比较研究

在超短超强激光-固体靶相互作用过程中,通过对超热电子输运产生的渡越辐射光斑与高能质子发射的空间分布图案进行比较,渡越辐射光斑与高能质子发射的空间分布图案非常相似,都呈圆盘状．通过对渡越辐射光强随靶厚度的关系曲线、超热电子输运能量沉积随靶厚度的关系曲线以及文献中已有的高能质子能量随靶厚度的关系曲线进行比较,3条曲线的形状也非常相似,都在10μm靶厚度处存在转折点．分析表明,超热电子输运产生的渡越辐射与高能质子发射存在一定的内在联系,而这个联系就是超热电子输运而产生的静电场。     

SiGe异质结双极晶体管基区渡越时间分析

对SiGe异质结双极晶体管(HBT)的基区渡越时间进行了计算和分析,考虑了基区掺杂和Ge组分分布对本征载流子浓度和电子迁移率的影响,以及大电流密度下产生的感应基区(CIB)的渡越时间.结果表明,Ge组分为转折点X1/Wb≈0.12的矩形-三角形分布时,可得到最小的基区渡越时间;Ge分布对SiGe和Si的有效态密度之比的影响很小,但对迁移率的影响较大;基区掺杂为指数分布或高斯分布对基区渡越时间影响很小.     

全反射光的横向偏移和渡越时间曲线

利用全反射所产生的相移角导出了全反射光在第二种介质中的横向偏移和光在第二种介质中的渡越时间，并利用推公式计算了横向偏移和渡越时间随入射角的变化曲线。     

C波段三腔渡越时间效应振荡器的理论与实验

C波段三腔渡越时间效应振荡器是基于三腔谐振腔渡越时间效应的一种新型高功率微波器件. 首先对该器件的工作原理进行了简要论述, 并对径向绝缘二极管、三腔谐振腔、双间隙输出腔及圆波导斜劈天线等部分进行了详细的理论与实验研究. 用解析方法求出了三腔谐振腔的模式及场分布, 导出了三腔谐振腔非π模场的渡越时间效应规律. 最后给出了实验结果. 该器件在C波段产生了半高宽约为15 ns, 峰值功率超过400 MW的辐射微波, 束波转换效率为17%.     

利用相干渡越辐射测量自由电子激光的群聚

探讨了利用相干渡越辐射(CTR)来测量自由电子激光(FEL)群聚电子束的测量方法。根据相干渡越辐射(CTR)的特性,结合FEL中电子束群聚的特点,建立了理论模型。利用CAEP光阴极RF腔注入器、30 M eV射频加速器产生的30 M eV电子束及相应的FEL装置进行了实验验证。结果表明:群聚后电子束渡越辐射的强度大大高于非群聚电子束的辐射强度,而且辐射角也很小,反映了该辐射的相干性,由此可以给出电子束的群聚效果。     

电子温度对SiGeHBT基区渡越时间的影响

讨论了采用能量传输模型时的SiGeHBT基区电子温度分布,以及电子温度对基区渡越时间的影响．计算结果表明：基区电子温度呈现明显的不均匀分布,从发射极侧到集电极侧逐渐增大;电子温度分布主要由基区Ge分布决定,而基区掺杂对电子温度的影响不大．考虑基区电子温度分布时基区渡越时间减小,在较大的Ge分布梯度下,电子温度对基区渡越时间的影响不可忽略．     

用切伦科夫光测量网栅型光电倍增管的渡越时间分散

描述了一种利用伽马射线照射光阴板生成的切伦科夫光来测定光电倍增管渡越时间分散的实验方法,并利用这种方法测量了Hamamatsu R-5924光电倍增管的渡越时间分散.     

分子磁体中量子-经典渡越的数值研究

运用数值的方法研究了分子磁体的隧穿效应中量子-经典渡越问题.从双轴磁晶各向异性模型出发,计算了不同参数下各能级的隧穿率随能量以及温度的变化关系,直观地描述了从量子隧穿到经典热跳跃渡越的物理过程,并描述了最佳隧穿位置在不同参数下随温度的变化行为.研究发现,数值计算结果和解析结果是相吻合的,验证了在此渡越过程中确实存在一级转变与二级转变,并提出检验一级转变的可能性.     

Madey定理在几种类型自由电子激光中的推广证明

Madey定理由两部分组成,它们是从静磁泵场自由电子激光分析中得到的。本文针对其它几种常见类型的自由电子激光进行了分析,结果表明,除渡越辐射型外,在其它几种类型中Madey定理第一部分成立。这样,与已推广了的第二部分一起,Madey定理就得到了完整的推广。渡越辐射自由电子激光中也存在相应的形式,但远为复杂。     

带螺线盘线圈的Ku波段径向渡越时间振荡器模拟研究

径向渡越时间振荡器(transit-time oscillator,TTO)相较于轴向渡越时间振荡器,其电子束电流密度更低,空间电荷效应更弱,从而其束波转换效率更高,所需要的引导磁场也更低,因此是目前最有潜力的径向高功率微波(HPM)器件之一。传统径向渡越时间振荡器通常采用金属栅网实现对径向传输电子束的引导,但是金属栅网的熔蚀直接限制了器件的工作寿命和重复频率。在利用径向螺线盘线圈产生的磁场满足径向电子束稳定传输的条件下,开展了带螺线盘线圈的Ku波段径向渡越时间振荡器的整管粒子(PIC)模拟。在电子束电压300 k V、电流20 k A的模拟条件下,器件实现微波功率为2.07 GW、频率14.86 GHz、效率达34.5%的输出。     

高校教师职业倦怠与积极心理品质的研究

研究运用职业倦怠量表和积极心理品质量表对高校的216名教师进行调研,研究表明:高校教师的职业倦怠主要集中在职业倦怠较低和比较严重两个水平。高校教师的积极心理品质与职业倦怠及其三个维度均有显著负相关,积极心理品质越好,职业倦怠越低;积极心理品质的节制维度和智慧维度对情感枯竭的回归效应显著;节制与智慧越高,教师的情感枯竭越低。节制维度和超越维度对去个性化的回归效应显著。超越与节制越高,教师的去个性化越低。超越维度和勇气维度对低成就感的回归效应显著。超越与勇气越高,教师的低成就感越低。     

铁磁/半导体/铁磁异质结中的自旋输运

在群速率概念的基础上,讨论了自旋极化电子的隧穿系数和渡越时间与半导体层厚度、Rashba自旋轨道耦合强度以及两磁性铁磁体中磁矩夹角之间的关系。结果表明:不同自旋取向的电子在隧穿铁磁/半导体/铁磁三明治异质结过程中,隧穿系数表现出振荡特性,而渡越时间则表现出明显的分离特性。     

带航速三体渡驳水动力特性频域分析

为了研究带航速三体渡驳在波浪中航行时的水动力特性,以及航速和环境因素对其幅值响应算子的影响,根据势流理论和波浪辐射/衍射理论分析了有航速三体渡驳的波浪激励力及水动力系数,进而利用AQWA求解了三体渡驳的幅值响应算子,得到了不同航速、水深及遭遇浪向条件下三体渡驳各自由度幅值响应算子随波浪圆频率的变化曲线。计算结果表明:航速越大纵荡幅值越小、纵摇峰值越大,水深越浅垂荡幅值越小、纵摇峰值频率越低,当水深吃水比大于20后即可按照无限水深来计算其幅值响应算子;遭遇浪向对各自由度RAOs均有较大影响,其中艏斜浪或迎浪航行对三体渡驳的运动较为有利。     

渐变折射率光纤自聚焦性的数学推导

对渐变光纤的自聚焦性进行了详细的分析和数学推导，尤其针对抛物线型折射率分布和双曲正割型折射率分布的渐变光纤从子午射线的轨迹方程，以及子午射线的渡越时间两个方面进行了全面论证，从而证实了双曲正割型折射率分布对子午光线而言是一种最佳的折射率分布，避免了模色散。     

渐变折射率光纤自聚焦性的数学推导

对渐变光纤的自聚焦性进行了详细的分析和数学推导,尤其针对抛物线型折射率分布和双曲正割型折射率分布的渐变光纤从子午射线的轨迹方程,以及子午射线的渡越时间两个方面进行了全面论证,从而证实了双曲正割型折射率分布对子午光线而言是一种最佳的折射率分布,避免了模色散.     

一种同步重复扫描变像管

本发明属于超快速光电成像器件的技术领域。本发明所述的同步重复扫描变像管具有如下发明特征:光电阴极在特制的转移系统中制成;加速电极为特殊工艺处理过的电子透过率高的被动MCP制成;多电极同轴静电聚焦系统具有低的阳压,短的渡越时间、高的空间分辨率、无附加渡越时间弥散等特点;偏转系统具有低的动     

基于石墨烯可调和增强太赫兹渡越辐射研究

太赫兹辐射具有量子能量低、信噪比高、频率宽等一系列特殊性质,在各个领域都具有相当重要的应用前景,随着太赫兹技术的发展以及应用领域的拓展,迫切需要性能各异的太赫兹辐射源.基于光子学和电子学相结合产生辐射的方法弥补了传统电子学方法产生的辐射功率高但频率低和传统光子学方法频率高但功率低的缺点,解决了太赫兹源遇到的难题.本文根据石墨烯表面等离子体波位于太赫兹波段的独特性,采用经典电磁理论,研究电子注以任意角入射石墨烯时产生太赫兹渡越辐射的场分布和光谱角分布;通过MATLAB数值计算,分析了渡越辐射的辐射特性,以及入射角度、介质和石墨烯电导率对所产生的渡越辐射的影响,利用光谱角分布更直观地展现了渡越辐射能量的特点.石墨烯电导率的可调节特性和这种特殊的边界条件,为研究可调太赫兹辐射源提供了灵活的选择和便捷的处理方式.     

相对论BCS-BEC 渡越热力学

利用Nambu-Gorkov表示,讨论了在相对论Fermi-Bose系统中的BCS-BEC渡越条件及其热力学性质,得到了临界点附近费米子的激发能谱。给出了临界温度附近和低于临界温度区域的能隙表达式。理论计算结果表明,渡越区在临界温度附近存在着零质量准粒子的激发。