高效液相色谱/质谱联用技术快速鉴定左氧氟羧酸原料药中微量未知杂质

左氧氟羧酸是合成喹诺酮类抗菌药物左氧氟沙星的主要原料,在其合成过程中产生了一个微量未知杂质.运用高效液相色谱/质谱联用结合串联质谱技术对其进行分析发现,该杂质的分子量及分子式与左氧氟羧酸的相同,其碰撞诱导解离二级和三级质谱产生的碎片离子及其丰度也与左氧氟羧酸的相似.通过对该杂质的多级质谱裂解机理进行分析总结,结合高分辨质谱数据,推测该杂质为9,10-二氟-11-羟基-2-甲基-2,3-二氢-1,6-苯并[e][1,4]噁唑啉-5,7-二酮,与左氧氟羧酸分子结构的差异体现为异丙基环合位置不同.其结构得到核磁共振波谱技术的进一步确证.     

鲑降钙素有关物质结构HPLC MS/MS鉴定的计算机辅助方法

建立了一种辅助固相合成的鲑降钙素有关物质质谱解析的方法.根据主成分的氨基酸序列计算其肽键裂解产生的理论离子并与质谱图中的离子进行匹配,对主成分的二级质谱子离子进行归属;根据高分辨一级质谱计算有关物质的精确分子量及其元素组成,进一步计算该杂质与主成分差异片段的元素组成;推测差异片段连接于主成分不同位置的理论杂质的结构,计算该结构的杂质在质谱裂解过程中可能产生的理论碎片离子的质荷比（m/z）;将理论碎片离子与实测质谱子离子进行匹配,推测有关物质的氨基酸序列;将推测的杂质的子离子结构与主成分的对应子离子进行比较验证杂质的结构;借助ASP+HTML编程技术实现上述过程的自动化.研究结果共推断出7个鲑降钙素相关杂质的结构,包括1个降解杂质、1个乙酰化杂质、4个氨基酸重复连接杂质和1个同分异构体杂质.      

一种新的1,5-二酮类化合物的结构表征

合成了一种新的1,5-二酮类化合物,并通过高效液相色谱(HPLC)、差示扫描量热(DSC)、核磁共振氢谱(1HNMR)、核磁共振碳谱(13CNMR)、质谱(MS)等分析方法对其化学结构进行了表征,推断出该物质为1,3,5-三[4-(二甲基氨基)苯]-1,5-二戊酮。     

水热法合成甘草次酸甲酯的研究

以甘草酸为原料通过水热法合成了甘草次酸甲酯,并通过红外光谱和1H核磁共振等手段对其进行表征,确定了其化学结构.该合成方法具有简便、快速、收率高等优点.     

二氯代[2,2]对CP的结构表征

ＣＰ类化合物 (即Ｃｙｃｌｏｐｈａｎｅ )是近年来出现的一类新的大环化合物[1] ,对其研究仍在深入发展中 .从现有的研究结果来看 ,这类化合物在药物合成化学、催化及材料科学等方面都有良好的应用前景 .这里我们报道利用红外光谱、质谱和高分辨核磁共振谱 ,对这类化合物中的一种进行结构表征的研究情况 ,即先对该化合物的红外光谱的吸收谱带进行归属 ,再通过有机质谱分析确定分子量 ,并对质谱碎片与断裂方式进行研究 ,提出其可能结构 ,最后由核磁共振谱予以验证 ,并对取代基Ｃｌ的位置加以确认 .1　实验仪器和试样　　傅里叶变换红外光谱仪…     

异丁酰基靛蓝的合成与光谱性质研究

以异丁酰氯和靛蓝为原料,合成了一种新型的荧光化合物——异丁酰基靛蓝,通过质谱、高分辨质谱、红外光谱、核磁共振谱对其结构进行表征,并通过对其紫外光谱、荧光光谱谱图的测定,确定了此类化合物的荧光性能,发现此类化合物有较高的Stokes位移值,表明这是一类新型的具有荧光性能的小分子化合物.     

1-(1H-咪唑-1-基)-苯乙酮的超声和微波合成

分别在常规方法、超声技术和微波辐射三种条件下合成了1-(1H-咪唑-1-基)-苯乙酮,通过核磁共振,红外,质谱确认其结构.并对各种合成方法进行了比较研究.     

头孢地尼中杂质来源分析与合成

为了完善头孢地尼原料药的质量控制，建立其质量标准，从头孢地尼的合成路线入手，分析并合成其中可能存在的5种杂质：噻唑乙酰基甘氨酸肟、杂质O、杂质D、杂质G和杂质S，并经核磁共振氢谱和质谱确认。纯度经高效液相色谱法测定均达到了99%以上，可作为头孢地尼药物质量控制的杂质对照品,为头孢地尼产业化开发及质量控制提供依据。     

富马酸比索洛尔合成中的杂质分析及控制

在富马酸比索洛尔的制备中, 发现了1 种从未被报道的、含量较高的杂质,通过1H-NMR、13C-NMR、MS和HPLC对其进行了溯源分析和结构确证,并定向合成了该杂质,根据其产生根源,优化醚化反应工艺条件。结果表明,当n(对异丙氧基乙氧基甲基苯酚) : n(环氧氯丙烷)= 1 : 1.2,以蒸馏水为溶剂,NaOH为催化剂,反应温度70 ℃,反应时间4 h时,该杂质的含量得到了有效控制,并通过精制使最终产品富马酸比索洛尔中的该杂质去除掉,其它杂质含量不超过0.1%。     

新型间氯苯基卟啉-5-氟尿嘧啶及其锌配合物的合成及光谱特征

合成了4种新型间氯苯基卟啉5氟尿嘧啶化合物及其锌配合物,通过红外光谱、紫外可见光谱、核磁共振谱及质谱表征了其结构,并对其红外光谱和紫外可见光谱的特征进行了讨论.     

考虑轻杂质时离心级联中组分分布的数值模拟

为了清楚地了解离心机级联中轻杂质的传播与分布,对利用离心法获取同位素过程中存在的轻杂质问题进行了数值模拟。根据实际的物理过程,建立了新的质量损失模型及轻杂质(HF)产生模型。数值模拟中将反映物质守恒的微分方程进行差分处理,以W F6为工作介质,考虑腐蚀损耗、供料中的轻杂质及离心机级联系统漏率,求解差分方程组,得到了离心级联中各组分的丰度分布,并与旧的模型进行了比较。数值计算结果显示新模型得到的轻杂质丰度在精料端的积累量远高于旧模型,理论上该模型能够更准确地反映离心级联中轻杂质传播与分布情况。     

基于Camshift跟踪算法与SVM的大输液杂质检测识别方法研究

针对我国医药生产检测包装线上大输液杂质智能检测技术问题,提出了一种利用实时视频图像处理技术检测识别大输液杂质的方法.该方法对连续多帧被旋转的大输液瓶图像运用差分图像运动分析方法提取目标杂质;运用图像处理技术去除气泡噪声,准确分割目标杂质,采用Camshift跟踪算法连续跟踪几帧运动杂质以确保检测准确率;根据Camshift跟踪算法提取出的杂质运动和几何特征,应用SVM(Support Vector Machine)准确识别杂质类型.实验结果表明,该方法检测识别直径大于等于4个像素的杂质的检测识别率平均可达到95.4%,检测识别速率平均可达到581 ms/瓶.     

基于HPLC-Q-TOF-MS的非那雄胺原料杂质结构及来源分析

为优化非那雄胺(Finasteride)杂质控制和生产工艺,本研究采用高效液相色谱-四极杆飞行时间质谱法(High Performance Liquid Chromatography-Quadrupole Time of Flight Mass Spectrometry,HPLC-Q-TOF-MS)分析非那雄胺原料中的主要杂质结构,并结合强制降解试验推测部分杂质的来源。本研究共分离出15种杂质,并初步推测了杂质1,2,5,6,8,10,13,14等8种杂质的结构,其他7种杂质因含量过低或受其他因素干扰,未推断出其结构。强制降解试验结果表明,杂质1,3,5,7,9,10,11,12,14,15为工艺杂质,杂质2,4,6,8和C可能是降解杂质,也可能是工艺杂质。非那雄胺生产企业应优化生产工艺,并在贮藏及运输过程中控制温度,减少非那雄胺降解反应的发生。     

含杂质方铅矿的电子结构和光学性质的第一性原理计算

采用基于密度泛函理论(DFT)的计算方法,研究银、铟和铊杂质对方铅矿晶体电子能带结构和光学性质的影响。结果表明,银和铊杂质使方铅矿的带隙变窄,而铟杂质相反。当方铅矿晶体中的铅原子被银和铊取代时,费米能级向低能方向移动;且在价带中出现了铟和铊的杂质能级。银和铊杂质没有改变方铅矿的半导体类型,铟杂质的掺入使方铅矿由直接带隙p型半导体转变为间接带隙n型半导体。这有利于电子的转移和提高方铅矿的电化学反应活性。光学性质的计算结果表明,银、铟和铊杂质使方铅矿的吸收带红移。特别是银杂质的存在使方铅矿的吸收系数增加了三个数量级。     

富硼渣常压碱解浸出液的净化及硼砂制备

以富硼渣为原料、Na OH为钠化剂,在常压碱解的基础上,考察了浸出液中杂质的产生、去除机理和去除效果.采用X射线衍射仪和扫描电子显微镜表征了富硼渣常压碱解及净化后的沉淀物和硼砂结晶产物的物相组成和显微形貌.结果表明:含硼浸出液中主要杂质是Ca2+和Si4+;Na HCO3对Ca2+的去除效果明显且Na HCO3的最佳添加量为3 g;浸出液p H值的改变对Si4+的去除效果明显,p H值为9.0时Si4+的去除率最高,可达到99%.实现"一步法"净化工艺,具有良好的去除杂质的效果.净化后的浸出液经蒸发、浓缩后获得了结晶良好的硼砂制品.     

单颗粒杂质位置与圆盘试件单轴劈裂抗拉强度相关性研究

运用PFC3D颗粒流模型对单颗粒杂质位置与圆盘试件单轴劈裂抗拉强度的相关性进行了研究。对比分析了均质与含单颗粒杂质圆盘在巴西试验过程中的应力状态及破坏形态,揭示了杂质颗粒位置的不同对巴西圆盘抗拉强度实验结果的影响规律。结果表明,杂质颗粒可使抗拉强度减小,杂质颗粒位于加压轴线垂直方向的直径上时,距圆盘中心水平距离越近,对抗拉强度影响越大;杂质颗粒位于加压轴线上时,距圆盘中心距离越远,对抗拉强度的影响越大;杂质颗粒所处位置不同会导致试件发生不同形态特征的破坏。通过多次含有杂质圆盘单轴抗拉实验结果综合分析,得出了含杂质圆盘单轴抗拉强度实验结果的修正系数公式。     

CuO2平面外非磁性杂质对gossamer超导体局域态密度的影响

在t-J-U模型下,应用Gutzwiller平均场近似及Bogoliubov-de Gennes(BdG)理论研究了CuO2平面外单个非磁性杂质对gossamer超导体电子局域态密度的影响。结果表明,在远离杂质点处电子局域态密度呈现出典型的非对称性,在杂质点附近平面外的非磁性杂质使超导能隙变小,但是并没有明显破坏超导。而在杂质点附近由于平面外的杂质势没有被有效屏蔽而导致CuO2平面内电子的分布在纳米尺度上存在着明显的不均匀性。     

制备介孔复合环境材料的酸洗刻蚀工艺

探索了一种制备介孔复合环境材料的方法--破坏式造孔与有机复合相结合,使最终产品可大量吸附污染水体中的各种污染物并具有一定的杀菌功能.该方法通过酸洗刻蚀,达到了去除原材料中的杂质和刻蚀孔径的目的,所制备的中间产品24h吸湿率为原材料的2倍,染料吸附量为原材料的1.6倍.