一种SVPWM的死区时间效应补偿方法

本文对SVPWM波的死区时间效应进行了分析，同时给出了一种全新的针对永磁同步电机驱动中死区效应的补偿方法。该方法同时考虑了零电流钳位和寄生电容的影响，通过计算和实际验证表明，该方法确实改善了死区效应的影响。本方法理论分析的有效性及其实际效果都通过在空调直流电机驱动控制应用中得到了充分验证。     

同步整流管栅源寄生电容在同步整流技术中的应用分析和比较

采用功率MOSFET取代普通二极管或肖特基二极管的同步整流技术,可以使低压大电流变换器的效率得到极大的提高。阐述了同步整流管的栅源寄生电容在实现整流器件驱动中的不同应用及其特点,并给出了应用实例分析。     

VUMOSFET开关电容的研究

VUMOSFET是一种新型功率器件,它一个很重要的优点是它特有的沟槽结构减小了器件的寄生电容,而寄生电容的充放电过程是限制VUMOSFET开关速度的主要因素,本文剖析了VUMOSFET主要寄生电容的结构并给出计算公式,通过公式可以定量的减小寄生电容,从而降低开关时间,减少功率损耗,对设计具有指导作用．     

电容传感器寄生电容干扰的产生原因及消除方法

分析了电容传感器寄生电容存在的主要原因,以及消除寄生电容干扰的几种方法：主要采用驱动电缆技术、运算放大器驱动技术、整体屏蔽技术、集成组合技术来减小寄生电容,以提高传感器的性能。     

耦合结构高分辨率电荷按比例缩放DAC的分析

耦合结构高分辨率电荷按比例缩放DAC占用面积小,功耗低,然而其互连结点之间的寄生电容影响了它的线性．介绍了耦合结构高分辨电荷按比例缩放DAC级间耦合电容值的设计方法,讨论了寄生电容对DAC精确度的影响．用两种不同的理论模型分析了电容轨迹误差对DAC精确度的影响,并在两种模型下比较了两级和传统的单级电荷按比例缩放DAC的精确度和版图面积．     

寄生电容对运算放大器电路稳定性的影响及补偿的分析

运算放大器电路中常存在寄生电容,本文分析了这些寄生电容使电路产生自激的原因及提高闭环稳定性的补偿措施。     

Wien bridge电流模式正弦波振荡器的AOA实现

以传统的Wien bridge电压模振荡器为原型,根据网络与其伴随网络传输函数相同的特点,用伴随运算放大器(AOA)和分立电阻及电容设计出Wien bridge电流模式振荡器,该电路不仅具有速度高、频率高、电压低及功耗小等电流模电路的特点,而且振荡频率和输出幅度可独立的调谐;振荡频率和输出幅度与负载大小无关;振荡频率受寄生电容影响小,输出频率的精确度、稳定度高,电路比较简单,既适合分立电路使用,亦适合VLSI单片集成。计算机仿真证明该设计正确.     

考虑悬浮哑元的结构化随机行走电容提取算法

为了解决化学机械抛光(CMP)工艺带来的芯片平整性问题,集成电路制造工艺越来越多地选择向电路版图中填充金属哑元.然而,电路中的大量金属哑元大幅增加了互连线的寄生电容值.在提取含大量哑元电路的寄生电容时,传统寄生电容提取算法的效率会受到明显影响.提出了一种基于随机行走的寄生电容提取算法,利用区域分解技术,将哑元区域划分为多个子区域,通过对具有相同结构的标准子区域建立宏模型,并计算其马尔可夫转移矩阵,利用转移概率实现哑元区域内的"行走".同传统算法相比,在保证提取精度的前提下,方法具有更快的提取速度.此外,宏模型的建立可以避免对标准哑元结构的重复计算,提高计算结果的复用率.     

微电容阵列检测系统的设计

通过实验分析了电容读取芯片MS3110P各项性能指标,并设计了一款能自适应匹配模拟开关产生的电荷注入效应的P控制器;开发出一款具有单电容阵列测量模式和差分电容阵列测量模式的微电容阵列检测电路,并探讨了其寄生电容产生的原因。测试结果表明,该检测电路克服了各种寄生电容对传感器的影响,提高了测量精度,能够应用于MEMS触觉传感器微电容阵列的测量。     

宽带电流模形式PHEMT前置放大器设计

设计并实现了基于0.2 μm PHEMT工艺的宽带电流模形式前置放大器.前置放大器将光电二极管产生的电流信号放大并转换为差分电压信号.电路为共栅结构,输入电阻小,减小了光检测器寄生电容对电路带宽的影响.设计时采用了电容峰化技术,可获得比普通共栅结构更宽的带宽.后仿真结果为,在单电源5 V,输出负载50 Ω的条件下,该前置放大器的跨阻增益为1.73kΩ,带宽可达到10.6 GHz,同时具有低噪声和较宽的线性范围,芯片面积为607 μm×476 μm.测试结果表明,此前置放大器可以很好地工作在10 Gbit/s速率上.     

高压快速脉冲放电的脉冲特性控制的研究

高压(千伏级)快速(亚纳秒～纳秒)电脉冲为当前许多前沿学科和军事技术所迫切需要。本文在对亚纳秒脉冲放电特性进行了研究的基础上,综合研究了脉冲放电回路参量对输出脉冲特性的影响及高压快速的特点,提出了两种对输出高压快速脉冲特性参量控制的方法:1)改变亚纳秒脉冲放电管的阳级等效分布电容实现对高压快速脉冲宽度的控制,2)利用亚纳秒脉冲放电管的阳级等效分布电容、阴级等效分布电容、阴级等效分布电感的合理组合实现对高压快速脉冲的前沿和宽度的控制,从而得到了脉冲特性可控的高压快速脉冲源。     

一种用于电容式PT系统的微小电容量检测方法

针对大型工业过程设备（如大型反应器,大型容器及大型分离器）使用电容式ＰＴ技术中存在的微小电容量检测问题,提出了使用高压交流单边激励与磁性Ｃ／Ｖ转换相结合的方法进行测量,该法具有较强的抗杂散电容的能力,实验表明,该法的电容测量分辨率可达０．１ｆＦ数量级。     

三维空间表面电荷法的改进

为了有效地求取电气设备的空间分布电容值，对三维空间表面电荷法进行了改进。利用曲面三角形单元取代平面单元，并用二次多项式对内部点,可以更好地模拟电力设备的结构，获得高的计算精度。给出了单元上的数值离散格式，并将均压环对地电容作为算例进行了计算。结果分析表明，计算值与测量值间的相对误差仅有2％，两者有很好的一致性。     

考虑寄生参数的220kV柱式电压互感器的暂态电路模型

220kV柱式电压互感器是高压电网中重要的电气设备,建立高压柱式电压互感器的暂态电路模型对研究其快速暂态过电压分布具有重要意义。首先利用矢量网络分析仪测量得到了高压220kV柱式电压互感器的宽频阻抗参数,然后根据220kV柱式互感器的内部结构,建立了考虑寄生电感和杂散电容影响的互感器暂态电路模型,并将该暂态电路模型与测量得到的宽频阻抗参数进行对比,验证了互感器暂态电路模型的有效性;最后利用考虑寄生电感和杂散电容影响的暂态电路模型计算了在工频和雷电冲击电压作用下柱式电压互感器二次回路输出电压,获得了柱式电压互感器的宽频传递特性。     

膜片钳仪的低噪声设计

本文研制的PC-Ⅰ型膜片钳可以分辨细胞膜上离子单通道电流信号(1pA,10kHz).在分析PC-Ⅰ原理的基础上讨论了其抑制噪声、扩展频带、输入杂散电容和输入电阻的补偿技术.给出了PC-Ⅰ的1GΩ/0.1GΩ探头内用机械开关切换对杂散电容敏感的高阻值反馈电阻的有效方法。在信噪比足够高的条件下,仪器的测量误差≤2％。     

基于谐波注入法的差分式非接触电压测量

当前基于电容耦合的传感器尚无有效、便捷的耦合电容动态校准方法,影响测量精度。因此,本文提出了基于谐波注入的差分式非接触电压测量方法,首先利用感应探头与跨阻运算放大器将基频信号引入测量系统;其次通过屏蔽罩,减小外界杂散电容变化带来的干扰,改进探头并引入差分式电路结构,消除运放输入电容的影响;接着对测量电路注入谐波,并利用DFT实现对响应信号中基波信号与谐波信号的提取,通过谐波源与谐波响应信号的比值,求解出耦合电容参数,实现其动态校准;然后将校准的电容参数代入基波方程,实现基波电压信号的测量;最后,通过仿真结果表明,文章所提的测量方法可在10kV的应用场景中满足对变化的耦合电容校正要求,且最大的电压测量误差小于0.4%     

反激式开关电源中变压器分布电容产生的共模干扰研究

以反激式变换器为研究对象,在仔细分析了变压器原副边之间分布电容对共模干扰作用的基础上,建立了共模传导干扰耦合通路模型。在考虑了变压器线圈绕组的电位分布的情况下,提出了一种计算变压器初、次级绕组间等效共模寄生电容的方法。根据模型,重点分析了变压器的绕组结构及变压器与外电路的连接方式对系统中的共模干扰产生的影响。最后,提出了一种共模干扰滤波器,并用软件进行了仿真验证。     

高频下寄生极间电容对MOSFET源极跟随器的影响

用模拟等效电路，源极有恒流源电路分析高频下，ＭＯＳＦＥＴ源极跟随器的极间电容、寄生电容引起的一些特殊效应．为宽带ＭＯＳＦＥＴ源极跟随器的设计提供理论依据．若将宽带跟随器作为电子仪器输入级，可居同类跟随器输入级的先进水平．     

小电流真空电弧不稳定性及截流的试验研究

通过试验研究了小电流真空电弧不稳定时电弧电压、电弧电流的高频变化过程，观察到电弧不稳定过程中存在许多不成功截断，导致电弧电压和电弧电流波形上叠加高频分量。负载电容、触头并联电容和回路连线电感等对电弧电压、电弧电流的高频过程具有不同的影响；也影响真空开关的截流值。