新型的门禁系统结构的设计

在屏弃了传统的通讯单一化,或者无网络单点刷卡门禁系统结构的同时,将射频网络、GSM网络及以太网引入到了门禁系统中,形成了2级网络结构,极大的增强了系统的适应性,提高了性价比。初级网络采用资源丰富的ATMEGA128L作为主控器,次级网络由ATMEGA16L负责控制,并采用了自动请求重传机制,保证通讯的可靠性。     

数字图书馆的概念与内涵的研究

简要介绍了数字图书馆的发展 ,对数字图书馆的定义进行了概括 ,指出了信息资源数据库群建设的重要性和方法 ,肯定了数字图书馆的发展趋势 ,指出了数字图书馆建设是涵盖广泛学科及技术领域的漫长过程 ,提出了数字图书馆资源建设的必要性、重要作用及规范标准 ,设想了数字图书馆应当建设的一些数据库 ,拟出了国家支持建立无偿数据库的思路和行业自行建立有偿数据库的思路     

基于VerilogHDL的分频器的优化设计

基于整数和小数分频的实现原理,提出了整数和小数分频器的算法和结构,采用Verilog硬件描述语言优化设计了偶数、非50%占空比和50%占空比的奇数、半整数分频器,重点对任意小数分频器进行了设计优化.用LDV5.1进行了仿真,用Synplify Pro进行了基于ALTERA公司FPGA的综合,证明了其可行性.     

西瓜的故事

正夜深了,乡村的田野一片寂静。看着村子里的灯光次第熄灭,刘爷爷在瓜地巡视了一圈后回家了。想着今年风调雨顺,丰收在望,他满意地点燃了一支烟。夜更深了,两个黑影摸进了瓜地。10分钟,20分钟……他们把一辆三轮车装满了。离开瓜地才走了几步,三轮车却罢工了——陷进了一个坑。     

选煤厂的煤泥水的治理

本文通过对难沉煤泥水的煤泥特性的分析,通过采用新型的絮凝剂,改善了浓缩机的沉降效果,缩短了压滤机的压滤时间,最终实现了全厂的洗选闭路循环,保证了选煤厂的正常生产。     

基于人工智能的创造性思维的方案探讨

针对创造性思维在人类思维中的重要作用.对创造性思维的模拟提供了创造计算的一种新方法.其中,逻辑思维采用了神经网络的BP算法来实现,直觉思维采用了Hopfield神经网络以及交叉变异等实现方法,论述了变异联想在直觉产生中的重要作用,并且建立了模拟直觉的计算模型.提出了采用直觉与逻辑互补构成创造性思维的观点,构造了创造性思维的认知与计算模型,给出了创造性思维模型的计算实例.     

基于JBoss的AOP实现机制的研究

首先分析了AOP与OOP的关系,然后介绍了AOP的基本思想和实现机制,列举了JBoss AOP的主要组件,最后给出实例解释了JBoss AOP的实现机制,重点阐述了AOP组件协同工作的过程.     

邓小平的实践与邓小平理论的形成

长期的革命实践中 ,邓小平树立了坚定不移的共产主义理想和信念 ,积累了丰富的治党治国治军经验 ,掌握了马克思主义的真谛。所有这一切 ,对于邓小平理论的形成产生了极其重大的影响     

同步电机励磁系统的LQG控制器的设计

介绍了同步电机励磁系统的结构及控制方法,提出了带有DSP控制器的LQG（Linear Quadratic Gaussian）的励磁控制系统．由于采用了数字信号处理（Digital Signal Processing,DSP）,提高了同步电机控制性能,降低了成本,实现了理想控制．该控制系统能够弥补传统PID控制的不足,对其电压的波动有良好的抑制作用,提高了供电的可靠性．实验结果表明了它的可靠性和准确性,并体现了最优的设计思想．     

GOLDBACH问题主项的阶的估计

引入了点筛函数的概念,并对它进行了量级估计,确定了估计式的主项系数,进而估计了Goldbach函数主项的量级.     

高速复制机记录磁头磁路分析和计算

分析了高速复制机记录磁头磁路结构的特点，根据磁头漏磁通分布，提出了磁头磁阻计算的等效磁路。为了对磁头磁阻精确求解，对加工过程磁头芯材料中产生的磁性变质层用计算机进行了拟合；磁头磁阻的计算中，分别就磁芯材料的磁导率为实数和数的情况进行了讨论。     

高面密度垂直记录交叉方位角记录方式研究

研究了垂直记录单极型磁头的偏道特性及串音特性.在此基础上,提出了一种利用交叉方位角记录方式,减小实际记录道宽,消除保护带,从而充分利用磁盘记录媒体表面的新方法,在实现高道密度磁记录的同时,提高记录面密度.为实现这一目的而设计制作的双道方位角磁头,用于软盘系统,比相同宽度的普通磁头提高道密度一倍以上.     

非晶Co基软磁合金巨磁阻抗效应研究

巨磁阻抗可应用于微型高灵敏度磁传感器．我们研究了三种非晶合金薄带的巨磁阻抗效应．实验表明,在一定频率范围内提高测试频率,磁阻抗效应有明显提高;适当温度的退火也有助于磁阻抗效应的提高．其中成分为Ｃｏ７０Ｆｅ４．５Ｎｉ４Ｎｂ１Ｓｉ１２．５Ｂ８的非晶合金带的效应最显著,制备态非晶样品在频率为 ５ＭＨｚ下达 １２０％左右,经过退火处理的非晶样品在 ５ＭＨｚ下的效应可达４００％左右。     

非晶CoZrNb磁性薄膜的研究

研究溅射条件和旋转磁场热处理对CoZrNb薄膜结构和性能的影响。结果表明,高的溅射功率和合适的氩气压强对非晶CoZrNb薄膜的形成有用,并且这些薄膜的矫顽力较小。旋转磁场热处理将改善薄膜的软磁性能,使得矫顽力进一步减小。对溅射条件对薄膜性能的影响机制和旋转磁场热处理改善薄膜性能的机制作了简要的讨论。     

二维巨磁阻磁头表面场的计算

为了研究磁阻磁头的读出电压 ,有必要从理论的角度求得磁阻磁头的表面场。真实磁头用一个二维磁头近似来求解表面场及相关的磁势。磁势满足 Laplace方程 ,利用能量最低原理求得磁势及表面归一化场。根据磁头的磁记录性质确定边界条件。结果表明 :巨磁阻磁头的高频读出性能显著优于电感磁头     

The ultimate speed of magnetic switching in granular recording media

In magnetic memory devices, logical bits are recorded by selectively setting the magnetization vector of individual magnetic domains either 'up' or 'down'. In such devices, the fastest and most efficient recording method involves precessional switching: when a magnetic field B(p) is applied as a write pulse over a period tau, the magnetization vector precesses about the field until B(p)tau reaches the threshold value at which switching occurs. Increasing the amplitude of the write pulse B(p) might therefore substantially shorten the required switching time tau and allow for faster magnetic recording. Here we use very short pulses of a very high magnetic field to show that under these extreme conditions, precessional switching in magnetic media supporting high bit densities no longer takes place at well-defined field strengths; instead, switching occurs randomly within a wide range of magnetic fields. We attribute this behaviour to a momentary collapse of the ferromagnetic order of the spins under the load of the short and high-field pulse, thus establishing an ultimate limit to the speed of deterministic switching and magnetic recording.     

Giant magnetoresistance in organic spin-valves

A spin valve is a layered structure of magnetic and non-magnetic (spacer) materials whose electrical resistance depends on the spin state of electrons passing through the device and so can be controlled by an external magnetic field. The discoveries of giant magnetoresistance and tunnelling magnetoresistance in metallic spin valves have revolutionized applications such as magnetic recording and memory, and launched the new field of spin electronics--'spintronics'. Intense research efforts are now devoted to extending these spin-dependent effects to semiconductor materials. But while there have been noteworthy advances in spin injection and detection using inorganic semiconductors, spin-valve devices with semiconducting spacers have not yet been demonstrated. pi-conjugated organic semiconductors may offer a promising alternative approach to semiconductor spintronics, by virtue of their relatively strong electron-phonon coupling and large spin coherence. Here we report the injection, transport and detection of spin-polarized carriers using an organic semiconductor as the spacer layer in a spin-valve structure, yielding low-temperature giant magnetoresistance effects as large as 40 per cent.     

巨磁电阻自旋阀多层膜的结构和磁性

用磁控溅射镀膜方法，制成了巨磁电阻自旋阀多层膜Ｔａ／ＮｉＦｅ／Ｃｕ／ＮｉＦｅ／ＦｅＭｎ／Ｔａ。它具有优良的特性。其室温磁电阻比率ＭＲ〉２％，自由层矫元力Ｈｃｌ〈１６０Ａ／ｍ，自由层零磁场漂Ｈｆ〈８００Ａ／ｍ和钉 扎层交换场Ｈｅｘ≈２０×１０＾３Ａ／Ｍ。     

录音磁头在实用条件下的摩擦学性能

在实际使用条件下,研究了三种坡莫合金录音磁头的摩擦学性能。研究了磁头磨损参数随使用时间的变化规律,以及磁头不同铁芯和屏蔽罩材料对磁头摩擦学性能的影响,比较了不同磁带运行速度下磁头的磨损行为,并进行了磁头的磨损失效分析。结果表明,录音磁头表面磨损为不均匀磨损,随磨损时间延长不均匀磨损更严重;三种磁头因铁芯、屏蔽罩材料不同而具有不同的摩擦学性能,其中硬坡莫合金磁头耐磨性能最好;磁头磨损是由于从磁带上脱落的Ｆｅ２Ｏ３磁粉颗粒的微切削作用造成磁头表面划痕;磁头在磨损过程中表层有冷加工硬化现象。     

稳恒场中场和势的研究

运用类比方法,讨论了稳恒电场中场与势的关系和稳恒磁场中场与势的关系,得出了数学形式上的对应性.