GaAs—GaAlAs量子阱中光极化子

本文计及子带跃迁和双声子过程,计算了限制在量子阱中光极化子能级,给出了自陷能和重正化质量数值计算结果,它是阱宽的函数.发现自陷能和有效质量在二维结果和三维结果之间,子带跃迁和双声子过程对自陷能的贡献不是很重要的.     

对称量子阱中电子─界面声子相互作用对极化子性质的影响

采用Ｈａｇａ方法，对量子阱中极化子的有效质量和自陷能进行了研究。考虑到量子阱中电子波函数的束缚和界面声子的影响，计算了不同支声子与电子相互作用对自陷能的贡献，讨论了极化子的有效质量和自陷能随量子阱宽度的变化关系，进一步说明了量子阱的尺度和界面声子的重要性。     

对称量子阱中电子—界面声子相互作用对极化子性质的…

采用Ｈａｇａ方法，对量子阱中极化子的有效质量和自陷能进行了研究。考虑到量子阱中电子波函数的束缚和界面声子的影响，计算了不同支声子与电子相互作用对自陷能的贡献，讨论了极化子的有效质量和自陷能随量子阱宽度的变化关系，进一步说明了量子阱的尺度和界面声子的重要性。     

量子阱中极化子基态自陷能的耦合求解方法

用一种新的变分方法研究准二维量子阱中极化子系统的自陷能等问题．只有纵光学声子和表面声子的对称模对极化子的基态能量有贡献．作为例子,对ＧｓＡｓ／ＡｌＡｓ量子阱中极化子的基态波函数和自陷能进行了数值分析．与先前的结果相比,当有效耦合常数稍大时极化子具有更低的自陷能．     

量子点量子阱结构中极化子效应对斯塔克能移的影响(英文)

采用变分法研究了量子点量子阱结构中极化子效应对斯塔克能移的影响.计算中考虑了电子与体纵光学声子和表面光学声子的相互作用.以CdS/HgS量子点量子阱结构为例进行数值计算,发现极化子基态能量随量子点半径的增加而单调增加,随电场强度的增加而单调减少.电子-声子相互作用增强了斯塔克能移.极化子自陷能随量子点半径及电场强度的增加而增加.量子点量子阱结构的尺寸对极化子斯塔克能移有显著影响.     

影响独立量子阱中声学极化子自陷转变的因素

利用Huybrechts变分法计算了独立量子阱中声学极化子基态能量及其数值导数随电子-声学声子耦合常数的变化关系,探讨了影响独立量子阱中声学极化子自陷的因素。得到了声学极化子自陷的判别标准随阱宽的增大而增大和CP值越小越有利于极化子发生自陷转变的结论。     

抛物量子阱的有效量子限制长度及其极化子特性

采用新的等效长度方法确定了抛物量子阱的有效量子限制长度,并与其他方法的结果进行了比较分析.在此基础上,采用分数维方法计算了抛物量子阱中的极化子特性.     

极性晶体中三维和二维声学极化子自陷的有效质量特征

运用Huybrechts方法研究了三维和二维声学极化子有效质量作为电子-声子耦合参量的函数的变化特征.对二维声学极化子的研究,采用了我们最近导出的电子-声学声子相互作用哈密顿量.结果表明:电子-声子耦合达到一定强度时声学极化子有效质量发生突变而使极化子自陷,声学极化子在二维系统中比三维条件下更容易自陷.     

抛物线型量子阱中的强耦生磁极化子

本文用Pekar型变分法研究了抛物线型量子阱中的强耦合磁极化子,给出了垂直于磁场方向的极化子的有效质量的新的定义,并作为在磁场不存在时有效质量的自然推广,平行和垂直于磁场方向的有效质量和基态能量被写作磁场强度和三维量子阱维数的函数。     

量子阱中极化子结合能和有效质量

用微扰理论研究量子阱中准二维极化子特性，导出了极化子有效质量和结合能随阱宽（Ｌ）的函数关系，以量子阱ＧａＡｓ／ＡｌＡｓ为例作了数值计算，并与其他作者的结果作了对比和讨论。     

二维极化子有效质量与温度的关系

本文计及晶格的原子结构讨论了极化晶体中二维极化子的性质。用二次量子化方法处理晶格振动及其与电子的相互作用,导出了二维极化子的自陷能和有效质量,给出了二维极化子有效质量与温度的关系。     

量子阱内磁极化子自陷能的温度关系

采用推广的Larsen微扰理论,在有限温度情况下,对量子阱内的电子体LO声子耦合系统进行研究,得到了磁极化子自陷能的解析表达式,并以GaAs量子阱为例,进行数值计算.结果表明,磁极化子自陷能随阱宽的增大而增大;随温度的变化受磁场的影响特别显著,“低磁场”时,磁极化子自陷能随温度升高而变大;“高磁场”时,却随温度的升高而变小     

抛物线型量子线中束缚极化子基态能变分计算

费曼路径积分的变分方法是计算束缚极化子基态能的最有效方法。文章给出了抛物线型量子线中束缚极化子的哈密顿量 ,运用费曼路径积分的变分方法统一推导出抛物线型量子线约束势中杂质库仑束缚势下极化子的基态能 ,讨论了量子阱的一些特殊情况 :有、无杂质库仑束缚势的量子点和有、无杂质库仑束缚势的量子阱束缚势的量子阱 ,以及自由极化子     

纤锌矿GaN/Alx Ga1-xN量子阱中界面声子模对极化子能量的影响

采用Lee-Low-Pines变分法研究了纤锌矿GaN/AlxGa1-xN量子阱中极化子能量和电子-声子相互作用对极化子能量的影响.理论计算中考虑了定域体声子模和界面声子模的作用,同时考虑了它们的各向异性.给出极化子基态能量、第1激发态能量、跃迁能量(第1激发态到基态),以及电子-声子相互作用对能量的贡献随量子阱宽度和深度(组分)变化的数值结果.为了定性分析和对比还给出了闪锌矿量子阱中的相对应结果.计算结果表明:阱宽较小时界面声子对极化子能量的贡献大于定域声子,阱宽较大时界面声子的贡献小于定域声子.纤锌矿结构中声子对能量的贡献大于闪锌矿结构中的相应值.GaN/AlxGa1-xN量子阱中声子对能量的贡献比GaAs/AlxGa1-xAs量子阱中的相应值大得多,当阱宽为20nm时,电子-声子相互作用能分别约等于-35,-2.5 meV.     

纤锌矿GaN/AlN量子阱中束缚极化子能量

采用改进的Lee-Low-Pines(LLP)变分方法,处理纤锌矿GaN/AlN量子阱材料中电子与受限长波光学声子的相互作用,给出束缚极化子基态能量和结合能随量子阱宽度L的变化关系.在数值计算中考虑了纤锌矿GaN和AlN构成的方量子阱材料中长波光学声子模的各向异性.结果表明,束缚极化子基态能量和结合能随阱宽L的增大而减小,阱宽较小时减小的速度比较快,阱宽较大时减小的速度比较慢,最后缓慢地接近GaN体材料中的三维值.纤锌矿GaN/AlN量子阱材料中电子-声子相互作用对束缚极化子能量的贡献比较大,该值远大于闪锌矿GaAs/AlAs量子阱材料中的相应值.作为对比,给出闪锌矿GaN/AlN量子阱材料中束缚极化子基态能量和结合能随阱宽的变化关系.     

阶梯量子阱中极化子效应的增强

电离杂质在低温半导体的输运过程中起了一个重要的角色 .因此最近几年对极性半导体 (例如异质结、量子点、量子线和量子阱 )内的极化子效应讨论很多 .一些通常的量子阱往往由极性化合物组成 ,我们需要对其中的电子和光学声子之间的相互作用进行详细研究 ,因为极化子效应能强烈影响异质结构的光学和输运特征 .因而在这样的结构中 ,电子态是通过势阱来描述的 .在低维量子系统 ,由于电子的束缚产生的基态杂质束缚能比体材料相比要大得多 .这个如 Greene和 Bajij[1] 所说的那样 ,量子阱中浅施主杂质的详细研究对杂质能级的性质以及量子阱本身性…     

纤锌矿GaN/AlN量子阱中的极化子

采用Lee-Low-Pines(LLP)变分法,讨论了纤锌矿(闪锌矿)GaN/AlN无限深量子阱材料中电子-定域长波光学声子相互作用,给出纤锌矿量子阱中自由极化子的基态能量、第一激发态能量和跃迁能量随阱宽的变化关系.数值计算中考虑了纤锌矿材料的各向异性,结果表明,极化子能量随阱宽的增大而减小,当阱宽较宽时,趋近于体材料的三维值.纤锌矿(闪锌矿)GaN/AlN量子阱材料中,电子-定域长波光学声子相互作用对极化子能量的贡献比闪锌矿GaAs/AlAs量子阱材料中的相应值大得多.因此,讨论GaN/AlN量子阱材料中电子态问题时应考虑电子-定域声子相互作用.     

量子阱中极化子性质的温度关系

利用格林函数理论研究了量子阱中极化子性质对温度的依赖关系,并首次引入准二维格林函数．在理论上,考虑到所有激发态对极化子基态的影响,并以ＧａＡｓ／Ｇａ０．７５Ａｌ０．２５Ａｓ量子阱为例进行了数值计算．结果表明,在０～１００Ｋ范围内,电子的自能随温度的升高而减小,有效质量随温度的升高而增大．     

量子点量子阱结构中激子的极化效应(英文)

考虑激子与体纵光学声子的相互作用,采用变分法研究了量子点量子阱结构中澈子的极化效应.以CdS/HgS量子点量子阱结构为例进行数值计算,得到了激子的基态能量和束缚能.研究结果表明,声子对澈子束缚能的贡献随着阱宽的增加而增加,极化子效应不能忽略.激子的基态能量和束缚能明显依赖于量子点量子阱结构的核半径和壳层厚度,量子点量子阱结构的尺寸对激子-声子相互作用有重要的影响.     

量了阱内磁极化子自陷能的温度关系

采用推广的Ｌａｒｓｅｎ微扰理论，在有限温度情况下，对量子阱内的电子－体Ｏ声子耦合系统进行研究，得到了磁极化子自陷能的解析表达式，并以ＧａＡｓ量子阱为例，进行数值计算，结果表明，磁极化子自陷能随阱宽的增大而增大；随的变化受磁场的影响特别显著，“低磁场”时，磁极化子自陷能随温度升高而变大；“高磁场”时，却随温度的升高而小。