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相似文献
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1.
以作建立的原子-晶格相互作用模型对金属铜和铁的表面原子能态进行分析,计算表面原子键焓,进而得到晶体表面焓的经验公式。应用于表面张力,摩尔熔化热及固-液表面焓的计算,其结果与实验值接近。  相似文献   

2.
基于计算合金形成焓的改进Miedema模型和考虑纳米颗粒表面效应,研究了钛基二元纳米合金形成焓的尺寸和成分效应.计算结果表明钛基二元合金纳米颗粒的形成焓依赖颗粒尺寸,显示了明显的尺寸效应.纳米颗粒的形成焓随粒径的减小而增大,当粒径减小到某一临界尺寸时,纳米合金的形成焓由负值转变为正值,从而降低了纳米颗粒的热稳定性.当颗粒粒径小于10 nm时,纳米颗粒发生成分聚集,这种成分聚集发生的趋势取决于纳米合金的表面形成焓.  相似文献   

3.
精馏、吸收严格计算中焓的计算方法   总被引:1,自引:0,他引:1  
总结了适合于精馏、吸收严格计算的焓的计算方法,并对各种条件下的精馏、吸收计算,推荐了焓的计算方法。  相似文献   

4.
在300.2-308.2K温度区间内,用表面张力仪测定了正丁醇稀水溶液的表面张力随其浓度的变化.应用热力学方程计算体系的表面过剩熵,表面过剩焓,及Gibbs吸附量和正丁醇分子的平均截面积.同时讨论了正丁醇与表面活性剂(十六烷基三甲基溴化铵,CTAB)相互作用的热力学原理,并希望能为助表面活性剂的选择、使用提供理论依据.  相似文献   

5.
通过分光光度法得出烷基多胺醚在碧玉和磁铁矿表面的吸附等温线。研究结果表明:当温度升高时,碧玉和磁铁矿对烷基多胺醚的吸附量下降;在同等温度下,烷基多胺醚在碧玉表面比在磁铁矿表面的吸附量大。进一步计算出碧玉吸附烷基多胺醚的吸附焓为ΔH=-11.04 kJ/mol,介于物理吸附焓和化学吸附焓之间;磁铁矿吸附烷基多胺醚的吸附焓ΔH=-6.76 kJ/mol,为物理吸附;碧玉的吸附焓较大,说明烷基多胺醚对碧玉有更强的捕收作用。烷基多胺醚阳离子的键合原子静电荷比十二胺阳离子更多,更易于与矿物表面发生键合作用;烷基多胺醚阳离子的最高占据轨道与最低空轨道能量差(Δε)比十二胺阳离子的小,其反应活性更高,捕收能力更强。  相似文献   

6.
用差示测温技术测定了Fe(CN)3-6/Fe(CN)4-6体系及Ag/AgNO3体系阳极过程的热效应,实验中采用热敏电阻测定电极表面的温度变化,利用电流、电极电位、温差和极化时间等数据,运用热电化学基本方程得出电极反应的焓变值.实验结果表明,由热电化学方法决定的焓变与由相对应的离子的热力学数据计算得来的焓变的差值为一恒定值,进一步得出298.15K下标准氢电极反应的绝对熵值为88.4J·K-1·mol-1.  相似文献   

7.
Mg—Zn合金的热力学性质计算   总被引:1,自引:0,他引:1  
组元活度的获得是合金热力学性质研究的一个重要方面.在各种预测合金热力学性质的模型中,Miedema模型是近年来发展得较为完善和准确的模型.文中根据Miedema合金生成焓模型,计算了Mg—Zn合金的生成焓,进而计算出了1000K时Mg—zn合金熔体中zn的活度曲线.计算结果表明,由于Mg—zn合金的生成焓值较小,在计算活度的过程中,过剩熵值对计算结果的影响较大,在引入过剩熵值后的活度计算值与实验值吻合较好.  相似文献   

8.
苯甲酸及其衍生物的标准生成焓与取代基的初级效应,次级效应和障碍点有关,本文建立了计算苯甲酸甲基衍生物的新模型,计算值与实验值相吻合,然后用该模型估算了氯代二苯并呋喃及其衍生物的气相标准生成焓。  相似文献   

9.
稀土高氯酸盐甘氨酸咪唑三元配合物的热分析   总被引:1,自引:0,他引:1  
采用TG-DTG,DSC,寸9种稀土高氯酸盐甘氨酸咪唑三元配合物的热分解过程进行了研究。比较了配合物的热稳定性;利用Kissinger公式计算了配合物的表观分解活化能;从DSC分析得到了配合物的脱水焓及分解焓,发现稀土配合物的表观分解活化能、配合物的脱水焓及分解焓呈现一定的规律性。  相似文献   

10.
热力循环经济性能指标的在线监测由于受到某些不可测参数的限制而不易实现,尤其是凝汽器真空变化所引起的指标变化很难实现在线监测。等效焓降法用在热力系统计算时的最大特点是,在进汽参数不变的情况下,当系统某一部分发生变化对系统产生的影响大小不需要对整个系统进行重新计算,而只需要用等效焓降法计算变化的大小,从而可得到变化后系统的情况。该文利用等效焓降法的特殊性,计算凝汽器真空变化引起的指标变化,并通过其它可测参数,推算出不可测参数,从而实现热经济性指标的在线监测。  相似文献   

11.
利用morse相互作用势,计算了原子作非简谐振动情况下晶体铜的热力学函数和表面能、表面张力;讨论了它的表面能、表面张力随温度变化的规律和非简谐振动对它们的影响.理论计算与经验公式的形式一致,与实验数值相近.  相似文献   

12.
利用基于嵌入原子型原子间相互作用势(EAM)的分子动力学理论,计算了金属Fe位于两个晶带上([001]晶带和[-110]晶带)一系列高密勒指数面的表面能.基于表面结构单元模型的经验公式,提出了一个更普遍的经验公式,可以根据几个低密勒指数面的表面能计算出高密勒指数面的表面能和表面结构特征.计算结果表明:最密排面的表面能最低,最密排面(110)面和次密排面的(100)、(112)面的表面能分别是表面能值随晶向角度θ变化曲线上的极小值.分子动力学理论模拟结果、公式计算结果和其他理论结果三者符合得较好.  相似文献   

13.
介绍了一种新的EAM理论,它表述简单,而且已经成功地用于金属的氢脆、点缺陷(杂质和空位)、表面重构、合金的表面偏析和相稳定的特性的研究。模型参数通过拟合结合能、弹性常数、空位形成能等实验值来确定,并给出了晶体表面能和表面应力的计算表达式。  相似文献   

14.
在Brooks模型的基础上,改进了表面能的计算方法,并对bcc,fcc和hcp金属的空位形成能进行了计算,发现计算结果与实验测试平均值间存在线性关系,引入能量修正因子修正后可使两者基本一致,由此发展的半经验方法可对金属空位形成能进行有效预测。  相似文献   

15.
通过计算机编程建立水吸附Al和Cu的模型,利用实空间的Recussion方法分别计算了Al和Cu被H2O吸附前后系统的状态密度和能量变化,及表面金属原子与其近邻原子间的键级积分,并将两个计算结果进行比较.从结果中分析,金属原子的电子转移到H2O分子的O原子上.水吸附金属表面后,状态密度有所下降,次表面原子几乎不受影响,系统总能降低,系统变稳定.H2O使金属表面化学活性降低,并从键级积分计算结果中讨论了Al和Cu钝化膜的形成机理:水通过氧与金属表面原子成键后,表面金属原子与次表面原子作用增强,水中氧和氢原子相互作用改变的不同导致形成不同的钝化膜.  相似文献   

16.
研究采用密度泛函理论中的B3LYP方法,在6-311G(d,p)基组水平下,优化反应物、产物、中间异构体和过渡态分子,得到可靠的几何构型和频率.通过内禀反应坐标计算,确认了四条反应通道,并且以通道中中间体、过渡态相对能量为基础,讨论了各反应通道的优先顺序.在反应中,H和NCO的初始连接有两种方式,H分别进攻NCO两端的N和O,进行无势垒加合,得到两个低能中间体HNCO和HOCN.HNCO中∠NCO从172.9°减小到69.0°,生成一个相对能量较高但N—C键较长的中间体,该中间体发生N—C键断裂生成主要产物P1(CO+NH).从HNCO和HOCN出发均可生成次要产物P2(CN+OH),而从HNCO出发还有另一条生成产物P3(CH+NO)的路径,反应沿该路径进行的可能性较小.  相似文献   

17.
应用Fukuda锚泊能描述液晶与界面的相互作用,即将Fukuda公式转变为序参数的表示式,它与RP(Rapini-Papoular)公式的序参数表示式比较多了四阶耦合能项;然后,讨论四阶耦合能的存在对液晶的相变及界面润湿的影响. 结果表明:四阶耦合能是负能量,它能降低界面液晶的相变温度,但没有改变其他参量对相变的影响;在界面润湿方面,四阶耦合能使界面的paranematic润湿的相图发生变化.  相似文献   

18.
设想单色e光波的相位和能量在一起同步调的传播,指明单轴晶体内e光射线面是等相面,用惠更斯作图法研究e光时应该用射线面.  相似文献   

19.
We present a theoretical calculation of the atomic and electronic structure of β-SiC and its non-polar (110) surface using the full potential linear augmented plane wave (FPLAPW) approach. The calculated lattice constant and bulk modulus of β-SiC crystal are in excellent agreement with experimental data. The atomic and electronic structure of β-SiC(110) surface has been calculated by employing the slab and supercell model. It is found that the surface is characterized by a top-layer bond-length-contracting rotation relaxation in which the Si-surface atom moves closer towards the substrate while the C-surface atom moves outward. This relaxation is analogous to that of Ⅲ-Ⅴ semi-conductor surface. The driving mechanism for this atomic rearrangement is that the Si atom tends to a planar sp2-like bonding situation with its three N neighbors and the N atom tends to a p3-like bonding with its three Si neighbors. Furthermore, surface relaxation induces the change from metallic to semiconducting characterization.  相似文献   

20.
超微粒的表面能随粒径和温度变化规律探讨   总被引:1,自引:1,他引:1  
考虑了超微粒的线度效应和原子振动的非简谐效应,从微观角度导出了超微粒的表面能随粒径和温度变化规律的具体表示式.当应用于Ag超微粒时,理论结果与通过熔化温度的测量采用热力学方法所得的结果一致  相似文献   

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