三势垒共振隧道结构中电子的几率分布和势垒贯穿系数

建立了三势垒共振隧道结构的物理模型,应用量子力学和固体理论,求出了电子的波函数和几率分布,以具有势阱材料In0.53Ga0.47As和势垒材料In0.52Al0.48As的纳米系统为例,探讨了电场对三势垒共振隧道结构电子几率分布和势垒贯穿系数的影响.结果表明:当能量较小时,电子的几率主要分布在第1势阱中,而当能量较大时,则主要分布在第2势阱,在势垒中电子几率很小;电子随能量的几率分布有波动性,在共振能附近的几率极大,共振能随着电场强度的增大而减小;电场的存在会使电子的最可几位置向入口势垒方向移动,而使电子贯穿势垒系数减小;电子势垒贯穿系数随能量增大而增大,当能量较小时,其数值及其随能量的变化都较小,当能量较大时情况则相反.     

关于1维无限深势阱问题的两点注记

分析了1维无限深势阱问题传统解法的缺陷，讨论了用平移坐标法求解1维无限深势阱问题，讨论了势阱宽度对能量以及波函数的影响问题。简化了本征函数的求解过程，给出了“阱宽越小，能级间间距越大，能量值越大；阱宽越小，波函数的空间分布上的起伏就越明显”的结论。     

一维对称双势阱的精确求解

讨论了一维对称简谐势的薛定鄂方程的通解，通解可用抛物线柱函数Dα(t)来表示，且可由Kummer函数表达，Hermite多项式表示的一维简谐势的解仅是该通解的一特殊形式。此通解用于一维对称双势阱模型的讨论，此模型由两相同的简谐势连接而成，得出了此模型的精确解。作为一例，本文给出了一具体模型的精确数值结果。     

Paul势阱中两带电粒子的暂态混沌

从耦合ＭａｔｈｉｅｕＣｏｕｌｏｍｂ方程出发,用数值方法研究了Ｐａｕｌ势阱中两个带电粒子的暂态行为,发现平均暂态寿命随势阱电压的增加而指数增加,或随阻尼系数的增加而指数减小．在这个耗散系统中不存在永久混沌,暂态混沌是吸引子出现之前系统普遍存在的行为     

变分法研究半导体量子线中激子束缚能

本文运用变分法,推到了柱形量子线中的激子束缚能随量子线半径变化关系,同时计算了量子线中激子的波函数和变分参数。推导中分别采用了无限势阱模型和有限势阱模型进行计算。     

简谐势阱中理想费米气体的热力学性质

采用Thomas-Fermi半经典近似,研究了任意维简谐势阱中理想费米气体的热力学性质.解析推导出了化学势、费米能和比热的通用表达式,讨论了空间维度和势阱的影响.数值计算了二维和三维费米系统的特征热力学量,与经典极限较好地吻合.     

量子力学中的势阱问题解析

在量子力学中，有一些反映某一类微观现象共同特征的微观理想模型。例如势阱模型、谐振子模型等等。本文通过举例讨论了量子力学的基本原理运用于势阱而产生的各类势阱问题。并由此介绍了一种用微观模型的分类研究来学习量子力学的方法。     

一维实空间坐标下聚乙炔的电子结构性质研究

利用Kronig-Penny方势阱模型,通过求解实空间坐标下的薛定谔方程,对聚乙炔的电子结构性质进行了研究,给出了其在基态及各种激发态的能带结构、电子波函数、态密度等物理量,使得导电高分子聚合物的各种非线性元激发态的物理图像更明确、直观.     

HEMT中二维电子气的电子密度的研究

考虑到界面态影响，通过求解泊松方程，推导出了HEMT中二维电子气的电子密度表达式，对文献未考虑界面态影响的HEMT中二维电子气的电子密度表达式作了重要修正。     

多重量子阱表面本征态数值逼进分析

多重量子阱结构和光致发光的研究,对材料结构分析有着重要的意义.本文用数值逼进法研究了电场中量子势阱表面本征态效应,分析了极值的位置,定性地、定量地、解释了量子阱的光致发光     

氮化物抛物量子阱中电子-声子相互作用对极化子能量的影响

采用改进的LLP变分方法．研究氮化物抛物量子阱（GaN／Al0.3Ga0.7N）材料中的电子-声子相互作用．给出极化子基态能量、第一激发态到基态的跃迁能、不同支长波光学声子模对极化子基态能量的贡献随阱宽L的变化关系，在数值计算中考虑了氮化物（纤维锌矿）GaN和AlxGa1-xN构成的抛物量子阱材料中长波光学声子模的各向异性．结果表明，基态能量和跃迁能量随阱宽L的增大而减小。阱宽较小时．减小的速度比较快＋阱宽较大时．减小的速度比较慢．最后缓慢地接近GaN体材料中的三维值．在GaN／Al0.3Ga0.7N抛物量子阱中定域准LO声子对极化子能量的贡献比较大．阱宽较大（L=27nm）时约33meV，这一值比GaAs／Al0.2Ga0.7As抛物量子阱中的相应值（约3meV）大的多，并且定域准LO声子的贡献远远大于定域准TO声子的贡献．     

磁场对CaN/AlxCa1-xN抛物量子阱中电子态能量的影响

采用变分法,研究了外界磁场对抛物量子阱中基态能量的影响．并给出抛物量子阱CaN／AlxCa1-xN中的数值结果．研究结果表明,基态能量对磁场强度的变化很敏感,并随着外磁场的增加而增加;磁场对基态能量的贡献随着阱宽的增大而增大．     

阱宽对抛物量子阱的影响

本文采用变分法研究了阱宽对氮化物抛物量子阱的影响，结果表明，抛物量子阱阱宽对能量的影响是很明显的，基态能量和第一激发态能量随阱宽的增大而减少．     

氮化物无限抛物量子阱中极化子能量

采用LLP变分法研究氮化物抛物量子阱（GaN／Al0.3Ga0.7N）材料中自由极化子的能级,给出基态能量和基态到第一激发态跃迁能量随抛物量子阱宽度变化的函数关系．研究结果表明,自由极化子基态能量和跃迁能量随着阱宽的增大首先急剧减小,然后缓慢下降,最后接近GaN体材料中的三维值．这些结果在定性上与GaAs／ALGa1-x,As抛物量子阱中的值相似,但在定量上有所不同．GaN／Al0.3Ga0.7N抛物量子阱中电子一声子相互作用对极化子能量的贡献明显大于GaAs／Al0.3Ga0.7N抛物量子阱中的相应值,因此,讨论氮化物抛物量子阱中的电子态问题时应考虑电子一声子相互作用．     

双量子阱中的带电粒子

在有效质量近似下，计算了双抛物理量子阱中带电单粒子（电子和空穴）的本征态，并通过与单抛量子阱和双方量子阱的对比，分析了粒子各种性质与阱宽、垒宽的关系，并讨论了量子阱形状对本征态的影响。     

双抛量子阱中类氢杂质的结合能

以ＧａＡｓ／Ｇａ１－ｘＡｌｘＡｓ为例,在有效质量的近似下,讨论了双抛量了阱吕类氢杂质的结合能,结果表明：（１）双方量子阱中类氢杂质的结合能是双抛阱中杂质结合能的１．３倍;（２）无论杂质在阱中还是垒中,不仅垒宽和阱宽影响其结合能,而且Ａｌ的掺杂度ｘ也是影响结合能的一个重要因素。     

磁场作用下量子阱中极化子的性质

研究了磁场作用下量子阱中弱耦合极化子的性质,计算了磁极化子的有效质量并分别讨论了磁极化子基态能量与其他物理量之间的关系。结果表明:量子阱中弱耦合磁极化子的有效质量仅与耦合强度α有关,且随α增大而迅速增大。随着阱宽的减小基态能量迅速增加,说明量子尺寸效应较显著;基态能量随磁场回旋频率和极化子的速度的增加而增大。     

有限深抛物量子阱中的类氢杂质态

运用三参数变分法,研究了在垂直于生长方向的磁场作用下抛物量子阱中类氢杂质态的束缚能和1s→2p-态跃迁能.结果表明,束缚能和跃迁能随阱宽变化有一极大值;束缚能随磁场单调增加,而跃迁能随磁场的变化出现了极小值.     

电场对量子阱中激子的影响

利用变分方法计算了GaAs/Al_2Ga_(1-x)As量子阱中激子的束缚能,分析了电场、势阱宽度对激子束缚能的影响。采用明显不可分离的试探波函数,并考虑了电场对势阱中载流子几率分布的影响,计算了重空穴激子和轻空穴激子吸收峰位置随电场变化,结果与实验值符合得较好。     

有限宽势垒AlxGa1-xAs/GaAs三角势量子阱中施主结合能及其压力效应

对有限宽势垒Alx Ga1-xAs/GaAs量子阱系统,引入三角势近似势阱能带弯曲,利用变分法讨论施主杂质态结合能.给出结合能随阱宽、杂质位置和铝组分变化关系,并与方阱情形对比.结果显示:三角势近似下结合能明显小于方阱情形,且两者的差别随阱宽和铝组分(势垒高度)而增加,随势垒厚度增加而减少,但阱内杂质位置的变化对其影响不甚敏感.进而,考虑电子有效质量、材料介电常数及禁带宽度随流体静压力的变化,所得结果显示,结合能之差在压力作用下明显增大.