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1.
双抛量子阱中的类似"δ"势结构   总被引:1,自引:1,他引:0  
在双抛量子阱(Double Parabolic Quantum Well)中令势垒厚Lb=0,可得到类似"δ"势结构,在此基础上计算了"δ"势阱中的电子能级和类氢杂质的结合能,分析了"δ"垫垒的变化对能量和结合能的影响.  相似文献   
2.
以GaAs/Ga1-xAlxAs为例,在有效质量的近似下,讨论了双抛量了阱吕类氢杂质的结合能,结果表明:(1)双方量子阱中类氢杂质的结合能是双抛阱中杂质结合能的1.3倍;(2)无论杂质在阱中还是垒中,不仅垒宽和阱宽影响其结合能,而且Al的掺杂度x也是影响结合能的一个重要因素。  相似文献   
3.
在有效质量近似下,计算了非对称双抛物量子阱内电子的能量,讨论了双抛物阱的非对称性对电子本征能态和跃迁能等的影响。结果表明非对称在双抛物阱中的影响比在双方势阱中更为显著。  相似文献   
4.
双量子阱中的带电粒子   总被引:1,自引:1,他引:0  
在有效质量近似下,计算了双抛物理量子阱中带电单粒子(电子和空穴)的本征态,并通过与单抛量子阱和双方量子阱的对比,分析了粒子各种性质与阱宽、垒宽的关系,并讨论了量子阱形状对本征态的影响。  相似文献   
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