同步辐射装置辐射屏蔽计算的探讨

从第三代同步辐射装置的特点出发 ,提出局部屏蔽的重要性 ,并以光束线前端为例 ,用 M- C方法模拟了 1Ge V的电子在其中的剂量分布 .     

大型磁屏蔽室嵌套拼接结构整体磁导率的分析与研究

针对多层嵌套、屏蔽墙拼接结构的大型磁屏蔽室在设计建造中存在屏蔽系数计算不确定性的问题,基于磁屏蔽原理分析,提出了屏蔽系数计算不确定性的主要原因是整体导磁率数值参数不准确引起的。采用理论分析与实验的方法,从内层屏蔽墙所处微弱磁场的工作环境和屏蔽墙拼接非连续性而引起的气隙漏磁两方面考虑对整体磁导率数据的影响,分别建立相应样件模型来模拟磁屏蔽墙,构建带屏蔽桶的低干扰测试系统对其测试,得到连续和非连续模型在微弱磁场下的磁导率数据。实验数据表明:当考虑微弱磁场工作环境影响时,屏蔽墙整体磁导率数值比设计使用数值下降了1/2以上;综合考虑工作环境和气隙影响时,屏蔽墙磁导率数值比设计使用数值下降3/4以上。由此可知,在工程中采用相应磁场下屏蔽墙整体磁导率数据比采用理想建造材料的磁导率数据进行屏蔽系数设计更符合实际情况,更加准确,为工程实践和结构设计提供理论依据和实验数据,提高设计可靠性节约建造成本。     

基于电磁拓扑理论的多孔缝场线耦合分析

为了使电子系统在复杂电磁环境中可以正常工作,通常要对电子系统进行屏蔽处理。但是在屏蔽墙表面不可避免的要开一些小孔,用于通风或者散热等用途,因此出现了多孔屏蔽的问题。基于电磁拓扑理论,分析了位于多孔屏蔽墙后传输线终端对外界电磁波入射的响应。采用偶极子等效原理处理孔缝问题,利用基于Agrawal模型的扩展BLT(Baum-Liu-Tesche)方程给出屏蔽墙后传输线终端感应电流的计算公式。最后计算结果表明:开孔屏蔽层对外界电磁波有明显的屏蔽作用,且屏蔽层上的开孔位置和开孔数量会直接影响传输线的终端响应。     

中国高能同步辐射光源及其验证装置工程

同步辐射光源已成为众多学科前沿领域不可或缺的大科学装置.我国现有的同步辐射光源都是中、低能光源,然而与国家重大需求和工业核心创新能力相关的研究急需高性能的高能同步辐射光源支撑,因而建设一台高性能的高能同步辐射光源将为国家的重大需求提供重要支撑,并大大缩小我国与国际先进光源的差距.本文阐述了建设高能同步辐射光源的必要性及意义,分析了国内外同步辐射装置的发展现状,重点介绍了中国高能同步辐射光源的科学目标、初步方案和技术难点,并系统介绍了国家"十二五"重大科研基础设施发展规划中拟开展的高能同步辐射光源验证装置工程的建设目标和建设方案.     

矿井瞬变电磁法接收端单向屏蔽

矿井瞬变电磁法由于受到全空间效应的影响,无法实现井下的定向探测,目前尚无从根本上解决该问题的方法。对采集信号进行单向屏蔽有望从根本上突破矿井瞬变电磁法定向探测的难题。本文通过理论计算、仿真模拟对不同材料和不同结构单向屏蔽装置的电磁场响应特征进行定量分析,确定单向屏蔽装置材料及结构设计参数,并通过物理实验验证屏蔽装置的单向电磁屏蔽效果。研究表明：通过仿真模拟得到锥形结构的坡莫合金屏蔽罩相对其他结构屏蔽装置有更好的单向屏蔽效果,能够在有效压制非探测方向干扰信号的同时,突出探测方向的有效信号;在锥形屏蔽罩高度不变的情况下,锥形屏蔽罩顶角越大,单向屏蔽效果越好。此外,仿真模拟得到的屏蔽方案经物理实验证实具有明显的单向屏蔽效果。     

SSRF前端光子挡光器的结构设计和热应力分析

光子挡光器是同步辐射光束线前端区的重要部件,其主要作用是阻挡高强度同步辐射.利用有限元分析软件ANSYS,对上海同步辐射装置(SSRF)前端光子挡光器,进行了精细的温度和热应力分析.分析结果表明,新设计的光子挡光器热应力水平有了显著的降低,提高了光子挡光器承受热负载的能力,满足SSRF前端部件的设计要求.     

基于杠杆的位移放大型黏滞阻尼墙试验研究

为了解决传统黏滞阻尼墙需要较大墙面积来提供足够阻尼力的问题,设计了一种基于杠杆的位移放大型黏滞阻尼墙.对传统黏滞阻尼墙和位移放大型黏滞阻尼墙的对比试件进行了滞回试验,检验了位移放大型黏滞阻尼墙的放大效果.将传统黏滞阻尼墙阻尼力公式中引入位移放大倍数,得到了位移放大型黏滞阻尼墙阻尼力公式,计算结果与试验结果吻合较好.对位移放大装置间隙导致的滞回曲线滑移现象进行了模拟,通过理论推导研究了间隙比对耗能降低率的影响程度.     

基于杠杆的位移放大型黏滞阻尼墙试验

为了解决传统黏滞阻尼墙需要较大墙面积来提供足够阻尼力的问题,设计了一种基于杠杆的位移放大型黏滞阻尼墙.对传统黏滞阻尼墙和位移放大型黏滞阻尼墙的对比试件进行了滞回试验,检验了位移放大型黏滞阻尼墙的放大效果.将传统黏滞阻尼墙阻尼力公式中引入位移放大倍数,得到了位移放大型黏滞阻尼墙阻尼力公式,计算结果与试验结果吻合较好.对位移放大装置间隙导致的滞回曲线滑移现象进行了模拟,通过理论推导研究了间隙比对耗能降低率的影响程度.     

大科学装置科学研究联合基金设立

近日,国家自然科学基金委员会和中国科学院签署了设立大科学装置科学研究联合基金协议书。该基金项目将依托北京谱仪和北京同步辐射装置、兰州重离子加速器与冷却储存装置、上海光源装置、合肥同步辐射装置．鼓励我国科学家在前沿科学领域、多学科交叉研究领域进行创新性研究。     

14 MeV中子照相中CCD芯片的屏蔽计算

快中子照相实验中,电荷耦合装置(CCD)是重要的成像器件。快中子辐射不仅会减少CCD的使用寿命,而且会对快中子图像带来影响,因此必须对CCD芯片进行有效的屏蔽,减少快中子辐射对芯片的损伤。该文利用MCNP/4B程序计算了14MeV中子照相中不同屏蔽材料组合条件下CCD芯片的吸收剂量。计算结果表明,在对CCD进行有效的屏蔽后,芯片的吸收剂量是屏蔽前的3%,按源中子数归一后仅为1.29 aGy,已经达到屏蔽要求。计算结果还表明,环境散射中子辐射对芯片吸收剂量贡献较小,可以忽略。     

屏蔽方舱电源/信号孔口及转接壁盒

由于对方舱屏蔽性能要求越来越高,电源/信号孔口及转接壁盒的设计和安装成为屏蔽方舱设计和加工的关键环节.总结了电源/信号孔口及转接壁盒的功能作用和对方舱屏蔽性能的影响,阐述了电源/信号孔口及转接壁盒的设计原则,以及通过结构设计消除间隙增强电连续性以保证方舱屏蔽效能满足要求的方法.方舱屏蔽效能测试和系统电磁兼容试验结果表明,电源/信号孔口及转接壁盒的结构设计满足方舱和系统屏蔽性能要求.     

组合屏蔽层对电力变压器杂散损耗的影响

大容量单相电力变压器的箱体杂散损耗影响变压器效率和可靠性。通常采用箱体内壁敷设铁磁层的方法降低损耗,但铁磁叠片边界会使箱体局部磁场增强并产生局部过热。为此提出利用铁磁和非磁性导电层的不同组合屏蔽方法,并通过有限元仿真分析箱体和屏蔽层损耗,分析结果表明在优化屏蔽层厚度条件下纯导电层表面敷设一层铁磁材料,能有效降低总杂散损耗。     

技术成熟度评价在高压电气贯穿件中的应用

高压电气贯穿件是安装于热室屏蔽墙上,保证热室屏蔽墙体内外电气连续性、密封完整性和生物屏蔽功能,属于安全级设备。为实现高压电气贯穿件最优质量控制及“转阶段”的量化评价,充分释放技术风险,对高压电气贯穿件开展成熟度评价研究,首先阐明了技术成熟度在核领域的定义与内涵,揭示了技术成熟度与质量管理之间的内在关系,并基于此建立了高压电气贯穿件的项目分解结构,制定专用评价等级细则与全面评价流程,提出了一种基于改进层次分析(modified analytic hierarchy process, MAHP)-熵权(entropy weight, EW)综合评价法的成熟度计算方法。评价结果表明,高压电气贯穿件技术成熟度已达TRL8级,为其转向批量生产决策、降低项目供货风险和转变质量管理措施提供了有效依据与重要支撑,使得高压电气贯穿件在后续工程供货阶段进度及质量管控表现优异,获得了业主的一致好评,为工程的按期建设提供保障。同时,为各类核电产品开展技术成熟度评价与质量管理决策提供了思路和借鉴。     

抗电磁辐射织物的屏蔽效能

抗电磁辐射织物是一种新型复合型的屏蔽材料，不同于已往的各向同性屏蔽材料，很难用传统的电磁屏蔽理论进行精确计算，但其屏蔽效能可用实验的方法进行表征。屏蔽效果与辐射源、电磁波入射方向等有关。抗电磁辐射织物经纬向含抗电磁辐射纤维差异越大，其屏蔽效能随电磁波入射方向改变越大。     

任意形状腔体电磁屏蔽问题的研究

本文首先提出了一种足以满足工程需要的简化电磁屏蔽理论,导出了任意形状腔体电磁屏蔽问题的积分方程;然后以任意形状截面柱体为例,用矩量法求解积分方程,得到电磁屏蔽效果;最后用FORTRAN语言编写了通用程序,对工程上常用的几种形状截面柱体进行了计算。提出了无屏蔽频率和最佳屏蔽频率特性的概念。     

囊赛林庄园的军事防御特点

章对囊赛林庄园的防护墙、碉楼、望楼及城濠等防御设施进行分析，介绍了囊赛林庄园建筑军事防御的特色及形成原因。     

导电圆柱体屏蔽特性的分析

本文提出了一种足以满足工程需要的简化电磁屏蔽理论,应用分离变量法导出了导电圆柱体的电磁屏蔽效果表达式。利用FORTRAN语言编出了计算机程序,应用本程序获得了导电圆柱体的无屏蔽频率和最佳屏蔽频率等各种重要屏蔽特性的数据。     

快速算法用于带孔缝金属腔屏蔽系数计算的比较研究

本文比较了TLM、ILCM和M-MOM三种快速算法在斜入射波和多面开孔情况下计算金属腔屏蔽系数(SE)的适用性,发现M-MOM在各种情况下的计算结果最为准确,ILCM无法计算多面开缝情况,而TLM不适用于电大尺寸情况.本文还研究了电磁波的入射角和极化角、孔缝长边、腔体内观测点位置及相对面孔缝位置等参数对SE的影响.结果表明单面开缝时SE随方位角、极化角增大而增大,随仰角增大而减小,而相邻面开缝的SE则由方位角和腔体尺寸决定.当孔缝长度接近或大于半波长时,SE不再随长度的增大而减小.腔体内观测点位置不同,SE有不同的变化特性,因此仅用腔体中心点位置上的SE表示腔体的屏蔽效能是不够的.当屏蔽腔不可避免需要开缝时,应尽量选择开等效面积较小的孔缝.     

高能高分辨电子能量损失谱仪的地磁屏蔽装置

从矢量迭加的地磁屏蔽基本原理出发，建立了一套设计地磁屏蔽装置的计算机程序，计算并获得了最佳方案，研制成了满足高能高分辨电子能量损失谱仪要求的地磁屏蔽装置．