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相似文献
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1.
使用光纤作延迟器,利用高温熔融拉伸法微调延迟时间,完成了2×1.244Gb/s全光时分复用系统,满足了同步传输模式的要求。  相似文献   

2.
一种新型的由2×2光纤耦合器进行级联实现的8×2.5Gb/s光时分复用信号产生装置,信号源采用增益开关量子阱DFB激光器,产生脉冲宽度为44ps,周期为400ps的光脉冲信号.实验结果表明,采用这种方案制作的时分复用信号产生装置,可以产生便于非线性光环路镜进行时钟提取的8×25Gb/s时分复用信号,同时又可产生等幅的8×2.5Gb/s时分复用信号.  相似文献   

3.
高速光纤通信系统特性研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
分析了高速IM/DD光纤通信系统的传输特性,对光通道色散影响和光源相位噪声影响进行了分析,结果表明当光源相位噪声较大时,系统的误码率-平均接收光功率曲线将出现“饱和”现象。对高速光发射机、光接收机技术等进行了深入的研究,通过选择激光器最佳工作状态,设计并完成了2.5Gb/s光发射与光接收模块,并对2.5Gb/s光纤传输实验系统的测试结果进行了分析。实现了109km常规单模光纤的无中继传输,工作波长为1550nm,采用内强度调制/直接检测(IM/DD)方式,误码率为1-10时接收机灵敏度为-31.5dB(以1mW为零电平)。利用EDFA克服光纤的损耗后,无再生中继传输距离达到180km。  相似文献   

4.
用喷涂法和溶胶—凝胶工艺制备PT/SnO2(Sb)/SiO2薄膜   总被引:1,自引:0,他引:1  
用喷涂法在石英玻璃衬底上制备Rs为100-200Ω/cm^2的SnO2(Sb)透明导电薄膜,并且以SnO2(Sb)/SiO2为衬底和底电极,用Sol-Gel法制备PbTiO3(TP)。薄膜。TP膜为多晶,与SnO2(Sb)膜之间不存在界面反应。  相似文献   

5.
一种新的含硫化合物CH3CSNH2/NH4OH溶液被用来钝化GaAs(100)表面.应用X射线光电子谱(XPS)表征了该钝化液处理的GaAs(100)表面的成键特性和电子态.结果表明,经过处理的GaAs(100)表面,能有效地消除Ga和As的氧化物,并且S既与As成键也与Ga成键,形成了S与GaAs的新界面,这标志着CH3CSNH2/NH4OH溶液对GaAs(100)表面具有明显的钝化作用.钝化表面退火处理后,As的硫化物不稳定,进一步与GaAs衬底反应,生成稳定的GaS钝化层,此种钝化液可直接应用于半导体器件钝化工艺对GaAs表面处理  相似文献   

6.
采用一种新的赝势方法计算了第二类InAs(/GaSb超晶格能带边结构随着InAs和GaSb层厚变化的规律。计算结果显示,随着InAs和GaSb层厚的变化,超晶格中杂质将经历了不同的深一浅杂质转变过程。  相似文献   

7.
牛碱性成纤维细胞生长因子(bFGR)cDNA在E.coli中表达,高压均质破碎菌体后,上清液以Heparin-SepharoseCL-6B亲和层析、C18反相HPLC分高纯化得到一分子量为2.25×10 ̄4的蛋白质,其等电点为9.34,并能与抗牛bFGFMcAb反应;其氨基酸组成与bFGF文献值一致;活性分析结果表明此蛋白质不仅能促进BALB/c3T3细胞增值,ED_(50)=0.85ng/ml,而且能促进鸡胚尿囊膜微血管增生,所得蛋白为具有生物活性的重组碱性成纤维细胞生长因子。  相似文献   

8.
采用一种新的赝势方法计算了第二类InAs/GaSb超晶格能带边结构随着InAs和GaSb层厚变化的规律.计算结果显示,随着InAs和GaSb层厚的变化,超晶格中杂质将经历不同的深—浅杂质转变过程.同时,我们还得到超晶格发生半导体—半金属转变的区域  相似文献   

9.
用X光电子能谱(XPS)方法研究了界面特性和Ge/GaAs(100)异质结的能带偏离关系。实验表明,当在清洁的GaAs(100)表面生长Ge异质结时,其价带偏离(△Ev)与界面特性无关,而在Ar离子注入的GaAs(100)表面上生长的Ge异质结,其价带偏离与Ar^+离子的浓度分布有关。  相似文献   

10.
中层大气与全球变化   总被引:1,自引:0,他引:1  
中层大气与全球变化MiddleAtmosphereandGlobalChanges吕达仁(中科院大气物理研究所中层大气与全球环境探测实验室,北京100029)处于10~100公里高度的中层大气,其范围包括对流层上部和对流层顶、平流层、中间层以及低热层...  相似文献   

11.
采用扫描法制作了啁秋光纤光栅,所制作的光栅长度约为10cm,带宽约1nm,边模抑制比约为22.4dB,应用于10Gbit/s的光纤通信系统中补偿100kmG652光纤的色散取得了良好效果。  相似文献   

12.
采用扫描法制作了啁啾光纤光栅,所制作的光栅长度约10 cm ,带宽约1 nm ,边模抑制比约为22.4 dB,应用于10 Gbit/s的光纤通信系统中补偿100 km G652 光纤的色散取得了良好效果.  相似文献   

13.
碱性成纤维细胞生长因子在鼓膜刺激疗法中的应用   总被引:6,自引:0,他引:6  
目的:为观察碱性成纤维细胞生长因子(bFGF)在鼓膜刺激闻法中的作用。方法:对慢性单纯性中耳炎所致的残余鼓膜穿孔及外伤性鼓膜穿孔,行非手术鼓膜刺激疗法,修补鼓膜共32耳作临床分析总结,bFGF治疗组17耳(残余性中耳炎12耳,外伤性5耳);且15耳(残余性中耳炎10耳,外伤性5耳)。按常规鼓膜刺激疗法,鼓室内放入蘸有bFGF的明胶海绵进行治疗观察。结果:bFGF组成功率为100%(12耳),对照组  相似文献   

14.
高温气冷堆发展前景与我国的10兆瓦实验堆DevelopmentalProspectsforHighTemperatureGas—CooledReactorandChina’sHTR-10¥//钟大辛(清华大学核能技术设计研究院,教授北京100084)...  相似文献   

15.
本文研究了甲酯化的鱼油中二十碳五烯酸和二十二碳六烯酸组分的气相色谱分析方法。在载气N_2:10ml/min,柱温:194℃,10%DEGS/chromosorbWAWDMCS(80~100目)柱上,对二十碳五烯酸和二十二碳六烯酸组分进行了实验检查。二十碳五烯酸检出限为1×10 ̄(-8)g;二十二碳六烯酸为1×10 ̄(-7)g。灵敏度、重现性较好,此方法可用于定量。并用该方法测定了鱼油中二十碳五烯酸和二十二碳六烯酸组分的含量。  相似文献   

16.
利用真空下氩气保护液相重结晶的方法,对热蒸镀和磁迭射制得的InSb薄膜进行热处理,X射线衍和组织分析的结果表明:热处理前薄膜为InSb,In,Sb各相的混合物;重结晶后,基本为InSb单相,InSb晶粒呈规则状外形长大,热处理后室温下的电子迁移率大大提高,由原来的1.31×10^4cm^2/(V.s)提高到4.47×1064cm^2/(V.s)(热蒸镀)和2.15×10^3cm^2/(V.s)提高  相似文献   

17.
目的:研究人甲状腺瘤的发生分期bFGFs(basc Fabroblast Growth Factors)基因异常表达的关系。方法:采用Western-blot方法对人甲状腺及其肿瘤组织来源的bFGFs进行分析研究。结果:人正常甲状腺组织来源的bFGFs分子量为17KD和18KD,而人甲状腺肿瘤组织来源的bFGFs为14KD、17KD和18KD。结论:14KDbFGFs的出现提示人甲状腺肿瘤的发生和发展可能与bFGFs的基因异常表达有关。  相似文献   

18.
GaAs/GaAlAs单量子阱双区共腔激光器双稳特性与开关效应李长英张长信郭韵赵鹏涛(西北大学物理系激光教研室西安710069)单量子阱光双稳激光器(Singlequantumwellaserdevice)是一种兼有双稳、开关、存储整形与放大的多功能...  相似文献   

19.
用光电发射的方法研究了碱金属夹层对Ge和Ⅲ-Ⅴ族半导体异质结形成和能带偏移的影响.实验表明,价带偏移(ΔEv)与夹层厚度有关.0.5MLCs和1MLNa可使Ge/InP(100)及Ge/GaAs(100)的ΔEv的值分别增加0.20eV和0.18eV.碱金属与衬底相互作用而引起的界面偶极矩的改变是导致ΔEv改变的主要原因.  相似文献   

20.
平缓岸滩上规则波的破碎条件   总被引:2,自引:0,他引:2  
Nelson等指出,在平缓岸滩上波浪的破碎指标-相对波离(H/d)b-将较岸坡i〉1/100时为小,即(H/d)b可小于0.6。  相似文献   

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