第二类InAs/GaSb(001)半导体超晶格能带边结构的赝势计算 |
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引用本文: | 刘申之,龙飞,梅飞.第二类InAs/GaSb(001)半导体超晶格能带边结构的赝势计算[J].江西师范大学学报(自然科学版),1996(4). |
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作者姓名: | 刘申之 龙飞 梅飞 |
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作者单位: | 江西师范大学计算中心,江西师范大学物理系 |
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摘 要: | 采用一种新的赝势方法计算了第二类InAs/GaSb超晶格能带边结构随着InAs和GaSb层厚变化的规律.计算结果显示,随着InAs和GaSb层厚的变化,超晶格中杂质将经历不同的深—浅杂质转变过程.同时,我们还得到超晶格发生半导体—半金属转变的区域
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关 键 词: | 超晶格,能带边结构,赝势计算 |
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