温度对ⅠD畴壁内VBL解体临界面内场的影响

实验研究了温度和面内场共同作用下,液相外延石榴石磁泡膜中第Ⅰ类哑铃畴(ⅠD)畴壁内垂直布洛赫线(VBL)的稳定性.发现,从室温到T0范围内的任一不同温度下,ⅠD畴壁中VBL的解体都存在一临界面内场范围[H(1)ip(T),H(2)ip(T)],当Hip＜H(1)ip(T)时,ID畴壁中VBL数目不变;当H(1)ip(T)＜Hip＜H(2)ip(T)时,ID畴壁中VBL逐渐丢失,且随面内场Hip的增大,VBL丢失得越来越多;当Hip＞H(2)ip(T)时,VBL完全丢失.面内场范围[H(1)ip(T),H(2)ip(T)]随温度的升高而减小,其中H(1)ip(T),H(2)ip(T)也分别随温度的升高而变小,并分别在T(1)0和T0处减小为0.     

温度对IID畴壁中VBL解体临界面内场的影响

实验研究了温度和面内场对液相外延石榴石磁泡薄膜内,第II类哑铃畴(IID)畴壁内垂直布洛赫线(VBL)链稳定性的影响.研究发现,在室温到T0′的任一温度下,IID畴壁中VBL的消失都存在一个临界面内场范围[H(1)ip(T)相似文献   

温度对ⅡD畴壁中VBL解体临界面内场的影响

实验研究了温度和面内场对液相外延石榴石磁泡薄膜内,第Ⅱ类哑铃畴(ⅡD)畴壁内垂直布洛赫线(VBL)链稳定性的影响.研究发现,在室温到T0′的任一温度下,ⅡD畴壁中VBL的消失都存在一个临界面内场范围[H(1)ip(T),H(2)ip(T)].当Hip≤H(1)ip(T)时,ⅡD畴壁中VBL稳定存在;当H(1)ip(T)＜Hip＜H(2)ip(T)时,ⅡDD畴壁中VBL变得不稳定;随着Hip的增大VBL丢失得越来越多,当Hip≥H(2)ip(T)时,ⅡD畴壁中VBL完全丢失.并且随着温度的升高,临界面内场值H(1)ip(T)和H(2)ip(T)逐渐减小.     

面内场对枝状畴形成的IID畴壁中VBL链的影响

实验研究了面内场作用下枝状畴形成的第2类哑铃畴(IID)畴壁中垂直布洛赫线(VBL)链的解体过程.发现存在一个与材料参量有关的临界面内场范围[H(0)ip对应IID畴壁中垂直布洛赫ip,H(1)ip],其中H(0)线链保持稳定的最大临界面内场,H(1)ip对应IID畴壁中垂直布洛赫线链完全解体的最小临界面内场.此外,实验发现不同低直流偏场下产生的枝状畴在面内场作用下的软化过程相同,且在这个临界面内场范围内畴壁中的VBL是逐步丢失的.同时实验结果也证明了枝状畴畴壁中VBL是随机分布的.     

转动面内场作用下普通硬磁泡畴壁中垂直布洛赫线的消失

通过实验研究了转动面内场作用下普通硬磁泡(OHB)畴壁中垂直布洛赫线(VBL)的消失规律.结果发现,转动面内场作用下OHB畴壁中VBL的消失存在一个临界面内场范围[H(0)ip,Hip′],比不转动面内场时的临界面内场明显变窄,主要是由Hip′的迅速下降引起的.证明了面内场作用下VBL的最易消失方向为面内场与畴壁垂直的方向.     

面内场对第Ⅰ类哑铃畴"切尾"后畴壁内 VBLs解体的影响

实验研究了直流偏场(Hb)和面内场(Hip)联合作用下,液相外延石榴石磁泡薄膜中第Ⅰ类哑铃畴(ID)畴壁中垂直布洛赫线(VBL)的解体.通过实验得到了3个重要的面内场H(1)ip,H*ip和H(2)ip.通过"切尾"实验可以证明面内场对垂直布洛赫线链(VBLs)的丢失有影响;而VBLs的丢失又影响到了ID的行为.     

面内场对3类硬磁畴畴壁中VBLs稳定性的影响

实验研究了直流偏场(Hb)下,面内场(Hip)对液相外延石榴石磁泡薄膜的硬磁畴壁中垂直布洛赫线(VBL)稳定性的影响.研究发现,室温时3类硬磁畴壁中VBLs的解体都存在一个临界面内场范围[Hip(1),Hip(2)],其中Hip(1)是硬磁畴壁中VBL开始丢失时面内场,Hip(2)是VBL完全丢失时的面内场Hip及Hip*为剩余率降至0时的Hip值.在相同的Hb下(Hip(1))IID＜(Hip(1))ID＜(Hip(1))OHB;(Hip(2))IID=(Hip(2))ID=(Hip(2))OHB.在不同的Hb下,临界面内场Hip(1)和Hip*以及范围[Hip(1),Hip*]都随着Hb的增加而减小或变窄.     

直流偏场和面内场联合作用下第Ⅰ类哑铃畴壁内VBLs的稳定性

研究了直流偏场和面内场联合作用下,液相外延石榴石磁泡膜中第Ⅰ类哑铃畴(ID)畴壁中垂直布洛赫线(VBL)的稳定性.发现,室温时在Hb和Hip的共同作用下,当Hb>H′sb时,ID的剩余率将在某一面内场Hip下迅速下降,即ID畴壁内VBL在某一Hip迅速丢失.随着Hb上升这种下降的趋势越容易发生,并变得更剧烈.通过观察证实,这种下降的趋势与ID的自收缩有关.由此可知,在Hip和Hb的共同作用下ID畴壁中的VBLs丢失的过程中,自收缩起着重要的作用.     

磁泡材料中硬磁畴与物性的关系

利用法拉第偏光显微镜观测了磁畴,通过显微照相技术拍摄了硬磁畴随温度变化的典型照片,这些照片揭示了硬磁畴的物理性质与温度之间的关系:VBL间的最小平衡间距随温度的升高逐步增大;较硬的普通硬磁泡(OHB)可以随着温度的升高转变为较软的第1类哑铃畴(ID),而较软的第1类哑铃畴(ID)又可以随着温度的升高转变为较软的第2类哑铃畴(IID);为3类硬磁畴畴壁结构的一致性提供了直接证据.此外,VBL的这些温度特性反映出BLM方案的不足.     

温度和面内场联合作用下软畴段的行为

实验研究了温度和面内场共同作用下软畴段的行为.实验发现:面内场对软畴段的条泡转变场H_(sb)和软泡缩灭场H_0有很大影响,而且H_(sb)和H_0的变化与晶向有关.比较不同温度下、不同晶向上的结果,得到了与磁泡参量相关的分界面内场(H_(ip))d,不同温度下的软畴段对应着不同的(H_(ip))_d,而且(H_(ip))d随着温度的升高而降低,在低温下,分界面内场(H_(ip))_d是饱和磁化强度4πM_s的2倍.     

Effects of the dispersed droplet sizes on the critical behavior of pseudobinary microemulsion

The critical behavior of pseudobinary microemulsion systems{water/sodium di(2-ethylhexyl)sulfo- succinate(AOT)/n-decane}with various droplet sizes was studied by measurements of refractive index. It was found that the critical exponentsβfor all systems approach 0.327 in a region sufficiently close to the critical temperature,which is consistent with 3D-Ising universality class.The critical temperatures linearly decrease as the dispersed droplet sizes increase.The critical amplitude almost linearly in- creases with increasing the dispersed droplet sizes.     

拟线性椭圆型方程Dirichlet问题无穷多个解的存在性

设Ω是ＲＮ中具有光滑边界的有界域，本文讨论泛函的欧拉方程在边界条件下多解的存在性。这里若Ｉ（ｕ）不是偶泛函，在给定的条件下，我们可以利用偶泛函的扰动理论证明Ｉ（ｕ）的欧拉方程Ｄｉｒｉｃｈｌｅｔ问题的无穷多个解的存在性。     

一类推广的不完全市场临界均衡的结构

给出具有名义资产的单个商品的不完全市场的均衡模型，给出临界均衡、临界经济的概念，并证明了临界均衡集合是均衡集合的闭的零测子集。     

二元溶液的临界态方程及应用研究

利用化学热力学的基本公式，根据二元溶液临界态的稳定条件，通过数学推导，得到了两个可以用来确定二元溶液临界温度及临界点组成的临界态方程。举例说明了如何应用该方程确定二元溶液临界温度和临界点的组成——二元溶液临界态。     

美国关键矿产战略的演化特征及启示

 收集美国历年发布关键矿产相关的研究报告、政策文本等资料，梳理了美国关键矿产战略的发展历程，总结了其演化特征：（1）战略意图从单纯面向供应安全到以保障安全供应为由满足政治和外交需求；（2）关键性评估方法从关键矿产的静态、定性评估到针对制造业的全产业链动态评估；（3）供应链政策导向从提出“去全球化”到突出“去中国化”；（4）关键性评估对象从关键矿产到与其相关的“卡脖子”技术。美国关键矿产战略呈现出上述演化特征，主要是受到了美国国家安全边界的扩张、“再工业化”资源需求的增长、冷战思维的回归和维护全面实力优势意图的确立等多方面因素的影响。结合中国关键矿产战略的制定和调整，提出了建立和完善中国关键矿产评估体系、推动国内产学研的关键技术协同研发、加强对外关键矿产供应链合作等建议。     

Ising模型集团大小对重正化结果影响的分析

以二维三角晶格为例选取包含9个晶格的晶胞为Kadanoff集团,通过重正化变换求出其临界点和临界指数并与三角晶格[1]、六角晶格[2]的结果作比较,比较的结果表明:选取更大的集团可以提高其计算精度。     

变截面大螺距圆锥形螺旋弹簧变形及临界压力的计算

推导了轴向力、弯矩、扭矩单独作用下相应位移的计算公式，并且给出了临界压力的近似计算公式。     

论邓小平批判性思维的内容及品格特征

邓小平同志继承马克思的批判精神,运用批判性思维批判了各种错误的思潮,批判了僵化、不合时宜的思想观念及制度和体制中的弊端,推动和促进了邓小平理论的形成和发展。邓小平同志批判性思维的内容充分地体现了其坚定的理想信念、高度的社会责任感、大无畏批判精神的品格特征。     

由定点与光滑紧致曲面所确定的距离函数的一个注记

在有关文献所提出的距离函数基础上，改进为定点到光滑紧致曲面关于坐标邻域的切空间集的离差函数，利用它可结合曲面点的分类讨论该函数的临界切点及退化情形，得到有关定理及推论，蕴涵了有关文献中相应的结论，并指出定点选择的几何意义。     

完全分裂图的临界理想

一个图G的k阶临界理想是由它的广义拉普拉斯矩阵的所有k阶子式生成的理想,可被看作是图G的邻接特征多项式和拉普拉斯特征多项式的推广。临界理想与图的许多指标密切相关。利用线性代数的方法,得到完全分裂图的临界理想的具体表达式,然后利用此表达式完全确定其临界群的结构。