面内场对枝状畴形成的IID畴壁中VBL链的影响

实验研究了面内场作用下枝状畴形成的第2类哑铃畴(IID)畴壁中垂直布洛赫线(VBL)链的解体过程.发现存在一个与材料参量有关的临界面内场范围[H(0)ip对应IID畴壁中垂直布洛赫ip,H(1)ip],其中H(0)线链保持稳定的最大临界面内场,H(1)ip对应IID畴壁中垂直布洛赫线链完全解体的最小临界面内场.此外,实验发现不同低直流偏场下产生的枝状畴在面内场作用下的软化过程相同,且在这个临界面内场范围内畴壁中的VBL是逐步丢失的.同时实验结果也证明了枝状畴畴壁中VBL是随机分布的.     

温度对ID畴壁内VBL解体临界面内场的影响

实验研究了温度和面内场共同作用下,液相外延石榴石磁泡膜中第I类哑铃畴(ID)畴壁内垂直布洛赫线(VBL)的稳定性.发现,从室温到T0范围内的任一不同温度下,ID畴壁中VBL的解体都存在一临界面内场范围[H(1)ipip(T)H(2)ip(T)时,VBL完全丢失.面内场范围[H(1)ip(T)也分别随温度的升高ip(T),H(2)ip(T)]随温度的升高而减小,其中H(1)ip(T),H(2)而变小,并分别在T(1)0和T0处减小为0.     

温度对ⅠD畴壁内VBL解体临界面内场的影响

实验研究了温度和面内场共同作用下,液相外延石榴石磁泡膜中第Ⅰ类哑铃畴(ⅠD)畴壁内垂直布洛赫线(VBL)的稳定性.发现,从室温到T0范围内的任一不同温度下,ⅠD畴壁中VBL的解体都存在一临界面内场范围[H(1)ip(T),H(2)ip(T)],当Hip＜H(1)ip(T)时,ID畴壁中VBL数目不变;当H(1)ip(T)＜Hip＜H(2)ip(T)时,ID畴壁中VBL逐渐丢失,且随面内场Hip的增大,VBL丢失得越来越多;当Hip＞H(2)ip(T)时,VBL完全丢失.面内场范围[H(1)ip(T),H(2)ip(T)]随温度的升高而减小,其中H(1)ip(T),H(2)ip(T)也分别随温度的升高而变小,并分别在T(1)0和T0处减小为0.     

温度对IID畴壁中VBL解体临界面内场的影响

实验研究了温度和面内场对液相外延石榴石磁泡薄膜内,第II类哑铃畴(IID)畴壁内垂直布洛赫线(VBL)链稳定性的影响.研究发现,在室温到T0′的任一温度下,IID畴壁中VBL的消失都存在一个临界面内场范围[H(1)ip(T)相似文献   

直流偏场和面内场联合作用下第Ⅰ类哑铃畴壁内VBLs的稳定性

研究了直流偏场和面内场联合作用下,液相外延石榴石磁泡膜中第Ⅰ类哑铃畴(ID)畴壁中垂直布洛赫线(VBL)的稳定性.发现,室温时在Hb和Hip的共同作用下,当Hb>H′sb时,ID的剩余率将在某一面内场Hip下迅速下降,即ID畴壁内VBL在某一Hip迅速丢失.随着Hb上升这种下降的趋势越容易发生,并变得更剧烈.通过观察证实,这种下降的趋势与ID的自收缩有关.由此可知,在Hip和Hb的共同作用下ID畴壁中的VBLs丢失的过程中,自收缩起着重要的作用.     

转动面内场作用下普通硬磁泡畴壁中垂直布洛赫线的消失

通过实验研究了转动面内场作用下普通硬磁泡(OHB)畴壁中垂直布洛赫线(VBL)的消失规律.结果发现,转动面内场作用下OHB畴壁中VBL的消失存在一个临界面内场范围[H(0)ip,Hip′],比不转动面内场时的临界面内场明显变窄,主要是由Hip′的迅速下降引起的.证明了面内场作用下VBL的最易消失方向为面内场与畴壁垂直的方向.     

温度对ⅡD畴壁中VBL解体临界面内场的影响

实验研究了温度和面内场对液相外延石榴石磁泡薄膜内,第Ⅱ类哑铃畴(ⅡD)畴壁内垂直布洛赫线(VBL)链稳定性的影响.研究发现,在室温到T0′的任一温度下,ⅡD畴壁中VBL的消失都存在一个临界面内场范围[H(1)ip(T),H(2)ip(T)].当Hip≤H(1)ip(T)时,ⅡD畴壁中VBL稳定存在;当H(1)ip(T)＜Hip＜H(2)ip(T)时,ⅡDD畴壁中VBL变得不稳定;随着Hip的增大VBL丢失得越来越多,当Hip≥H(2)ip(T)时,ⅡD畴壁中VBL完全丢失.并且随着温度的升高,临界面内场值H(1)ip(T)和H(2)ip(T)逐渐减小.     

面内场对3类硬磁畴畴壁中VBLs稳定性的影响

实验研究了直流偏场(Hb)下,面内场(Hip)对液相外延石榴石磁泡薄膜的硬磁畴壁中垂直布洛赫线(VBL)稳定性的影响.研究发现,室温时3类硬磁畴壁中VBLs的解体都存在一个临界面内场范围[Hip(1),Hip(2)],其中Hip(1)是硬磁畴壁中VBL开始丢失时面内场,Hip(2)是VBL完全丢失时的面内场Hip及Hip*为剩余率降至0时的Hip值.在相同的Hb下(Hip(1))IID＜(Hip(1))ID＜(Hip(1))OHB;(Hip(2))IID=(Hip(2))ID=(Hip(2))OHB.在不同的Hb下,临界面内场Hip(1)和Hip*以及范围[Hip(1),Hip*]都随着Hb的增加而减小或变窄.     

立方磁晶各向异性对面内场下硬磁畴的影响

实验研究了立方磁晶各向异性对面内场作用下非压缩状态的三类硬磁畴（普通硬磁泡（OHB）、第Ⅰ类哑铃畴（ID）和第Ⅱ类哑铃畴（IID））畴壁中垂直布洛赫线（VBL）的影响,发现对应于垂直布洛赫线消失的临界面内场的数值变化与磁畴消失场的数值变化规律相反,且该临界面内场的变化呈六重对称性。此外,发现立方磁晶各向异性对垂直布洛赫线消失的临界面内场的影响很小。     

温度和面内场联合作用下软畴段的行为

实验研究了温度和面内场共同作用下软畴段的行为.实验发现:面内场对软畴段的条泡转变场H_(sb)和软泡缩灭场H_0有很大影响,而且H_(sb)和H_0的变化与晶向有关.比较不同温度下、不同晶向上的结果,得到了与磁泡参量相关的分界面内场(H_(ip))d,不同温度下的软畴段对应着不同的(H_(ip))_d,而且(H_(ip))d随着温度的升高而降低,在低温下,分界面内场(H_(ip))_d是饱和磁化强度4πM_s的2倍.     

硬磁泡临界面内场的重新测定

实验找到了一种准确测量OHB临界软化面内场的方法,用这种经过改进的方法测量时,在面内场软化的起始值,OHB就会有较高的软化率,实验观察非常方便.同时,也证明了在临界面内场H(1)ip时开始丢失VBL的OHB对应的是那些含VBL较少的OHB.     

有限域上由两个广义对角多项式所确定的簇中的有理点

设Fq为有限域,f_l=a_(l1)x(~d~(l)_(11))_(11)…x~(d~((l))_(1_(k1)))_(1_(k1))+a_(l2)x~(d~((l))_(21))_(21)…x~(d~((l))_(2k_2)_(2k_2))+…+a_(ln)x~(d~((l))_(n1))_(n1)…x~(d~((l))_(nk_n)_(nk_n)+c_l(l=1,2)为F_q上的一组广义对角多项式,用N_q(V)表示由f_l(l=1,2)确定的族中的F_q有理点的个数.作者利用Adolphson和Sperber的牛顿多面体理论与指数和工具,证明了ord_qN_q(V)≥max{「∑~n_(i=1)1/d_i」-2,0,其中d_i=max{d~(1)_(ij),d~(2)_(ij)|1≤j≤k_i},1≤i≤n.     

金属铟的溶剂萃取热力学研究

在298.15K和离子强度为0.1～2.0moL·Kg~(-1)范围内,在较高浓度和浓酸度的萃取体系In_2(SO_4)_3—Na_2SO_4—D_2EHMTPA—n—C_8H_(18)—H_2O中,本文测定了萃取平衡。 In_(aq)~(3+)+3H_2A_(2(org))→In(HA_2)_(3(org))+3H_(aq)~+的In~(3+)的平衡浓度和水相pH值,其中Na_2SO_4为支持电解质。根据Pitzer电解质溶液理论,估算了平衡水相中的真实离子强度值,并用直线外推法和多项式拟合法确定了萃取过程的热力学平衡常数K~θ。     

Hilbert空间中Bessel列的广义扰动

运用算子理论方法,研究了Hilbert空间中Bessel列的广义扰动,对Hilbert空间H中的任一Bessel列f={fi}i∞=1,给出了序列g={gi}∞i=1={α1(1)f1,α1(2)f1,α2(2)f2,α1(3)f1,α2(3)f2,α3(3)f3,…},g={gi}∞i=1={α1(1)f1,α1(2)f2,α2(2)f2,α1(3)f3,α2(3)f3,α3(3)f3,…},g={gi}∞i=1={∑∞j=1αj(i)fj}∞i=1,成为Bessel列的充分条件。     

在特征数0的代数闭域上半单纯代数群的上同调群

设G是特征数O的代数闭域k上的半单纯代数群。本文将计算系数在不可约有理G-模中G的上同调群的问题归结为计算幂零李代数的上同调群的问题。我们得到了关于H~*(G,V)的一些性质和它的维数估计式,其中V是不可约有理G-模。结果表明特征数0和特征数p>0的情况是不相同的。     

磁场效应对含砷工业废水萃取的影响

通过萃取时间、温度、pH值的变化来考察含砷工业废水磁化前后,磁场效应对萃取砷的影响·试验直接选用双二-乙基己基磷酸作为萃取剂,并加入少量的磷酸三丁脂和磺化煤油在硫酸体系中萃取砷·含砷工业废水经磁化预处理后,可以提高砷的萃取率,并能有效地改善砷的萃取行为,同时也改变了废水中其他杂质的萃取分配比·含砷工业废水通过萃取富集后,可以用电解沉积或水合肼还原出单质砷·经萃取净化后的含砷废水可达到国家排放标准·此外,该工艺技术可以为其他含有毒、有害工业废水的净化处理提供新的研究领域·     

扩展的小增益定理

把接受瞬时信号的系统成立的结论推广到接受持久信号的系统,一直是鲁棒控制的基本问题,也是一个难题。在接受持久信号的系统中,很多原有的接受瞬时信号系统成立的结论都不成立了,因此大量的概念、定理需要改进。目前虽然对于一般的H∞函数和H∞不确定性模型来说,定义频域的概念已取得了一些成果,但是对于小增益定理的改进还是很少。基于此,应用H-∞1函数空间修改了小增益定理,给出了一个扩展的小增益定理。并且讨论了它的应用价值。     

(CH3O)3PO3·(H2O)n(n=1,2)分子间氢键作用的理论研究

用密度泛函(DFT)B3LYP/6-31+G(d)方法研究(CH3O)3PO3.(H2O)n(n=1,2)的分子间氢键作用,对水分子可能与该化合物形成氢键的复合物及水分子作用下该化合物分解时所达到的过渡态,进行全优化,在B3LYP/6-311++G(d,p)的方法下进行单点能计算,并进行零点能校正,进一步探讨由于水分子作用所形成的分子间氢键对(CH3O)3PO3分解所需活化能的影响,比较不同情况下分解所需活化能的大小、几何参数和电荷分布的变化.