空穴缓冲层的厚度对有机电致发光器件性能的影响

本文利用有机发光材料4，4′，4″，-{N，-（2-naphthyl）-N-phenylamino}-triphenylamine（2T-NATA）作为空穴缓冲层，制备了结构为：ITO／2T-NATA／NPB／DPVBi／Alq3／LiF／Al的有机电致发光器件．在器件的制备过程中通过改变空穴缓冲层2T-NATA的厚度使器件的亮度和效率得到了改善．当2T-NATA的厚度为15nm时，器件的性能最好．在电流密度为623mA/cm^2时最大亮度达到16530cd／m^2，对应的电流效率为2．65cd／A，器件的色坐标为（0．23，0．36），属于蓝绿光发射．     

基于萘基噁二唑衍生物环金属铱配合物的合成及其光电性能研究

合成并表征了两种基于萘基噁二唑衍生物环金属铱配合物(DFPhNOXD)2Ir(acac)和(DNOXD)2Ir(acac).以该类铱配合物为客体,聚9,9-二辛基芴(PFO)和2-叔丁基苯基-5-二苯基1,3,4噁二唑(PBD)为主体制作了电致发光器件.研究发现,两种配合物的电致发光均为红光,其中基于配合物(DFPhNOXD)2Ir(acac)的电致发光器件的发射峰在580nm处,626nm处有肩峰,器件的最大发光效率为1.9cd/A.基于配合物(DNOXD)2Ir(acac)的电致发光器件的发射峰在593nm处,642nm处有肩峰,最大发光效率为3.3cd/A.值得关注的是,在电流密度为100mA/cm2时,基于配合物(DNOXD)2Ir(acac)的发光器件的效率滚降不明显,发光效率仍保持在2.2cd/A.     

利用双发光层结构提高N-BDAVBi掺杂器件的效率

制备了基于N-BDAVBi的高效率双发光层蓝色有机电致发光器件(OLED),器件中将蓝色荧光染料NBDAVBi作为客体发光材料分别掺入主体材料TCTA和TPBi中,器件结构为ITO/m-MTDATA(40 nm)/NPB(10nm)/TCTA:N-BDAVBi(15 nm)/TPBi:N-BDAVBi(15 nm)/TPBi(30 nm)/LiF(0.6 nm)/Al(150 nm),最大电流效率达到8.44 cd/A,CIE色坐标为(0.176,0.314),并且在12 V的电压下,亮度最大达到11 860 cd/m2,分别是单发光层结构器件的1.85倍和1.2倍.器件性能提高主要归因于双发光层扩大了载流子复合区域,主客体间的Forster能量转移.     

掺杂铕硅酸锶Sr(Eu,Bi)SiO3,Sr(Eu,Bi)2SiO4的发光及结构特性

用高温高压方法合成了Sr(Eu,Bi)SiO3,Sr(Eu,Bi)2SiO4。研究了高压对其结构及发光性能的影响。与用溶脑－凝胶法和常压高温法合成的产品相比较，常压制备的Sr(Eu,Bi)SiO3为六角结构，而在2．34－4．10GPa的合成压力下，未发现其结构相变。高压能显地改就样品的发光特性。其发光强度和相对量子发光效率降低，半宽明显增加，且伴有红移发生。发光强度的改变是压致晶场的变化引起的。     

混合元素掺杂对Sr_2MgSi_2O_7蓝色长余辉发光材料的影响

采用溶胶-凝胶法合成了不同元素混合掺杂Sr2MgSi2O7系列蓝色长余辉发光材料,并对其发光性能进行研究,探讨掺杂元素对材料发光性能的影响规律性.激发发射光谱实验表明其峰均为宽带峰,最大发射峰位于466nm附近,是由典型的Eu2＋的4f5d-4f跃迁导致的.所合成的Eu2＋,Dy3共掺杂发光材料Sr2MgSi2O7余辉时间可达8hrs以上,具有合适的能级陷阱0.76eV.     

掺稀土Ⅱ—Ⅵ族化合物非放射性夜光粉及其发光性质

报导了掺稀土钆的Ⅰ—Ⅵ族化合物光致储能发光粉(非放射性夜光粉)ZnS:Cu,Co,Gd;ZnS:Mn,Cu,Co,Gd,(Sr,Mg)S:Bi,Cu,Gd的制备工艺、发光特性及其应用。     

8-羟基喹啉硼化锂材料及器件的特性研究

详细叙述了有机电致发光器件的工作原理及蓝色有机发光材料8羟基喹啉硼化锂(LiBq4)的制备方法、结构表征，并讨论了利用LiBq4研制蓝色发光器件中存在的问题。     

利用CBP作为缓冲层增加有机发光器件的效率

制备一种利用4，4′-N，N′-dicarbazole—biphenyl（CBP）作为超薄空穴注入缓冲层．CBP作为一种较好的缓冲材料，改善了有机发光器件的性能．CBP阻挡部分从阳极ITO注入到有机层NPB的空穴，从而平衡了空穴和电子的注入．有缓冲层的有机发光器件比没有缓冲层有机发光器件的电流效率有了明显的提高．当缓冲层CBP为4nm时，最大电流效率在8V时达到5．66cd／A，这是没有缓冲层器件电流效率的近1．5倍．     

Ba2-xMgxSiO4:Eu2+绿色荧光粉发光性质研究

运用固相反应法在弱还原气氛下1473 K合成Ba2-xMgxSiO4:Eu2 荧光粉,用发光光谱和激发光谱,X射线粉末衍射等手段研究样品的发光特性和晶相结构.X-ray衍射图表明了Ba2-xMgxSiO4和Ba2SiO4的相位,同时证明Eu2 有助于绿光发射.激发光谱分布在300~450 nm的波长范围,峰值位于337 nm处,表明了这种荧光粉可以通过InGaN管芯产生的300~420 nm辐射有效激发.发射谱带由于Eu2 4 f65d1→4 f7的跃迁形成.随着Mg2 浓度的增加,讨论发射主峰蓝移的原因.     

2，5-二芳基-1，3，4-噁二唑铕配合物的合成和发光性能研究

合成了一系列以2-芳基-5-(α -吡啶基)-1,3,4-噁二唑为中性配体的铕配合物,并对材料的结构和发光性能的关系进行了研究.研究表明:(1) 铕配合物在290～350 nm都有强烈的紫外吸收,且在紫外光的激发下都能产生铕离子的特征光谱(613 nm);(2) 配合物薄膜的荧光激发光谱与配合物溶液的激发光谱相比,由于分子间作用力增大,光谱蓝移了60 nm左右,但均为铕离子的特征光谱.以铕配合物为客体,以高分子材料聚乙烯基咔唑(PVK)为主体,制备的电致发光器件的最大亮度为15 cd/m2,在器件结构相同的条件下,配体结构对发光性能有较大的影响:Eu(DBM)3MeO-OXD和 Eu(DBM)3F-OXD相比,前者的光致发光强度比后者强,其电致发光的最大亮度却只有后者的四分之一.实验结果表明,通过对中性配体进行结构修饰,可以达到优化铕配合物的发光性能的目的.     

ZnO薄膜发光特性的实验研究

室温下测量了以石英为衬底的ZnO薄膜的吸收光谱及发光光谱,从谱图可以看出,样品具有较好的结晶状态.另外,样品在紫外有较强的吸收,而其光致发光也是较强的紫外发射,这表明带间跃迁占了主导地位.     

Eu3+掺杂ZnS纳米材料的制备及发光性能研究

低温水浴法制备不同掺杂浓度(摩尔百分比1％～7％)的ZnS:Eu纳米颗粒.采用X射线衍射仪对制备的样品进行物相分析,通过吸收和光致发光光谱对其进行了发光性能的研究.实验结果表明,所制备的样品均为立方相的ZnS:Eu,Eu3+占据了晶格的非对称反演中心,红光发射来源于Eu3+的5 D0→7 F2的跃迁.掺杂量为6％、热处...     

一维多孔TiO_2/SiO_2光子晶体能带结构模拟计算

为展宽光子带隙,提出多孔薄膜层状结构的一维光子晶体模型。采用有效介质理论计算多孔薄膜有效介电常数,使用平面波展开法,模拟计算了一维多孔TiO_2/SiO_2光子晶体的能带结构。结果表明:电介质层孔隙率变化、厚度变化时,带隙宽度和中心频率都能被有效地调制,可实现紫外、可见光波段宽带隙的光学介质组合。这为可见光区光电子器件的制备提供了新的思路。     

热氧化硫化锌薄膜制备高质量纳米ZnO薄膜的表征

本文报道了利用低压-金属有机化学气相沉积（LP-MOCVD）技术生长ZnS薄膜，然后，将ZnS薄膜在氧气中于不同温度下进行热氧化制备高质量的纳米ZnO薄膜。采用有效的手段对榈的质量表征：X-射线衍射（XRD）结果表明，纳米ZnO薄膜具有六角纤锌矿多晶结构。喇曼光谱观测到典型的多声子共振过程。在光致发光（PL）光谱中，自由激子（FE）和束缚激了（BE）发射都很明显。低温下，束缚激子（BE）复合发射占主要地位，而自由激子（FE）复合发射也容易观察到。这些结果都说明我们制备的样品是高质量的。     

福州盆地马堡红土地球化学元素特征及其气候环境意义

在光释光测年基础上,研究了福州盆地马保（MB）红土剖面的元素组成及其比值变化特点．结果表明：主元素氧化物以SiO2、Al2O3和Fe2O3为主,MgO、Na2O、CaO、K2O含量较低,硅铝率1．81-2．42（平均值为2．00）,硅铝铁率1．30-1．87（平均值为1.49）,CIA值88．63—95．98（平均值为93．71）,Ba值0．07-0．16（平均值为0．10）,元素组合及其比值符合亚热带湿热环境下的脱硅富铝的基本成土过程．MB红土的微量元素富集程度较高,相对于上陆壳（UCC）平均组成富V、Cu、Zn、Rb、Co,贫Sr、Ba、Ni、Zr．MB剖面红土形成于晚更新世中期,就微量元素与气候变化的关系而言,Cu、Zn、C0、Sr等化学性质较稳定的元素其高值段大体上对应区域化学风化作用增强,红土发育程度加强,气候暖湿;其低值段对应区域生物化学风化作用减弱,红土发育程度减弱,气候干凉．随着风化强度的增强,Rb／Sr比值增大．元素含量及其比值呈现峰谷旋回变化,指示了晚更新世中晚期以来区域气候以温干一温湿变化为主,并伴随着小尺度的旋回变化,气候总体波动较大．MB剖面地球化学元素记录的区域气候变化过程既是对全球气候变化的响应,也表现出亚热带季风区红土沉积风化的特殊性．     

一种新型白光荧光粉Sr1.5Ca0.5SiO4:Eu3+,Tb3+,Eu2+的合成与光致发光

采用高温固相法合成了名义组成为Sr1.5Ca0.5 SiO4:0.01 Eu3+,nTb3+(n =3.0×10-4,7.0×10-4,1.5×10-3 mol)的荧光粉.X射线衍射测试表明荧光粉样品为单一物相.在紫外光(394 nm)激发下,样品同时产生蓝光、绿光和红橙光发射,分别对应于Eu2+离子的5d→4f,Tb3+离子的5 D4→7FJ和Eu3+离子的5D0→7FJ跃迁,表明部分Eu3+离子在还原气氛下被还原成Eu2+.红光、绿光和蓝光发射强度相当,复合得到白光.色坐标(CIE)计算结果显示,荧光粉Sr1.5Ca0.5SiO4:0.01 Eu3+,7.0×10-4 Tb3+的白色发光(CIE:x=0.321,y=0.322)接近纯白色(CIE:x=0.33,y=0.33),表明它是一种很有应用前景的基于紫外光芯片的单基白光荧光粉.     

Yb3+浓度对Er:Yb掺杂SiO2:PbF2玻璃上转换荧光强度的影响

将Er2O3和Yb2O3掺杂杂到SiO2和PbF2混合物中，烧结后，制成约2mm厚的薄片样品，为了便于比较而获得最佳的Yb^3离子浓度使上转换荧光峰强度最强，各样品中SiO2,PbF2和Er2O3的摩尔百分比是固定的，Yb2O3的浓度分别使用了0．6mol%,1.4mol%,2.40mol%,4.66mol%和8.0mol，在930nmLED激发下，测量了这五种样品的荧光光谱，观察到上转换谱线主要有绿光（约528nm,540nm,547nm和550nm)，红光（约652nm,665nm和668nm)，蓝光（约487nm和493nm)，紫光（约412nm)和近红外光（约802nm,845nm,852nm)，发现对于以上五种Yb2O3浓度的样品其浓度为2．4mol％样品上转换荧光的峰强度是最强的，其中绿光比其它谱线更强。     

多层结构的X射线双晶衍射研究

用Ｘ射线双晶衍射术研究了玻璃薄层－铂膜－α－Ａｌ＿２Ｏ＿３多层结构。发现不同材料的玻璃层，使多层结构因热失配对铂膜产生不同的应力。对铂薄膜电阻器件的测量结果表明：应力引起器件的电阻值变化；不同的应力状态，产生不同方向的附加电阻。选择适当材料的玻璃层，使热失配在铂膜内产生相反的应力，从而造成相反的附加电阻。以这种应力补偿方法提高了薄膜铂电阻的可靠性。